Способ определения прочности диэлектрических пленок

Номер патента: 572751

Опубликовано: 15.09.1977

Авторы: Анфилов, Роженко

МПК: G03G 13/00

Метки: диэлектрической, изображения, пленкой, слоях, фотополупроводниковых, электрофотографического

...О вследствие резкого уменьшения их сопротивления переходит ца границу раздела слоя и11 пленки, где создается плотность заряда О + + о, равная по абсолютной величине заряду ца поверхности пленки о + а . На темных участках слоя распределение зарядов остается прежним.В следующей 1 Ч стадии процесса поверхность пленки закорачивается с проводящей подложкой при отсутствии света, например, с помощью вала с покрытием из токопроводящей резины.Таким образом, что исходя из соотношениясл 1 сл + "пп - Огде е и еп - напряженность электрического поля соответственно в слое и пленке; дсп и П - толщины слоя и пленки,уравнивание потенциалов поверхности пленки и проводящей подложки приведет к таму, что на экспонированных участках слоя плотность заряда на...

Номер патента: 1411575

Опубликовано: 23.07.1988

Авторы: Набитович, Романюк

МПК: G01B 11/06

Метки: диэлектрических, неоднородности, пленок, толщины

...на границе пленка - окружающая среда. Составитель В.Бахтин Редактор И.Ыулла Техред Л,Олейник Корректор О,КравцоваЗаказ 3643/36 Тираж 630 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для контроля однородности толщины прозрачных пленок наноУ 5 имых на прозрачную подложку с коэф-ициентом преломления, близким к коффициенту преломления пленкч.Целью изобретения является повышее точности контроля за счет увели ения контраста интерференционной артины.Способ осуществляется следующим бразом.Перед нанесением...

Номер патента: 1635064

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Анисимов, Колокольчиков

МПК: G01N 3/42

Метки: диэлектрических, испытания, пленок

...с зобрет ния - по ания под хност но поверхности пленк пленку, определяют с процессе которого изме емкости между индент пленкой и воздушного от перемещения инде сравнения их, определ ния индентора и с ее твердость, диэлектри мость, пористость, пл стные и вязкоупругие с осится к из нно к опр ких пленок ием известн св, М 12706 - повышен од поверхн ого напря мерительделению и являетго спосо, ие точностью инжен ного(Л О о Формула обре Способ испытания диэл пленок по авт. св. Гч. 1270638,щ и й с я тем, что, с целью точности, на поверхность плен контакта с индентором нанося сти с величиной диэлектрическктри ких отли пов ки в т слой ой иния лас идк иц Изобретение отн ной технике, а име свойств диэлектричес ся усовершенствован ба по основному...

Номер патента: 737817

Опубликовано: 30.05.1980

Авторы: Комраков, Шапочкин

МПК: G01N 21/46

Метки: диэлектрических, интерференционный, переменной, пленок, показателя, преломления, толщины

...того, уточняющим признаком способа является то, что изменение угла падения освещающего пленку пучка осуществляют в плоскости, параллельной ингерференционным полосам в пленке и перпендикулярной ее поверхности.В этом случае наблюдаемое изменение ширины полосы полностью обуславливается изменением угла падения световых лучей на пленку и не требуетсявведения дополнительных поправок, учитывающих проекционные искажения интерференционной полосы.Способ позволяет определить показатель преломления в пленках переменной толщины не измеряя оптическую толщину пленки ни в одной ее точке. Однако, если оптическая тблщина пленки иэвестна в какой-нибудь ее точке с погрешностью не превышакщей величины, соответствующей одному порядку интерференции...

Номер патента: 1803828

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Макарова, Шаронова

МПК: G01N 21/43

Метки: дисперсии, диэлектрических, пленок, показателя, преломления

...угле падения р излучения на образец,Г 3 р и м е р, Образец энодно окисленного арсенида галлия с толщиной окисла б= 760-ф.20 Д устанавливэется нэ предметный1803828 3столик эллипсометра, дополненного арго- новым лазером, излучающим на длинах волн 4765, 4880, 4965, 5017 и 5145 А. Спектральные линии лазера пространственно разделены с помощью дифракционной решетки,Полагая и = 1,8 . 0,2, получим нижележащих слоев определяет преимущества способа при исследовании пленок на малоизученных веществах, Способ отличается простотой матемаческой обработки ре зультатов. При вычислении по приведеннойформуле определяется также дисперсия йокаэателя преломления.Апп = 4765 А/2 1,8 = 645 А,Лщах = 5145 А/2(1,8 - 1) = 826 А.Лазерное излучение с длиной волны...