Патенты опубликованные 23.10.1990
Способ прогнозирования землетрясения
Номер патента: 1376766
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовский, Реутский
МПК: G01V 3/12
Метки: землетрясения, прогнозирования
...частотыи фазы принятого колебания и принимают решение о времени наступленияземлетрясения,Передатчик 1 и приемник .2 находятся в одном пункте приема-.передачи, а электромагнитное колебание проходит двойной путь от передатчика 1до отражателя 5 и обратно к приемнику 3 и индикатору 4 (см, фнг,2), Приэтом аппаратура сосредоточена в одном пункте. Могут использоватьсянесколько отражателей 5, которыерасполагают по границе сейсмическиопасного района и облучают - опрашивают - периодически, например, путем сканирования.После приема электромагнитногоколебания, прошедшего неоднороднуюсреду, и измерения изменения частоты.Ь 1 или фазы ьд принятого колебанияпо отношению к излученному определяют скорость изменения частоты (фазы)ЬГ/Ь. 1 аЧЙ Е). Затеи...
Устройство зажигания и контроля горения
Номер патента: 1199013
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Астафьев, Афанасиади, Бачурин, Демин, Лаунин, Мороз, Петров, Попов, Томилин, Хазанов
...имеет в своем составе устройство ограничения времени розжига и кнопку 20 управления пуском. 45Включение устройства в действие производится кратковременным нажатием кнопки 20, При нажатии кнопки 20 на выходе блока 17 пуска и блокировки появляется сигнал, разрешающий работу тактового генератора 16 и открываю 10 щий запорный орган 18 для подачи газовоздушной смеси в горелку 19. Тактовый генератор 16 начинает вырабатывать импульсы, поступающие одновременно на коммутационное реле 8,и на вход управления генератора 15 импульсов розжига для безыскрового пе-, реключения контактов коммутационного 4реле 8, что повышает долговечностьработы последнего,Когда на выходе тактового генератора 16 появляется высокий потенциал,срабатывает коммутационное...
Способ изготовления мдп-микросхем методом пошагового репродуцирования
Номер патента: 1199155
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Мацкевич, Москалевский, Перова, Ярандин
МПК: H01L 21/82
Метки: мдп-микросхем, методом, пошагового, репродуцирования
...окон, формирования металлических межсоединений,о т л и ч а ю щ и й с.я тем, что,с целью повышения технологичностипроцесса изготовления МДП-микросхемс пошаговым репродуцированием и уменьшения плотности поверхностных дефектов в кремнии, после окислениякремниевой подложки осаждают пленкуБ 1 И и затем через полученную маску810 - ЗхзИ формируютзнаки совме- (щения и пассивные области микросхем.1500+100 А методом РПД. Затем формируют топологический рисунок знака совмещения в пленке фоторезиста, выполняют плазмо-химическое травление5 нитрида кремния и химическое травление окисла кремния. После удаления фоторезиста осуществляют анизотропное травление кремния в трагителе составаКОН 32 г сухого вещества 10Иэопропиловый спирт 250 млВода 375 мл...
Способ проведения плазмохимических реакций
Номер патента: 1507192
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Норман, Полак, Сопин, Сорокин
МПК: H05H 1/00
Метки: плазмохимических, проведения, реакций
...иэ активной зоны реактора 3 ) 2 К/С(5) где С -, скорость звука.Условия (3), (4) определяют область допустимых значений тока 1 пучка и энергии электронов пучка,Наиболее эффективным способом ис- ПОЛЬЗОВаНИЯ ЭНЕРГНИ Эпг.КтРОШУОГО ПУЧ- ка является ее тр;1 нсформэ 1 ня в энергию колебательной с 2 тепени с 1 абоды моЛЕкул гооно, ерг 1 с 1. Иг о,г 1 о ич это 3 1501снт от состава рабочей смеси и иници,ируемого процесса, Токи пучка должныбыть достаточно высокими, однако ихзначение не должно превышать величину альфеновского тока Т.1 с ТАпшс //е, (1)где с - скорость света;3 ч/с; ш,е, ч - масса, заряд и ско"рость электронов пучке, У1-(Р,Число иипупьсов пучка определяютиз условия, чтобы энерговыход за время макроимпульса равнялся требуемомузначению...
Газовый лазер
Номер патента: 1268058
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Борисовский, Кодылев, Трусов, Юнин
МПК: H01S 3/22
...8, 9 и точность ихположения. Порядок изготовления лазера следующий. Изготавливается оболочка 1,разрядный капилляр 3 и ножка 2, В оболочку вставляется капилляр 3 с пружиной 6, зеркалом 9 и катодом 4. Накапилляр со стороны катода надевается опорный калиброванный цилиндр 12 с ножкой 2, которая сваривается с . оболочкой 1 так, чтобы катод 4 надежно удерживался опорным цилиндром, а зеркало 9 прижималось к торцу капилляра 3 с достаточным усилием. Через открытый конец ножки в опорный цилиндр устанавливается пьеэокерамика 10, второе зеркало 8, пружины 7, оторые сжимаются и Фиксируются вкручиванием втулки 11 до необходимого усилия 5 кг/ для надежного удержания зеркала 8 на торце капилляра. В таком положении проверяется правиль" ность сборки и...
Способ получения покрытия из фоторезиста
Номер патента: 1329498
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Базанова, Белоус, Мацкевич, Попова, Ярандин
МПК: H01L 21/312
Метки: покрытия, фоторезиста
...согласно известномуспособу (прототипу) ца установке нанесения фоторезиста линии "Лада (см,табл.1).Т а б л и ц а 1 Продолжение табл.2,гРастекание5350Сушка110 Толщина фоторезистивного покрытия ца пластинах составляла 1,2 мкм.Сформированные покрытия подвергадпсь контролю, в процессе которогоопределялись внешний вид фоторезистивного покрытия на пластине, просматриваемый прц косом подсвете отисточника с направленным световымпучком и локальная разнотолщинность(лучистость) покрытия при контролепод металлографическим микроскопомв режиме ицтерференццоцного фазовогоконтраста по Номарски.1Визуально наблюдаемая радиальная1 11лучевая разнотолщинность присущафоторезистивным покрытиям, Нанесение фотарезиста в соответствии с изобретением обеспечивает...
Способ формирования фоторезистивной маски для плазменного травления
Номер патента: 1099776
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Бугай, Ткаченко, Ярандин
МПК: H01L 21/3105
Метки: маски, плазменного, травления, формирования, фоторезистивной
...д.ттель) тьГнтес(о)ГО дик:аГОТГОе: .. Г Г.зцстивной маски; з-а цскб р Н,Г," ПРОВЕДЕНИЯ ДОНОГНИТЕЛЬН т( СПР) :;нанесения заципого слоя па Б 1 С)нанесения втсрогс ело 1:тоар(:3 с -его экипопироватптя рояв.Генц исушки, реак гивно. о ионного тра;1 сБ 102 и слоя толе:ого фоторетц.т;,11 елью изобретения явгтяегс;5 сстНИЕ ТЕХНОЛОгтНЕСКОГО 1 ИК 51;.эгт,:ния фоторезстВпойт аски спрофил"м ооковых с тонок11(.,ГЬ д 3 С Т 1РТ.бе формиров анЯ фос р=3 и гив,ОКИ ДЛЯ ЫаЗМЕННОГО ттэаВНЕПГГ ".К,щем операции Янесэ 5 фо Орес:сна ;Од 110)(к у . сушкус нонн с: Гц."Гспроявлс.ние эо бра кс:.я о-ле,эо,;пения изобракения проводят театнО,5-5 мин плсз."еп:у",. обработку;к. -.рЕЗИСта В БЧ дОдНО с 1 Сто:Е .- :ной среде прц павлецп. 0-, .1 ОС ПВтудельной мощности О...
Состав для проявления позитивных фоторезистов
Номер патента: 1153806
Опубликовано: 23.10.1990
Автор: Суржин
Метки: позитивных, проявления, состав, фоторезистов
...вещества (ПАВ) с органическим растворителем уменьшает силы сцепления частиц с поверхностью подложки, которые затем полностью удаляются с проявленного поля при промывке в воде. Наличие растворителя усиливает действие ПАВ в растворе (сенергетический эффект).98,5 кой прочности пленки фоторезиста,уменьшения его налипания на фотошаблон при контактной фотолитографии, позволяет исключить операциюдубления фотореэиста при травлениибольшинства материалов как плазмохимическим, так и химическим методом. Слабая растворимость необлученного фоторезиста в данном составепрактически устраняет пористостьпленки, приобретаемую во время операции проявления, Введение растворителя позволяет значительно снизитьв 2-3 раза) содержание щелочи впроявителе, что в...
Способ прогнозирования землетрясения
Номер патента: 1454103
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской, Реутский
МПК: G01V 3/12
Метки: землетрясения, прогнозирования
...и принимается с помощьюприемника, настроенного на интсрвалчастот предполагаемого искаженногоимпульсного колерания. С помощью измерителя длительности импульсов про".изводят оценку длительности радиоимпульсов принятого колебания и сравнивают,с длительностью иэлученногорадиоимпульса. По результатам сравнения осуществляют прогноз землетрясения, В качестве передатчика можетбыть использован передатчик импульсных сигналов метрового или :днтнметрового диапазона. Радиоимпульс можетбыть сформирован из высокостабильногомонохроматического колебания путеммодуляции его импульсами прямоуголь3 4Формула изобретения Составитель В,ПопадькоРедактор Т.Куркова . Техред М,Дндык Корректор С,Шекмар Заказ 4356 Тираж 417 Порпнсное ВНИИПИ Государственного...
Способ формирования рельефа на полупроводниковой пластине
Номер патента: 1218857
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Осинов, Стратиенко
МПК: H01L 21/308
Метки: пластине, полупроводниковой, рельефа, формирования
...рельефа на полупроводниковой подложке, включающем операции нанесения фоторезиста на подложку, сутпку, экспонирование, нроянление, плазменную обработку фоторезиста н ВЧ-диодной системе н инертной среде при давлении 0,1-100 Па и температуре подложки 20-80 С и плазменное травление, плазменную обработку фоторезиста и травление проводят в одном вакуумном цикле, причем плазменную обработку фоторезиста проводят в три стадии, дпительность каждой из которых составляет 1-5 мин,. при удельной мощности 0,2+0,02;0,5+0,05 и 1,0 ф 0, 1 Вт/см .Изобретение позволяет сократить технологический процесс формирования рельефа на полупроводниковой подложке в сравнении с прототипом на время проведения высокотемпературной сушки и связа.1 ных с ней...
Контактный состав для ультразвукового контроля
Номер патента: 1455870
Опубликовано: 23.10.1990
Автор: Мурашов
МПК: G01N 29/04
Метки: контактный, состав, ультразвукового
...вяэ онтроль онерхно ест л польэонан клееных быть ислойныхий иэ ет ью еиной и Конта нтроля ук ций,кон, н окрыти тный состав г издР л конст пласт смещенияили бутил0,5 до 1 лакокрасо м числе ыми мас.7. ныи состав маж нышение проза счет сонаноситьонт еруемо ерхность контр ью, щеткой, пу аким-либо друг ся на по тали кис ром или огательные эжпринание ьвериз м способом. что н качети, входящей я контактерхности е окончания контро тав стирается с по салФеткой, причемэтилового (бутило шает впитываемость ава в салФетку. Ос о состава, це удал ный пиленгликольии компоцен аличие вого) спир- .контактно"атки кон"нные сал состав та улу го сос-99,акт ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯПРИ ГКНТ СССР Цель изобретения - и изнодительности...
Щитовой агрегат для отрабокти мощных крутонаклонных угольных пластов
Номер патента: 1457512
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Арсенов, Борисов, Боронов
МПК: E21D 19/02, E21D 23/00
Метки: агрегат, крутонаклонных, мощных, отрабокти, пластов, угольных, щитовой
...крепь 1 содержит щитовое перекрытие 6, лыжи 7 с секторами 8, стойкц 9 и гидродомкраты О. передвикки крепи.Устройство 5 подвески содержит прямоугольную каретку 11 с двумя поперечными трубчатыми балками 12, в которых разфмещаются трубчатые концы 13 трубчатыхолзуцов 14. Последние размещаются попарно на двух трубчатых направляющих5,которые одними концами соединены консольцо со стойками при помощи пальцев 16,а другими шарнирно соединены с проме,жуточной опорой 17, которая, в свою очередь, царцирно установлена ца перемычке 18, жестко установленной ца лыжах 7.Промежуточная опора 17 и каретка1 соединены между собой гидродомкратом 19 пере-.вижки каретки по трубчатым напоавляющнм 15.Выемка угля с помощью...
Устройство для измерения пространственного распределения концентраций плазмы и газовых струй
Номер патента: 1459430
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Дадашев, Захаров, Кульбеда, Москалев, Поспелов, Чистяков
МПК: G01N 22/00
Метки: газовых, концентраций, плазмы, пространственного, распределения, струй
...включающее резонатор в виде отрезка круглого волновода, двух основных па 11 отрезков прямоугольных волноводов, имеющих общую узкую стенку, располагаемых на окружности с внешней стороны резонатора в виде отрезка круглого волновода и связанных, с ним через отверс тия в их общих широких стенках основных пар отрезков прямоугольных волно.водов и стенки отрезка круглого волповода, прйчем концы основных пар отрезков прямоугольных волноводов за корочены:и входы имеют фланцы дляподключения СВЧ-генератора или приемника, а отверстия, соединяющие основные пары отрезков прямоугольных волноводов с отрезком круглого волново да в первой основной паре отрезковпрямоугольных волноводов, размещены на расстоянии й, равном в, а во второй основной паре...
Полупроводниковый детектор излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов
Номер патента: 1403919
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Ваксер, Герасименко, Погребняк, Раренко, Тальянский, Халамейда
МПК: H01L 31/02
Метки: детектор, диапазонов, излучения, миллиметрового, полупроводниковый, субмиллиметрового
...магнитного поля,рическое индикаторное устройстчувствительный элемент, обладаэлектронным фототермомагнитнымтом 3, слои 4 и 5 чувствительнэлемента с различными значенияфективной массы электронов в.,Электронный фототермомагнит(ЭФТИ) эффект заключается в поэлектроцвищущей силы (ЭДС) в иводнике при наличии в нем градэлектронной температуры 0 и педикулярного к огай О магнитного(см.фиг.1). ЭДС ЭФТМ эффекта иется в направлении, ортогональмагнитному полю и градиенту элной температуры. Величина ЭДСте с ней и чувствительность рариваемого детектора, определяютпараметрами полупроводниковогориала (величинами импульсной игетической частот столкновенийречной дифференциальной термоЭэффективной массой электронов. т.д.), из которого изготовленвительный...
Щитовая крепь для мощных крутонаклонных пластов
Номер патента: 1461078
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Арсенов, Воронцов, Лившиц
МПК: E21D 19/02
Метки: крепь, крутонаклонных, мощных, пластов, щитовая
...ееот деформаций при передвижке и выполняющим .функции отбойного лемеха с принуднтельной подачей.ОНижний конец щитового перекрытиясвободно лежит и поступательно откатывается по.секторной опоре 5,Основание и секторные опоры 5 выполнены с полыми каналами 7, Дополиительно основание снабжено замками8, через которые секции крепи завязаны между собой удерживающими кана-.тами 9 и цепямиОКроме этого, удерживающими кана- щтами 9 завязаны между собой щитовыеперекрытия.13 амк: 8 выполнены в виде цельно. литого кармана кОробчатого типа,внутренние размеры которого несколько 25больше габаритов, зрена цепи. Уложенная в кармане цепь Фиксируется отвыпадания пальцем, Наличие гибкихмежсекционных связей препятствует"расползанию" секций по простиранию...
Квантрон
Номер патента: 1282790
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Копылов, Коргачин, Сапрыгин, Щедров
МПК: H01S 3/04
Метки: квантрон
...4 изготавливались из индия, Прокладки 4 расположены симметрично относительноплоскости, проходящей через ось ак".тивного элемента 2 и лампы 1 накачки.В конкретном примере выполненияактивный элемент 2 располагается вдержателе б из прозрачного телепроводного материала, а лампа накачкиконтактирует с отражателем, Контактосуществляется путем прижатия лампы1 накачки к ситалловым пластинам 3.Диффуэно-селективное отражение ситалла обеспечивается -эа счет температур 40ной обработки,После обработки ситалл обладаетвысоким коэффициентом отражения вполосах накачки активного элемента ивысоким поглощением в инфракраснойобласти,. в частности прй длине волны падающего излучения вьппе 0,9 мкм,При обработке ситалл сохраняет высо-кую термическую...
Штамп для рубки пруткового материала
Номер патента: 1166419
Опубликовано: 23.10.1990
МПК: B21F 11/00, B23D 23/00
Метки: пруткового, рубки, штамп
...8, выполненной в виде набора ножей 9 и 10, узла фиксации 11 и упоров 12, Ножи 3 и 4 с обеих боковых поверхностей, а упорная планка 5 с одной- имеют углубления 13, нижние грани 14 которых выполнены с наклоном, обеспечивающим подъем отрубленных заготовок 15 и их сброс в приемную тару. Рубящие поверхности 16 ножей 3 и 4 и ножей 9 и 10 марицы 8 выполнены в соответствии с формой поперечного сечения прутка 17 (в.данном случае форма поверхности 16 полукруглая), а рубящие говерхности ножаи .ножа 10 матрицы Я выдвинуты навстречу. одна другой по отношению к остальным рубящим поверхностям ножей 3 и 9,Упорная планка 5 укоеплена нз ножедержателе 2, а упоры 12 размещены между ножами 3 и 4 и упорной планкой 5 и ножом 3 и имеют наклонную рабо...
Щитовой комплекс для мощных крутонаклонных пластов
Номер патента: 1464577
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Арсенов, Воронцов, Лившиц
МПК: E21D 19/02
Метки: комплекс, крутонаклонных, мощных, пластов, щитовой
...подачи в плоскости,.перпендикулярной основа" нию.Выемка угля с применением щитовоого комплекса осуществляется следующим образом.о В исходном положении крепь щитового комплекса опирается перекрытиями и основаниями на опорные целики угля у кровли и почвы пласта, каретки 7 45 подвесок.конвейероструга 9 находятся в крайнем нижнем положении, гидро- домкраты 10 горизонтальной подачи полностью втянуты, конвейероструг 9 находится в "канаве". Домкратами горизонтальной подачи на полную выдвижку конвейероструг подается на забой и берется вруб в нижней части забоя с расчетом оставления целика по поч" ве пласта. Затем гидродомкратами 11 Вертикальной подачи,конвейероструг подается к кровле пласта (положение 1). После этого гидродомкраты 1 О...
Способ измерения угловой скорости объекта
Номер патента: 1528148
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Барановский, Барский, Утенков, Черепанов
МПК: G01P 9/00
Метки: объекта, скорости, угловой
...5 - 10 раэ превышающей величину трения покоя подшипников гироуэла, На втором этапе фильруют переменную составляющую напряженил, пропорционального току датчика момента, до заданного уровня. Повеличине этого напряжения судят обугловой скорости,плитуда переменной составляющей напряжения имеет такую величину, что она возбуждает в датчике момента пульсирующий момент, который вызывает высокочастотные колебания оси прецессии гироскопа, что оживляет подшипники и снижает их момент трения в 80 - 100 раэ по сравнению с их моментрм трения покоя. Масса 1 момент инерцииподвижньм частей, определяющаяО постоянную времени гироуэла, отфипьтровывает амплитуду пульсирующего мо" мента до амплитуды колебания оси прецессии, находящейся вне эоны...
Подводная фонтанная арматура
Номер патента: 1466309
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Абдуллаев, Гаджиев, Перевезенцев, Расулов
МПК: E21B 33/035
Метки: арматура, подводная, фонтанная
...Фонтанная арматура рабо- тает следующим образом.В процессе эксплуатации на запор-ном блоке 1 установлен буферный кол. пак 2, буферные запорные элементы 22и 25 закрыты. Скнажинная продукцияпо рабочим каналам 16 ичерез открытые запорнме элементы 20,21,23 .и . боковой отвод 18 поступает по подводному трубопроводу (не показан) на пункт сбора продукции (например, наморскую стационарную платформу илнна берег). Герметичность рабочего буферногозапорного элемента 22 можно контролировать по наличию скважинной продукции в боковом отводе 9 при закрытом затрубном запорном элементе24 и открытых буферном 25 и боковом26 запорным элементах. В случае негерметичности рабочего буферного запорного элемента.22 скважинная продукция через соединительную...
Способ прогнозирования землетрясения
Номер патента: 1347741
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской
Метки: землетрясения, прогнозирования
...датчики электрического поля в предполагаемом эпицентре землетрясения и в опорной точке измерения, расположенной на расстоянии порядка 500- 700 м. Производят измерения мощности15 флуктуаций вертикальной составляющей поля Земли в обоих точках, для чего преобразуют флуктуации электрического поля в электрический сигнал, который усиливают до одинакового среднего уровня,Для выравнивания сигналовЗО в усилителях осуществляют регулирование коэффициента усидения. Усиленные ,сигналы дают на коррелометр, где, изменяя время задержки сигнала, приходящего от предполагаемого эпицентра 35 землетрясения, регистрируют по индикатору зависимость вэаимокорреляционной функции от времени задержки.Определяют вреия задержки Т , при котором имеет место...
Способ прогнозирования землетрясения
Номер патента: 1347742
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской
Метки: землетрясения, прогнозирования
...аппаратуру в базовой точке и производят измерение мощности флуктуаций гори.зонтальной и вертикальной составляющих электрического поля Земли одновременно ц баэовой точке ц в предполагаемом эпицентре землетрясения, При этом время измерения должно быть много больше запаздывания упругих волн в базовой точке, что выполняется при выборке времени усреднения. порядка 0 5 - Э ч.По результатам измерения рассчитывают глубину предполагаемого эпицентра землетрясения Н, по формуле)о йпостоянный для каждого тектонического райсна коэффициент;отношения мощности флуктуаций горизонтальной составляющей электрического поля Земпи к мощности флуктуа" ций вертикальной составляю" щей соответственно в эпицентре земпетрясения н в базовой точке. где с 4 50 20 е 2%...
Способ получения диалкилтеллуридов
Номер патента: 1410460
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Амосова, Гусарова, Каратаев, Потапов, Рахматулина
МПК: C07C 395/00
Метки: диалкилтеллуридов
...получают20,7 г дипропилтеллурида (выход 97%),П р и м е р 4, В условиях, приведенных в примере 1, но при использовании в качестве алкилбромида нзопропилбромида 30,8 г, 0,25 моль) получают 19,8 г диизопропилтеллурида(выход 93%),П р и м е р 5. В условиях, приве,денных в примере 1но при испольэовании в качестве алкилбромида этилбромида 27,2 г, 0,25 моль) получают17,2 г диэтилтеллурида выход 93%).П р и м е р 6. В условиях, приведенных в примере 1, но в отсутствиеадогена 464 получают 8,1 г дибутилтеллурида выход 30%)П р и м е р 7. В условиях, приведенных в примере 1, но при использовании 35,6 г 0,89 моль БаОН вместоКОН.получают 12,0 г дибутилтеллуридй(выход 50%)П р и м е р 8. В условиях, приведенных в примере 1, но при использовании 27,4 г...
Устройство для консервации донного устья скважины
Номер патента: 1468060
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Абдуллаев, Гаджиев, Сеидов
МПК: E21B 33/043, E21B 43/01
Метки: донного, консервации, скважины, устья
...35-36, упираясь.в коническую поверх" ность 38 седла 6, отжимается внутрь механизма, преодолевая сопротивление пружины 37, клапан 5 отжимается толкателем 9 от нижней конической поверхности седла 6, преодолевая/ сопротивление пружины 24, а пальцы 2 оказываются в верхней части Г-образного паза, Для зацепления механизма с пробкой соединительный переходник 10 вместе с корпусом 8 проворачивается по часовой стрелке до упора пальцев 2 в конец .8 Г-образных пазов 14. В таком положении подвешенная на механизме пробка попадает пальцами во впадину 19 Г-образных пазов, что препятствует самопроизвольному расцеплению.Пробка спускается на донное устье (в головку обсадной колонны) консервируемого устья скважины (на фиг. не показана) и заворачивается...
Способ неразрушающего контроля изделия
Номер патента: 1468199
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Голубев, Морозов, Мурашов, Хвалебнов
МПК: G01N 29/04
Метки: изделия, неразрушающего
...которого мер, специальным составом на поли- не превышает величины минимальных мерной основе, которЫй после высы- реальных, дефектов. хания образует пленку эвукопогло П р и м. е р 2. При контроле масщающего материала, возбуждаемые в сивкой двухслойной конструкции меконструкции упругие койебайия Понада- талл-углепластик можно также нспольют в слой звукопоглощающего материе- эовать устройство, включающее ультрала и затухают в нем, при этом эна- звуковой генератор УЗГ-0,4 и магии чительная часть мехаййеской энергои 15 тострикционныйпреобразователь для превращается в тепловую. с выделением возбуждения упругих колебаний и тепбольшего тела в зонедефекта., что и ловизор типа АСА. В качестве обнаруживается при регистрации тем-,...
Способ предсказания времени наступления землетрясения
Номер патента: 1349535
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовской, Чалый
МПК: G01V 3/12
Метки: времени, землетрясения, наступления, предсказания
...зависит от выбора нижней граничной частоты полосы 40 пропускация измерительного устройства й =Г, Чем меньше значение опорной частоты Е тем точнее результат измерения. Вторым условием выбора опорной частоты Г, является реально цеоб- д 5 ходимое и реализуемое время измерения, определяющее оперативность способа. Частота Е выбирается иэ усло"1вий достижения необходимой точности и реально реализуемого времени иэ мерения.Опорные частоты Г и Г выбирают в области частот, где спектральная плотность мощности Соо флюктуаций для стационарного процесса максимально и"меняется, Опорные частоты Г, и Г выбранные для прогнозирования, являются постоянными, а отношение спектральных плотностей мощнос гей ца этих частотах определяется отношением С...
Сверхпроводящий гравиметр
Номер патента: 1289336
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Адамович, Иванов, Костромицкий, Менде, Пишиц, Рыбалка, Тюкова, Чаркин
МПК: G01V 7/02, H01L 39/16
Метки: гравиметр, сверхпроводящий
...частоты автогецератора 25 (т.е. выход усилителя29 промежуточной частоты) чодключецк демпфирующей катушке 7 посредствомцепи управления, состоящей из последовательно соединенных фазового детектора 30, фаэокорректирующей цепи 31,усилителя 32.постоянного тока и развязывающего трансформатора 33. Приэтом СВЧ автогенератор. 25 подключен. 40в систему фазовой автоподстройки частоты СВЧ генератора 26, т,е, выходсоединенного с опорным кварцевым генератором 34 фазового детектора 30подключей через фильтр 35 нижних частот к электроду управления частотой(не показан) СВЧ генератора 26.Сверхпроводящий гравиметр работает следующим образом, 50В момент охлаждения системы гравиметра до гелиевых температур шар 2лежит на опоре 16, После...
Способ прогнозирования положения эпицентра землетрясения
Номер патента: 1290889
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Воинов, Кругликов, Ледовский, Чалый
Метки: землетрясения, положения, прогнозирования, эпицентра
...мощности флюктуаций Р, и рассчитывают отношение Р, /РцПо данным измерения в точке 1 получают результат Яв= 30 (при отсчете угла по часовой стрелке), Отношение Р /Р = 0 12После завершения операций измерения в точке 1 аппаратуру перемещают по измеренному азимуту М Иаг перемещения зависит от условий местности и на большйх расстояниях от эпицентра предлагаемого землетрясения может составлять величину порядка 60 км,,Акалогично производят измерения в точке 2, где азимут 1 = 12,5 , а отношение Р /Р Ж 0,35, что является показателем приближения к эпицентру предлагаемого землетрясения, Если направление перемещения выбрано чеверно (противоположМо), то отношение будет меньше, Выбор кеправильнога направления может произойти из-за двусторонней (...
Контактная жидкость для ультразвукового контроля
Номер патента: 1415911
Опубликовано: 23.10.1990
Автор: Мурашов
МПК: G01N 29/04
Метки: жидкость, контактная, ультразвукового
...состав на основе водного раствора полнвинилового спирта с ингибитором коррозии входят гидрофобизирующая кремнеорганическая жидкость ГКЖ-41, например этилгидридполисилоксановая жидкость, и поверхностно-актнвное вещество (ПАВ), например АПЧ ( Т -аминопропилтриэтоксисилан)-9 или алкамон ОС"2, при следующем соотношении компонентов, мас.й:Поливиннловый спирт 5-10Ингибитор коррозии 0,5-1,0Этипгидридполисилоксановая жидкость 0,1-3,0ПАВ 0,1-1,0Вода ОстальноеПрименение данной контактной жидкости не требует обеэжиривания иэделия после контроля. Контактная жидкость обладает достаточной вязкостью и высокой смачивающей способностью, что обеспечивает стабильный акустический контакт преобразователя дефектоскопд с иэделием и не вызывает коррозию...
Ограничитель перенапряжений
Номер патента: 1294184
Опубликовано: 23.10.1990
Авторы: Волькенау, Лаврентьев, Пугачев, Шматович
МПК: G01R 31/00, H01C 8/04
Метки: ограничитель, перенапряжений
...чертеже не показано),образуя с ним надежное электрическоесоединение. Необходимо отметить, чтовтулка 5 при необходимости может бытьвыполнена иэ изоляционного материала, что позволяет включать в заземляющую цепь ограничителя между контактом 4 и заземляющей шиной подстанции контрольные приборы.Для высоковольтных испытаний ограничителя после его изготовления изаполнения элегазом контакт 4 приводится н крайнее правое положение начертеже показано пунктиром). При этомэлектрод 9 изолирован от заземленного бака 1,При подаче на высоковольтный ввод2 испытательного импульса напряженийПр. напряжение сначала нарастает наэлектроде 9 в 5-6 раз медленее, чемна вводе 2, что обусловлено делениеМнапряжения по емкостям. Однако принапряжении около О,7 ат...