Квантрон

СоаЗ СОВЕТСНИ 1СОЦИДЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУ БЛИН 9 1 Б 3/04 ОСУДДРС ПО ДЕЛАМ РЕТЕНИЯотноси ет быт ся к лазе испольэо ерах без Цель изоб ьных лазсждения а охл сти изл ние мощсодержиель, поачки и плотно упа крайней мер ондуктивно н раж 1 н ННЫЙ НОМИТЕТ СССРЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ ОПИОАНЯЕ ИЗ АВТОРСКОЮ,Ф СВМДЕт 3772769 16.07.8 Л.Г, Са Корчаги (53) 621. 315 (56) Авторск У 980578, клАвторское Р 1225449, (54) КВАНХРО (57) Иэобрет ной технике вано втверд жидкостного ретения - по чения. Квант кованные от одну лампу охлаждаекщ активный элемент 2, Отражатель выполнен из материала с низ-.кой теплопроводностью в виде двухчастей 3, соединенных в месте касакчя металлическими прокладками 4,кондуктивно связанными с активнымэлементом 2 и корпусом 5. Это обеспечивает симметричный отвод тепла сдвух противоположных участков почерхности активного элемента, тем самымуменьшая термооптические искажения,Суммарная глощадь поверхности прокладок Я и площадь поверхности отражателя Я связана соотношением 0,0868/80,2, что позволяет повыситьмощность излучения без сниженияКПД и увеличения термооптицеских искажений, 1 ил,Формула из обр етения35 0 08 -л- сБ Р БР1 128279Изобретение относится к лазерной технике, д более конкретно к конструкции основного уэлд лазерного излучателя - кнацтронд, и может быть использовано в твердотельных лазерах без жидкостного охлаждения.Цель изобретения - повышение мощности излучения.На чертеже изображен квантрон с двухламповой системой накачки, , 1 ОПримером конкретного выполнения является квантрон, содержащий плотно упакованные отражатель, лампы 1 накачки и кондуктивно охлаждаемый3 + активный элемент 2 иэ АИГ:Ы .Отра жатель выполнен из ситалловых пластин 3, соединенных металлическими ,прокладками 4, связанных с активным элементом 2 и корпусом 5, причем суммарная площадь поверхности прок - 20 ладок Б и площадь ситалловых пласттин Б, образующих полость отражате ля, связаны соотношением 0,08 (.ь-(О 2,Б 25Металлические прокладки 4 изготавливались из индия, Прокладки 4 расположены симметрично относительноплоскости, проходящей через ось ак".тивного элемента 2 и лампы 1 накачки.В конкретном примере выполненияактивный элемент 2 располагается вдержателе б из прозрачного телепроводного материала, а лампа накачкиконтактирует с отражателем, Контактосуществляется путем прижатия лампы1 накачки к ситалловым пластинам 3.Диффуэно-селективное отражение ситалла обеспечивается -эа счет температур 40ной обработки,После обработки ситалл обладаетвысоким коэффициентом отражения вполосах накачки активного элемента ивысоким поглощением в инфракраснойобласти,. в частности прй длине волны падающего излучения вьппе 0,9 мкм,При обработке ситалл сохраняет высо-кую термическую стойкость и низкуютеплопроводность, что обеспечиваетотсутствие вредного нагрева эа счеттеплопроводности активного элементаЪот отражателя,В процессе работы тепло, выделяемое в активном элементе 2, отводитсячерез держатель б и прокладку 4 ипередается корпусу 5. Уменьшениетеплопритока от лампы 1 накачки путем отвода тепла теплопроводностью О 2через контакт к корпусу 5 и поглощением излучаемой. части тепла поверхностями пластин 3 с последующей отдачей корпусу 5 позволяет повыситьэффективность отражателя путем увеличения плотности упаковки, что обеспечивает повьппение мощности излучения лазера,Опгимальный размер прокладок выбирается иэ указанного соотношения между суммарной площадью поверхности прокладок Б и площадью ситалловыл пластин Б. граничецие сниэ) связано с увеличением температур активного элемента и снижением эфронБтивности, Уменьшение-(- с О.(.Бдо 0,04 ведет к снижению эффектив ти на 153, в то время как пр Бь0,08 эффективность практичес./ ки не меняется. Ограничение сверху связано с увеличением поглощения поверхностью прокладки излучения лампы накачки, Эксперимент показал, чтоБувеличение в "с 0,2 до 0,3 ведет к снижению эффективности на 123, вБь гто время как при -. (,) 2 эффективуность практически не меняется,Квантрон, содержащий корпус, плотно упакованные отражатель, по крайней мере одну лампу накачки и кондуктивно охлаждаемый твердотельный активный элемент с теплоотводом по поверхностям, расположенным симметрично относительно плоскости, проходщей через оси лампы накачки и активного элемента, о т л и ч а ю/ щ и Й с я. тем, что, с целью повьппения мощнОсти излучения, отражатель выполнен из материала с низкой теплопроводностью и диффузно-селективным отражением в виде двух ч:астей, соединенных в месте касания с активным элементом металлическими прокладками,кондуктивно связанными с активнымэлементом и корпусом, причем суммарная площадь поверхности прокладокЯи площадь поверхности отражателя Б связаны соотношением