Ждан

Номер патента: 1199153

Опубликовано: 07.06.1986

Авторы: Гуляев, Ждан, Пономарев, Сульженко

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, полупроводник-диэлектрик, раздела, состояний, характеристик, электронных

...фиг.1 показана зависимостьамплитуды тестового сигнала от напряжения смещения, на фиг.2 - зависимость плотности электронных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик от величины поверхностного потенциала полупроводникагде о - заряд электрона;К - постоянная Больцмана;Т - температура измерений0 - амплитуда тестового сигнала,"П - напряжение смещения;И - плотность электронныхсостояний на границераздела полупроводник-диэлектрик;9 - поверхностный потенциал5полупроводника .Пример реализации способа.Определяют характеристику электронных состояний на границе с раздела полупроводник-диэлектрик в структуре метал-диэлектрик-полупро" водник (МДП) в виде функции плотности электронных состояний в зависимости от величины...

Номер патента: 1168019

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Ждан, Омельченко, Рыльков, Синкевич

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, подвижности

...быть использовано для контроля параметров полупроводников, в частности для определения дрейфовой подвижности носителей заряда.Цель изобретения - повышение точности, оперативности и обеспечение неразрушающего контроля.На фиг. 1 приведена схема реалиэа ции способа; на фиг. 2 показаны зонные диаграммы структуры полупроводник - диэлектрик для случая Ч т 01 на фиг. 3 " для случая 7 (О наЯУ фиг. 4 показана зависимость переходного тока 1 от времени 1.На фиг. 1 приняты следующие обозначения; генератор 1 импульсов, выходное сопротивление 2 генератора импульсов, источник 3 постоянного смещения, металлический электрод 4, диэлектрик , полупроводник 6, коллекторный электрод 7, входное сопротивление 8 измерительного прибора.На фиг. 2 и 3 приняты...

Номер патента: 1198034

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Бовкун, Гичев, Ждан, Коркодола, Кулагин, Перевязко, Розенгарт, Сулима, Федоров

МПК: C04B 2/10

Метки: извести, производства

...наиболее тонких частиц, а привремени подачи более 35 мин температура поверхностных слоев даже наиболее массивных кусков достигает темпе.ратуры продуктов сгорания. Таким образом, оптимальное время подачи продуктов сгорания в интервале 8-35 мин.Начальный расход продуктов сгорания в каждой подаче должен составлять 0,1-0,4 от конечного максималького расхода. При расходе менее 0,1 35от максимального расхода интенсив"ность внешнего теплообмена (от продуктов сгорания к поверхности кусков)превалирует. над внутренним теплообменом (внутри куска), что с точкизрения зффиктивности использованиятепла продуктов сгорания являетсянецелесообразным. При расходе более0,4 от максимального расхода наоборот внешний теплообмен значительно 45превышает по...

Номер патента: 1182242

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Веденеев, Ждан, Козлов, Панков, Панченко

МПК: F25D 3/10

Метки: вакуумный, криостат

...часть помещенав жидкий хладагент, находящийся в сосуде Дьюара, и заполнена твердым адсорбентом 11, обеспечивает как откачку выделяемых при испытаниях газов и поддержание в вакуумной камере необходимого для исследования давления, так и теплоизоляцию каждого хладагента в кольцевом зазоре между магистралью 6 и трубопроводом 5, уровень заполнения которого определяется заглушкой 13 и сквозным отверстием 7.Данное устройство позволяет регулировать температуру по линейному,квадратичному, ступенчатому законами позволяет достичь температур значительно ниже 77 К. Минимальная рабочая температура криостата - 8 К не зависит от уровня жидкого хладагентав сосуде Дьюара. За счет улучшениятеплоизоляции и возможности сборагазообразного хладагента, а...

Номер патента: 1167207

Опубликовано: 15.07.1985

Авторы: Гичев, Ждан, Коркодола, Кулагин, Перевязко, Розенгарт, Сулима

МПК: C21C 5/38, F27D 13/00

Метки: газа, конвертерного, тепла, утилизации

...с дымососом 22 и дымовой трубой 23. Гаэоход 20 снабжен регулировочным клапаном 24. Выходные участкигаэоходов 9 и 10 совместно с участками гаэоходов 20 и 21 образуют обводный газоход,Охладитель 18 конвертерного газасоединен газоходом 25 с газоочисткой 26, которая при помощи газохода 27 с регулировочным клапаном 28 сообщена с дымососом 22 и дымовой трубой 23,Разгрузочный бункер 17 при помощитечки 29 через отверстие 30 в стенке нижней части охладителя .18 конвертерного газа сообщен с полостью конвертера 31,Предлагаемая установка работает следующим образом.В период продувки конвертера 31 реторта 1 находится в вертикальном положении, а ее торцы 12 состыкованы с.открытыми торцами 11 выходных участков гаэоходов 9 и 10. Уплотнители 13...

Номер патента: 1115138

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Александров, Базарный, Веденеев, Гуляев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: холла, эдс

...последовательно соединенные умножитель 3 и делитель 4 частоты, ключ 5, выход которого через усилитель 6 подключен к ктоковым контакта образца 7, находящегося в переменном магнитном поле - в зазоре магнита 1, к холловым зондам образца подключен измерительный прибор 8, управляюгций вход ключа 5 соединен с выходом элемента 9 сравнения мгновенной фазы магнитного поля, связанного с валом 2 двига 10 15 20 25 30 35 40 45 теля, на управляющий вход элемента 9 сравнения подается заданное значание начальной фазы 5 О магнитного поля. Умножитель 3 частоты выполнен в виде дискового обтюратора 10, по одну сторону которого размещен источник 11 света, по другую - фтоприемник 12,Устройство работает следующим образом.Образец 7 находится в переменном...

Номер патента: 1104342

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Александров, Базарный, Гожая, Ждан, Панченко

МПК: F25D 3/10

Метки: криостат

...хладагента, выполненную из материала с высокой теплопроводностью. Участок трубки 6, размещенный в сосуде 4 Дьюара, имеет С-образную форму и нижняя часть его расположена ниже предполагаемого уровня жидкости в сосуде 4. При этом восходящий участок трубки 6 заключен в соосно с ним расположенную теплоизоляционную трубку 7, закрытую в верхней части крышкой 8. На этом участке трубки 6 ниже крышки 8 выполнено по крайней мере одно капиллярное отверстие 9 для сообщения кольцевого зазора 10 между соосными трубками 6 и 7 с по. лостью трубки 6, причем пропускную способность капиллярных отверстий 9 выбирают меньшей, чем пропускная способность трубки для подвода газообразного хладагента 6. Например, для одного из случаев реализации были выбраны...

Номер патента: 1095115

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Веденеев, Ждан, Кабыченков, Сульженко, Шафран

МПК: G01R 31/26

Метки: мдп, параметров, пограничных, состояний, транзисторах

...при определении спектра"мелких" ПС, а именно низкое энерге- ,тическое разрешение дЕ и большаяпогрешность при определении плотнос-,ти мелких" ПС, М (Е).Цель изобретения - увеличениечувствительности способа.Указанная цель достигается тем, что согласно способу определения параметров пограничных состояний в МДП- транзисторах, включающему охлаждение транзистора, измерение зависимости тока стока транзистора от напряжения смещения нри фиксированном значении напряжения исток-сток и определение спектра пограничных состояний расчетным путем, транзистор охлаждают до температуры ТдЕ/4 К, одновременно с измерением зависимости тока стока от напряжения смещения измеряют зависимость скорости возрастания тока стока от этого напряжения,...

Номер патента: 1072144

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Гольдман, Ждан, Маркин, Сульженко

МПК: H01J 1/308, H01J 9/42

Метки: автокатодов, параметров, поверхности, полупроводниковых, состояний, электронных

...восстановление таким путем функции М ( Е) либо не всегда возможно, либо приводит к большим ошибкам, свойственным измерениям очень малых токов. Кроме того, необходимость использования спектрометра автоэлектронов усложняет и удорожает эксперименты, а также делает их очень трудоемкими и не- оперативными,так как для нахождения Мз(Е 1 требуется определять зависимость энергетического спектра автозлектронов от напряженности внешнего поля в широком интервале полей. Таким образом, недостатками известного способа определения М ( Е) являются сложность, трудоемкость, неоперативность и недостаточная точность, в частности низкое энергетическое разрешение,Цель изобретения - повышение разрешающией способности и точности измерений, а...

Номер патента: 1065317

Опубликовано: 07.01.1984

Авторы: Гуревич, Ждан

МПК: B65G 51/06

Метки: патрон, пневмопочты

...и смонтированную на его заднем торце уплотнительную манжету, выполненную в виде усеченного полого конуса с прорезями 1). 10Однако прорези в известном патроне выполнены в радиальных плоскостях, поэтому при износе манжеты ради. ально расположенные прорези уже превращаются в,щели, увеличивающиеся 15 по мере увеличения хвостовой части, что приводит к увеличению расхода транспортируемого воздухаЦель изобретения - снижение энергетических затрат. 20Эта цель достигается тем, что в патроне пневмопочты прорези выполнены в плоскостях, касательных к окружнос ти основания внутренней поверхности конуса. 25На Фиг. 1 изображен патрон, разрез; на Фиг. 2 - вид А на фиг. 1.Патрон пневмопочты содержит корпус 1 и уплотнительную манжету 2, которые...

Номер патента: 1061080

Опубликовано: 15.12.1983

Авторы: Драчев, Ждан, Христов

МПК: G01R 33/12

Метки: импульсных, магнитных, параметров, сердечников

...бло.ка 9 обработки результатов измере ния, Н элементов 10 выводов кода,К входов которого подключены к третьим К выходам соответствующего Мгенератора 7 опорного ступенчатоизменяющегося напряжения, а выходысоединены с третьим входом блока 9,обработки результатов. измерений, М эадатчиков 11 конца эоны стробирования, входы которых соединеныс вторым выходом генератора 2 импульсов тока, а выходы - с входамисоответствующих Й компараторов 8,. М задатчиков 12 уровня, выходыкоторых подключены к четвертым входам соответствующих К стробируемыхпреобразователей 5, й задатчиков 13начала зоны стробирования, входыкоторых соединены с соответствующимивторыми выходами М генераторов 7опорного ступенчато изменяющегосяЭнапряжения, а выходы - с вторыми 35...

Номер патента: 791124

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Батавин, Гуляев, Жаворонков, Ждан, Сандомирский, Ченский

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках, примеси

...Сп шийс тели возб лучением по п. м, чт ют эл,отличаюнеосновные носкктромагнитным иэ(54)(57) 1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯКОНЦЕНТРАЦИИ ПРИМЕСИ И ПОДВИЖНОСТИНОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВдДНИКАХ, основанный на измерении электропроводности, напряжения Холла и определении концентрации примеси и подвижности носителей расчетным путем,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, сцелью повышения точности, образец перед 3. Способ по п.ш и й с я тем, чтовозбуждают корпуску4. Способ по п,щ и й с я тем, чтовозбуждают электрич лича юовные носитеизлучением л ича ю вные носител полем. еоснярнымо теосноским и,80791124 где К постоянная Больцман заряд электрона: Ч - высота равновесного ного барьера в иссле образце ф791124 Фректор А. Ференц . ктор О. Юркова Техред ВЯалек раж...

Номер патента: 1043439

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веденеев, Гожая, Ждан, Клочкова, Панченко, Федоров

МПК: F25D 3/10

Метки: криостат

...которой сообИзвестен вакуумный криостат, содержащий рабочую камеру, сообщенную систочником подани холодильного агента и На чертеже изображен предлагаемыйснабженную нагревателями. Охлаждение 1 п криостат, разрез.образца в этом устройстве происходит, . Криостат соцержит вакуумную камеза счет протока хлацагвнта по стенкамрабочей камеры 1 .Недостатком этого криостата являеэ воцностью (например, из меди), и обся то, что минимальная рабочая темпера 15 разцом 3, расположенную на транспорттура в них намного выше исходной темпе- ном сосуде 4 Дьюара с жидким хлацратуры жидкого хлацагента. Кроме того, . агентом (например, азотом), трубку 6иэ.еа отсутствия непосредственного коимдля поцвода газообразного хлацагвнта,такта образца со стенками...

Номер патента: 1034093

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Ждан, Кульварская

МПК: H01J 1/14

Метки: термоэлектронной, эмиссии

...1 затрудняет получение безбарьерного контакта к эмиссионному покрытию, так как работы выхода металла керна Ф (И 1, Мо и др.) лежит, как правило, в пределах 4-5 эВ.Термоэмиссионная способность катода будет определяться не работой выхода покрытия Ч, а высотой контактного барьера между полупроводниковым покрытием и керном. Следовательно для увеличения токоотбора с катода необходимо уменьшить высоту контактного барьера. Эффективное понижение высоты барьера может быть достигнуто путем подсветки катода от постороннего источника света. При осуществлении подсветки со стороны полупроводникового эмиссионного покрытия (например, через отверстие в аноде) должно быть наложено определенное ограничение на энергию квантов облучающего катод света, а...

Номер патента: 961501

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Александров, Веденеев, Ждан, Маркин, Никитин, Тестов

МПК: H01L 21/66

Метки: холла, эдс

...постоянный магнитзакреплен на валу, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный ток выполнен в виде дискового обтюратора, по одну сторону которого1801 ффлуктуации раэностной частоты Я сос- тавляют 3 96размещен источник света, а но другуюфотоэлемент, подключенный к входу делителя частоты, выход которого под-.ключен через усилитель к токовым элек-тродам образца,На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство для измерения ЭДС Холла исследуемого образца 1 содержитпостоянный магнит 2, дисковый обтюратор 3, источник света 4, фотоэлемент5, делитель частоты 6, усилитель 7,токовые электроды 8 образца, холловскиеэлектроды 9 образца, измерительный селективный усилитель 10.Устройство работает следуюшим образом.При...

Номер патента: 870889

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Гавриленко, Ждан, Захаров, Мазов, Мицельмахер, Онищенко, Салий

МПК: F27B 21/00

Метки: сыпучих, термообработки

...через центральный нижний газопровод 4, огибает керн 6, проходит через слой сыпучего материала и выходит в газоотвод 8. Проходя через слой сыпучего материала, конверторный газ нагревает его до высокой температуры, при этом также проходят химические превращения (обжиг известняка) . Кроме того, выдуваемые из конвертора пылевидные частицы окислов железа частично оседают на поверхности кусков сыпучего материала и снова возвращаются в конвертор в связанном состоянии. Термообработанные сыпучие материалы при вращении корпуса 12 устройства 3 для сбора термообработанных материалов с разгрузочной тарели 5 с помощью сбрасывателя 36 через окно 30 в желобе 24 попадают в накопитель 31. Накопитель имеет съемную переднюю стенку 32 для удобства...

Номер патента: 784643

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Гольдман, Гуляев, Ждан, Приходько, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: границе, параметров, пограничных, раздела, состояний, твердых, тел

...от концентрации заполненныхпограничных состояний, В результатев области напряжений, н которой происходит интенсивное доэаполнение пограничных состояний высота барьерадля прямого тока Ф, фиг, 16) слабозависит от напряжения, а поэтому наВАХ контакта будет наблюдаться область кназинасьщения обусловленнаядозаполнением пограничных состояний.Если при некотором напряжении О + пограничные состояния из данного энергетического интервала будут полностью заполнены, то при 0 7 ОфВАХ изменит свой характер на экспоненциалный, и ток 1 будет пропорционаленЕсли при дальнейшем росте напряжения уровень Ферми попадает н область пограничных состояний из другой, более мелкой энергетической группы, то на ВАХ может возникнуть аналогичная область...

Номер патента: 824335

Опубликовано: 23.04.1981

Авторы: Дмитриев, Ждан, Кульварская, Сабликов

МПК: H01J 1/14

Метки: катод, термоэлектронный

...эмиссии и срока службы катода, непосредственно с ней связанного (повышение эффективности позволяет снизить рабочую температуру катода, повысив, тем самым, 65 срок его службы за счет уменьшенияинтенсивности процессов. деградации(диффузия, испарение и пр.) экспоненциально зависящих от температуры,необходимо уменьшить эффективный барьер Чф .Этого можно достичь, введениеммежду керном,и активным покрытиемтуннельнотонкойдиэлектрической (полупроводниковой) прослойки, не лимитирующей поступления электроновиз керна в покрытие, но принимающейна себя части контактной разностипотенциалов между керном и покрытиеми уменьщающей, тем самым, эффективный контактный барьер Чф,Сказанное. поясняется зонной диаграммой, приведенной на фиг3, где6 - толщина...

Номер патента: 813530

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Гуляев, Дмитриев, Ждан, Кульварская

МПК: H01J 1/14

Метки: катод, термоэлектронный

...как за счет уменьшения х, так и за счет уменьшения .При активировании происходит восстановлен) окисла металлом керна или введенными него присадками (51, А 1, %, Мд, 2 г, Ва и др.) с образованием стехиометрического избытка металла окисла (или вакансий кислорода), которые служат донорами в окисной системе, обуславливая смещение уровня Ферми к дну зоны проводимости, т. е. уменьшение Я . Одновременно в результате диффузии образовавшихся избыточных атомов к поверхности происходит понижение х за счет образования на поверхности окисла электроположительного двойного слоя.Достигаемая в результате активирования сравнительно низкая работа выхода катод- ного материала ( 1,3 - 1,4 эВ для оксидного катода (Ва, Г, Са) - О при т = = 600 - 700" К) зд...

Номер патента: 813529

Опубликовано: 15.03.1981

Авторы: Гуляев, Дмитриев, Ждан, Кульварская

МПК: H01J 1/14

Метки: катод, термоэлектронный

...определяется соотношением 40Ч =- ф --+ 1; = Ф - х,где ф- - работа выхода металла. Следовательно, например, в случае 1 Х 11 (Ф = 4,8 эВ)или Мо (ф = 4,27 эВ), согласно этому соотношению, величинабудет составлять45",Ь 3,5 эВ (считая, что х лля оксидного катодаравно - 0,3 эВ), т. е. электронная эмиссиякатода будет лимитироваться не работойвыхода эмиттируюшей поверхности 8, авысотой контактного барьера У 5 (фиг. 3),которая и будет определять эффективность 0эмиссии.Резервом повышения эффективностиэмиссии термоэлектронного катода являетсясоздание условий для понижения контактного барьера между керном и покрытием, уменьшение вероятности образования запорногоконтакта, ограничивающего поступлениеэлектронов из керна в активное термоэмиссионное...

Номер патента: 808539

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Деревянко, Ждан, Мазов, Махнюк, Проскуряков, Резун, Салий, Соловьев, Фоменко

МПК: C21C 5/46

Метки: ввода, вконвертер, фурмы

...эффективность продувки.Цель изобретения - повышение эффективности процувки за счет придания фурме кругового движения.Поставленная цель достигается тем,что устройство снабжено тремя вертикальными кривошипами, оси которых шарнирнозакреплены на каретке, а шипы шарнирнозакреплены на фурме, при этом один изкривошипов кинематически связан с механизмом поворота, установленным на каретке.На фиг. 1 изображено устройство, общий виц; на фиг. 2 - вид на каретку с фурмой со стороны направляющей.Устройство для ввода фурмы в конвертер содержит направляющую 1 с двумя парами параллельных рычагов 2, установленных шарнирно на неподвижном основании, причем одна пара рычагов 2 соединена с приводом 3 перемещения направляющей. В направляющих установлена с...

Номер патента: 764009

Опубликовано: 15.09.1980

Авторы: Ждан, Лушников, Россуканый, Ченский

МПК: H01J 40/16

Метки: фотоэлектронной, эмиссии

...в полупроводнике на величину у ров "ЕРр Обычно Щсоставляет несколько десятых долей электронвольта. Таким образом, электронное сродство полупроводника в статическом поле понизится относительно уровня Е е в .объеме на величину равновесного изгиба зон М равнЕсли поле сделать высокочастотнымпричем таким, чтобы его обратная частота 1/1 была меньше времени максвелловской релаксации в полупроводнике Г то оно будет свободно проникать в объем полупроводника, что приведет к значительно большим изгйбам зон. При обогащающем знаке поля зоны в полупроводнике изгибаются вниз, вызывая соответствующее понижение уровня вакуума, т.е,электронного сродства. Очевидно, что,изгиб зон, а следовательно, и электронное сродство будут "следить" за мгновенными...

Номер патента: 591087

Опубликовано: 29.02.1980

Авторы: Ждан, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

...юбразец от пути прохождения падающим пучком слоя воз духа толщинюй Х. При люстоянной величине потока частиц Ф и постоянной скорости перемещения образца, неравномернюсть концентрации внедренных ионав обусловлена только, изменением величины сИИХ. Функцию й=/(Х) определяют численным методом по кривым пробег - энергия для воздуха и материала облучаемото образца. На всем интервале, июключая толыко граничные участки, она имеет линейный ха. рактер, т. е. И/дХ = оопз 1, иоэтому усло. вие равномернюсти насыщения пю глубине образца выполняется.Для получения равномерного ионного летиравания по всей толщине облучаемого образца, плоский образец:раьномерно пере мещают вдоль направления пучка в пределах от лолного пробега ионов в вюздухе, когда ионы не...

Номер патента: 700096

Опубликовано: 30.11.1979

Авторы: Браудо, Ждан, Жигалова, Иванова, Кислова, Куйбышев, Страшненко, Толстогузов, Чимиров

МПК: A23L 1/34

Метки: жареного, искусственного, картофеля, приготовления

...имеет покоробленную поверхность, что снижает его товарные свойства по сравнению с натуральным 25 жареным картофелем.Целью изобретения является упрощение технологии.Для достижения поставленной цели в качестве соли кальция вводят соль, имеющую лористый кальцийлористый натрийльгинат натрияухое молокоартофельная круптовой смеси добав, смесь гомогенизгФормуют смесьой 0,5 - 1,5 см, режи длиной 3 - 10 сми толщиной 05 - 1агретом масле при150 С в течение 5гм е р 2. Готовяследующего состав700096 Картофельный крахмалМука кукурузнаяСухое молокоВитамин ССорбиновая кислотаПерецБелок сои 5,0 15,0 25,0 0,5 0,1 0,1 1,0 0,4 4-,0 0,8 30,0 5,0 5,0 20,0 28,0 6,0 0,2 0,3 0,1 0,2 Составитель В, Ершова Текред А, КамышниковаКорректор С. файн Редактор Е. Дайн...

Номер патента: 647692

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Горобьев, Ждан, Луштак, Плешкова, Протопопов

МПК: G06F 17/18

Метки: скользящего, среднего

...с выхода 1 синхронизации с дав чиком во входную ячейку сдвигающего регистра 3 через равные интерввпы времени ., причем 1,И "АТ. В промежутках между этими моментами выход регистра 3 через ключ 2 соединен с собственным входом, и информация, содержащаяся в регистре, циркулирует в нем, совершая за времЮЯопных 11 оборотов.Средняя частота импульсов на выходе регистра при этом равна;п 811 пИ 11ЗЬ 1 Х гц где П 1 -число единиц". в регистре, пропорционапьное среднему эначен 1.ю измеряемого параметра эа время ЬТ Член (ф 1) в формупе означает, что ин формация будет допопнитепьно продвигаться на один разряд (шаг) вперед (при +1) ипи отставать на один раэряд (при -1).Чиспо ячеек в регистре сдвига рав но И и выбирается, исходя иэ допустимой...

Номер патента: 565205

Опубликовано: 15.07.1977

Авторы: Архипов, Елинсон, Ждан, Мессерер, Сандомирский

МПК: G01B 7/16

Метки: деформаций

...объектов, длительно сохраняющееся после выключения внешнего возбуждения (например, фотоактивного освещения),увеличивающего проводимость объектов. Характерные времена сохранения состояния ЗП5 составляют 10 - :10 сек. Это состояние крайне чувствительно к воздействиям, изменяющим параметры макроскопических потенциальных барьеров в полупроводнике, обусловленных наличием границ кристаллитов,10 дислокаций, конгломератов примесей и т. д.,при этом тензочувствительность полупроводника существенно зависит от величины проводимости в состоянии ЗП.На чертеже для температуры жидкого азо 15 та показана типичная экспериментальная зависимость коэффициента тензочувствительности к относительной деформацией е дляпленки СдЬ, находящейся в состоянии...

Номер патента: 560700

Опубликовано: 05.06.1977

Авторы: Букатников, Вулых, Ждан, Затуловский, Иванковский, Коцюбенко, Мазов, Мицельмахер, Проскуряков, Пудиков

МПК: B22D 41/02

Метки: ковшей, набивки, футеровки

...подачи жидкого связующего материала, состоящей из насоса 11, дросселя 12, форсуцки 13 и зрубо. провода 14, Форсунка 13 установлена на передвижном регулцровочцом кронштейне 15, в фик. сированцом положении относительно рабочих орта. нов 7, 8. В состав устройства входят также зележка 16 и шаблон 17.Устройство работает следующим образом.Ковш с шаблонам 17 ставят на тележку 16, перемешают под устройство и центрируют. С помощью крацштейца 15 регулируют установку и цаклац форсуцки 13. Заправляют жидким связуюцим матерцалол 1 расходную емкость,9 и при необходимости вклю ают мепилку 10, Затем вклю. чают систему подачи о неупорцого заполнителя, привод поворотной платформы. привод питагеля, рабочие органы и набивают огнеупорный заполни. теь...

Номер патента: 541861

Опубликовано: 05.01.1977

Авторы: Алешин, Беспалов, Бодров, Дунаевский, Ерушенко, Ждан

МПК: C21B 3/08

Метки: барабан, наклонный

...при минимальном расходеводы и его самоочищения от накипи,Поставленная цель достигается тем,что внутри барабана с мелкокусковым абразивным материалом равномерно по длине обечайки устанавливают кольца, оборудованные коническими насадками, уширенными в сторону верхнего фланца, причемугол раскрытия конуса превышает в 1,5-2раза угол наклона оси барабана к горизонтальной плоскости,На фиг. 1 схематически изображен наклонный барабан, продольный разрез; нафиг, 2 - то же, поперечный разрез,Обечайка 1 барабана соединяет верхний2 и нижний 3 фланцы, цапфы которых опираются на подшипники 4, Через полую цапфу фланца 3 внутрь барабана введена труба 5 с отверстиями для подачи в барабанхолодной воды, В фланце 3 имеются отверстия 6 для выхода пара и...

Номер патента: 538821

Опубликовано: 15.12.1976

Авторы: Вулых, Ждан, Затуловский, Звижулев, Коцюбенко, Крамер, Куликов, Мазов, Онищенко, Проскуряков, Пудиков, Харитонов

МПК: B22D 41/02

Метки: ковшей, набивки, футеровки

...установлено несколько пескометов, раздельно смонтированных в направляющих с возможностью радиального и углового смещения.20 На фиг. 1 изооражено описываемое устройство, поперечный разрез; на фиг. 2 - разрез по А - А на фиг. 1; на фиг, 3 - поворотная платформа при установке одного дополнительного пескомета, вид сверху; на фиг. 4 - .25 поворотная платформа при установке двух дополнительных пескометов, вид сверху.Устройство содержит тележку 1 с установленным на ней ковшом 2 и портал 3 с рамой 4, к которой с помощью поворотного круга 5подвешена поворотная платформа 6, На раме смонтированы механизм поворота 7 поворотной платформы и диокопый питатель 8. Разгрузочные ножи 9 дискового питателя укреплены на поворотной платформе. Рама...

Номер патента: 505519

Опубликовано: 05.03.1976

Авторы: Ждан, Локоткин, Мицельмахер, Пудиков

МПК: B22D 41/02

Метки: ковшей, металлургических, футеровки, шаблон

...между головкой и кронштейном 14.В верхней части верхней секции 12 расположены горизонтальные упоры 2 и захваты 15.Внутри шаблона имеюгся лестница 16 ипроемы в ребрах жесткости.0 Горизонтальные установочные упоры 2,имеющие линейные шкалы, служат для центрирования шаблона по нижнему и верхнему поясу, вертикальные упоры 3 основания предохраняют шаблон от качания на неровно стях днища ковша, а вертикальные упорынижней опирающейся на основание 1 секции служат для фиксации положения оси сцентрированного шаблона. Связь секций между собой позволяет сцентрировать весь шаблон от носительно ковша, опирая его на шаровукопору сцентрированного по оси ковша основания 1, и облегчает отрыв шаблона от футеровки при его извлечении за счет возможности...