Рогозов

Номер патента: 1370777

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: буферный, каскад, л-типа

...срабатывания транзисторов 2, 4. Отпирание транзистора 4 приводит к эапиранию транзистора 3, Однако транзистор 5 не закроется, а будет поддерживаться в открытом состоянни транзистором 4 до прихода на вход устройства сигнала высокого логического уровня.Особенность работы устройства заключается в том, что коллекторный ток транзистора 3 на порядок больше коллекторного тока транзистора 4. Такое соотношение между токами можно получить путем задания требуемого соотношения между входными токами транзисторов 3 и 4, а также изменением коэффициентов их передачи (изменением площадей коллекторных областей). Поэтому в течение длительности короткого импульса, сформированного на коллекторе транзистора 3, базовый ток ВГИПИ Заказ 428/55Произв. попнгр....

Номер патента: 1370776

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/00

Метки: высоковольтный, логический, элемент

...с базой транзистора 7, коллектор которого через второй резистор 1 соединен с обш й шиной и подключен к базе третьего транзистора 12, эмиттер которого соединен с общей шиной, коллектор - свыходом и через элемент 13 нагрузкиподключен к шине 14 высоковольтного питания.Высоковольтный логический элемент работает следующим образом.При напряжении низкого уровня на входе 2 транзисторы 7, 10 закрыты и закрыт выходной транзистор инвертора1, выполненного по схеме с открытым коллектором. Транзистор 3 открыт, итоком через резистор 6 открыт транзис тор 12, через нагрузку 13 протекает ток.При изменении уровня входного напряжения с низкого на высокий переключение элемента происходит следующим образом,Сначала открывается транзистор 7, что обусловлено...

Номер патента: 1370041

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Масленникова, Пикулев, Рогозов, Салаев

МПК: B65H 29/24

Метки: плоских, стопу, укладки

...и закрепленный накорпусе с возможностью поворота в точках опоры, позволяет регулироватьнаправление струй сжатого воздуха и обеспечивать быструю и точную укладкув стопу мешков различной дпины, Накопитель 5 оснащен упором 7 и получает возвратно- поступательное движениев такт с выходом мешка 6. Опорная поверхность накопителя 5 закреплена подуглом 30-60 О к горизонтали (или вертикальной направляющей 4) с возможностью регулировки ее по высоте, чтопозволяет укладывать мешки разнойдлины, Опорная поверхность накопителя 5 выполнена с отогнутой верхнейкромкой на угол 30-90, что позволяет изменить направление струи воздуха, выходящей из укладывающего прижима 3 мимо уложенной стопы мешковво время подхода накопителя 5 к направляющей гребенке 4...

Номер патента: 1368976

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: согласования

...и 7 закрыты, соответственно закрыты и транзисторы 1 и 15. Открытый транзистор 13 задает базовый ток транзистора 2 и на выходе 19 устройства согласования формируется низкий уровень напряжения.При изменении уровня входного напряжения от низкого до высокого запирается транзистор 13. Током коллекторов транзистора 11 начинают отпираться транзисторы 3 и 7. Причем транзистор 3 отпирается быстрее, за счет большей площади первого коллектора транзистора 11 и соответственно большего тока перезаряда емкости база-эмиттер транзистора 3. Открытый транзистор 3 через диод Шоттки 5 бьг стро рассасывает избыточный заряд в базе транзистора 2 и запирает этот транзистор. Через резистор 6 протекает базовый ток транзистора 1, который открывается и заряжает...

Номер патента: 1345337

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Глоба, Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...коллектор транзистора16 соединен с шиной питания, то выходом устройства является эмиттер ина эмиттере сформируется выходноенапряжение низкого уровня,При поступлении на один из входовустройства сигнала низкого уровняоткрывается сначала транзистор 13а потом транзистор 1 О,Указанная последовательность отпирания транзисторов задается разными уровнями входного напряжения отпирания (О,о и Ц,1 ) этих транзисторов (также как и в прототипе задается задержка отпирания транзистора 10),Оз = Е - 1 вэоэ - 1-111 ВэоЕ-Б -11 ---- Рю ВзошлоБ810где Е - напряжение питания;- напряжение отпирания транзисторов 10 и 13;11 - напряжение отпирания диода,15 Задержка отпирания транзистора10 после отпирания транзистора 13обусловлена также большим...

Номер патента: 1345336

Опубликовано: 15.10.1987

Авторы: Рогозов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...резистор 7 " с базойп-р-п.-транзистора 4, первый коллекторкоторого через четвертый резистор 8 эсоединен с базой и-р-и-транзистора3, которая через третий резистор 9соединена с коллектором многозмиттерного транзистора 1, база которогочерез первый резистор 10 связана сшиной 12 питания, эмиттеры п-р-п-.транзисторов 3 и 4 соединены с общейшиной, первый и второй выходы 13 и14 подключены к коллектору и эмиттеру транзистора 2, второй коллектортранзистора 4 и второй дополнительный коллектор транзистора 3 соедине.ны с первым и вторым дополнительнымивыходами 15 и 16.Разностный элемент работает следующим образом.В статическом режиме транзистор2 закрыт, и на выходах 13 и 14 высокий или низкий уроввнь напряжения взависимости от подключения транзистора...

Номер патента: 1338012

Опубликовано: 15.09.1987

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: H03K 19/091, H03K 3/29

Метки: д-триггер, интегральный, четырехзначный

...до прихода тактового импульса. Изменение входногосигнала не влияет на состояние триггера,С приходом тактового импульса устройство переходит в режим записи,Подача на транзистор 6 сигналавысокого логического уровня приводитк его отпиранию.С отпиранием транзистора 6 черезвремя задержки, равное времени срабатывания транзисторов 1 и 7 (транзистор 11 здесь выполняет функциюэлемента задержки, назначение которого будет пояснено ниже), происходитэапирание транзисторакоторый уже не отбирает с эмиттеровтранзисторов 8,9,10 токи, токи с40 эмиттеров указанных транзисторов отбираются через коллекторы входноготранзистора 5; так как транзистор 6насыщен, то происходит запирание всехтранзисторов 12-17 бистабильных ячеек,Обязательным условием...

Номер патента: 1335984

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...будут рагны единице 1 , поэтому с баз пороговых детекторов 7 и 11 будет отбираться ток, равный единице 1 , а так как в базы этих транзисторов инжектируются токи 0,51 то они закроются. Следовательно, на выходных шинах 18 и 19 будем иметь сигнал высокого логического уровня: 5=8,=1, 8=хУ,=О (так как х,=О), а Б =х, х, лу у =0 (так как х =0).Поэтому результат умножения двух частей (10) =2 , и (11), =3, равен (848 8,5)=(0110), -6 .Ес.пи все входные сигналы равны нулю: х,=х =у,=у=1, то пороговые детекторы 8 и 12 и отражатели 5,6,9, 10 тока будут закрыты (их коллекторные токи равны нулю), следовательно с баз пороговых детекторов 7 и 11 ток отбираться не будет. Поэтому транзисторы 7 и 11 откроются: Я=8,=8 =5 =-О.Аналогичным образом можно...

Номер патента: 1335982

Опубликовано: 07.09.1987

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/50

Метки: одноразрядный, сумматор-вычитатель

...транзистора 8, который откроется так как с его базы отбирает)ся 2 1 (его базовый ток равенО2,5 1,) . Отпирание транзистора 8 шунтирует выход транзистора 4 и на выходной шине суммы (разности) появится сигнал Я = М = О. С базы транзистора 6 будет отбираться один дискрет тока, поэтому он закроется (Р 4 = 1), транзистор 7 будет также закрыт, так как с его базы отбирается ток, равный 3 1, (2 а+ Ь, ). Закрытый транзистор 7 не будет оказывать влияние на состояние транзистора 9, поэтому он откроется ,так как с его базы отбирается ток,равный (а, + Ь,) двум дискретам.Открытый транзистор 9 приводит к появлению выходного сигнала заема Ч, =О, т.е. при а, := Ь, = 1; Р;(Ч;) = 0; М = Б = 0 Р = 1 Ч = О.5982 которого соединен с выходом переноми...

Номер патента: 1327286

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: согласования

...логического уровня. В этом случае п-р-п-транзистор 3 закрыт, п-р-и-транзистор 2 открыт, следовательно, р-и-р-транзистор 1 будет инжектировать ток. Закрытый и-р-и-транзистор 3 не влияет на состояние п-р-и- транзисторов 6 7 управление которыми осуществляется п-р-и-транзисторами 4 и 5. Предположим, что в начальный момент времени на информационный вход 12 подается сигнал высокого логического уровня. Следовательно, п-р-и-транзистор 4 будет насыщен, а и-р-и-транзистор 5 закрыт, поэтому и-р-и-транзистор 6 будет закрыт, а и-р-и-транзистор 7 . - открыт, на выходе 11 устройства установится сигнал низкого логического уровня, При появлении на информационном входе 12 сигнала низкого логического уровня, закроется л-р-и-транзистор 4, после чего...

Номер патента: 1290513

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: типа, уровня, эсл-и

...первом случае напряжение наэмиттере транзистора 1 меньше, чем13 ймакскэн сЬ.синр 2 мансгде Ун - максимальное напряжениенасыщения между первым коллектором и эмиттером транзистора 2.Реально, устойчивая работа (запирание) транзистора 9 обеспечивается при напряжении, близком к нулю напряжение на эмиттере транзистора2, В этом случае весь ток второгоколлектора транзистора 3 протекаетчерез базо-эмиттерный переход транзистора 1, а транзистор 2 заперт.Ток, задаваемый третьим коллекторомтранзистора 3, течет на базу транзистора 9, который формирует на выходе 10 устройства сигнал низкогоуровня,Если напряжение, поданное на эмиттер транзистора 2, меньше напряжения, поданного на эмиттер транзистора 1, то весь ток второго коллекторатранзистора 3...

Номер патента: 1287284

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/092

Метки: уровня

...4 О3 при превышении током нагрузки до- .пустимого значения, то в дальнейшемрассматриваем два режима работы устройства;В первом режиме сопротивление нагрузки находится В допустимых пределах (К- К и ), во втором - сопротивление нагрузки ниже допустимого зна чения Р"К о )Предположим, что Кг К, В этом 5 О,случае с появлением ка входе устройства сигнала "1" прежде всего срабатывает элемент И-НЕ 1, причем соотношение резистора 6 и входной емкости триггера 5 Шмидта по второмувходу надо обеспечить таким, чтобыпотенциал на первом входе триггера5 Шмидта 5 упал до уровня "О" до 84того, как потенциал на втором входевозрастет до уровня "1", Транзистор3 открывается током через свой база-эмиттерный переход и резисторы2 и 3, и через сопротивление...

Номер патента: 1277381

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: многофункциональный, структуры, цифровой, элемент

...12 напряжение высо" кого уровня - сигнал "1".При подаче на все управляющие входы 16 и 17 сигнала "1" состояние на выходе 12 зависит от изменения напряжения на сигнальном входе 15. При переходе этого напряжения от уровня "1" к уровню "0" током через резистор 14 и базоэмиттерные переходы транзисторов 10 и 11 отпирается транзистор 11 и формируется сигнал "0" на выходе 12. Отпирающий ток существенно возрастает за счет добавочного тока емкости нагрузки через транзистор 10 в базу транзистора 11.Данное увеличение базового тока и обуславливает возрастание нагрузочной способности элемента.Через некоторое время после отпирания транзистора 11 откроется и перейдет в режим насыщения транзистор 8, что вызовет запирание транзисторов 10 и 11, и на...

Номер патента: 1275744

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 5/00

Метки: биполярного, однополярный, сигнала

...НЕ-ИЛИ 8, ЗОвыход которого соединен с шиной 9синхронизации, а второй вход - с выходом первого элемента ИЛИ 4,Преобразователь работает следующим образом,При разности напряжений междувходами преобразователя, по модулюменьшей порога срабатывания входногокаскада, на выходах последнего присутствуют сигналы логической "1",На выходе синхронизации сформированлогический "О", а на информационномвыходе - предыдущее состояние КЯ"триггера, На входы устройства подаются противофазные сигналы, 45Возможны два варианта работы преобразователя: когда воздействиевходного сигнала вызывает появлениенулевого уровня на первом выхоцекаскада и когда воздействие входно 50го сигнала вызывает появление нуле"вого уровня на втором выходе входного каскада 1.В первом...

Номер патента: 1275738

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: H03K 3/286

Метки: тактируемый, типа, триггер

...в течение всей длительностиимпульса синхронизации, которая неограничена сверху, Так как транзистор 11 закрыт, то через свой коллектор он не отбирает ток, инжектируемый транзистором 7 в эмиттер тран -зистора 3, Поэтому в базу транзистора 2 инжектируется ток, равный 1а в базу транзистора 1 1,5 1По окончании тактового импульсатранзистор 5 открывается и закрывает транзисторы 4 и 8. Так как в базу транзистора 1 инжектируется больший ток, чем в базу транзистора 2,то транзистор 1 открывается быстрее,запирая транзистор 2. Изменение со столнил транзисторов 1 и 2 вызываетсоответствуюшее изменение состояниядополнительной бистабильной ячейки,транзистор 11 открывается, транзистор 10 закрывается. Следовательно, 5по окончании импульса...

Номер патента: 1272498

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...й с ятем, что, с целью расширения функ-циональных воэможностей и снижениявыходного напряжения низкого уровня, введены два р-п-р-транзистора ипятый резистор, причем эмиттеры первого и второго р-и-р-транзисторовсоединены с шинойпитания, база первого р-п-р-транзистора соединена спервым выводом второго резистора,второй вывод которого соединен санодами диодов и через четвертый резистор подключен к коллектору первого и базе второго р-и-р-транзистора, коллектор которого соединен с. база и-р-и-транзистора через пятыйрезистор соединена с общей шиной,катоды диодов подключены к входамИэЛемента, а эмиттер п-р-п-транзисто-,,ра соединен с дополнительным выходомэлемента, 27Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве...

Номер патента: 1269253

Опубликовано: 07.11.1986

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: схема, типа, четность

...пороговых элементов в их базы инжектируются токи на "0,5" дискре те меньше требуемого значенияВ эмиттеры переинжектирующих транзисторов 21-24 инжектируются такие значения тока, с учетом коэффициентов передачи по току, при которых их коллектор.45 ные токи равны двум дискретным, однако на чертеже считается, что их коэффициенты передачи по току равны единице. На фиг.2 приводится топологический чертеж фрагмента схемы; вклю чающий транзисторы 1, 2, 3, 13, 21, 16, 10, 19, 20 24 и 25.Схема контроля и четность реализует функцию четности в зависимости от значения контрольного разряда в 55 следующим образом1 при в = 1, Р = 1 при четном числе "1",Р = 0 при нечетном числе " 1" при В = 0 реализуется функция нечет- ности Р = 1 при нечетном числе...

Номер патента: 1262718

Опубликовано: 07.10.1986

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

...транзистора 1 и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй 30 резистор 8 включен между базой и эмиттером транзистора 3, коллектор и эмиттер транзистора 2 подключены соответственно к выходу 9 и дополнительному выходу 10, а эмиттеры много эмиттерного транзистора 1 соединены с входами 11 элемента,Разностный элемент работает слеДУющим образом,При поступлении на все входы 11элемента напряжений высокого уровня,током через резисторы 5 и 4 и переход база-коллектор запирается транзистор 2, Соотношение резисторов 4 45и ,8 выбирается таким образом, чтобы через время (длительность выходного импульса разностного элемента)открылся транзистор 3 и зашунтировалбаза-эмиттерный переход транзистора 502Заданная...

Номер патента: 1223362

Опубликовано: 07.04.1986

Авторы: Глоба, Папко, Рогозов, Самойлов

МПК: H03M 1/00

Метки: аналого-цифровой

...сравнения является алгебраическая разность между эталонным током (1 - коллекторный ток транзистора 7) и током обратной связи ( 1 - коллекторный ток транзистора 10)Ы= 1-1Если выполняется неравенство 1 1 то к значению входного тока 1,/2 добавляется ток1, который вызывает увеличение выходных токов транзисторов 8 и 10 а соответственно и уменьшение значения разности.Ь 1 , Если выполняется неравенство 1 ( 1 , тоопт из входного тока транзистора 9 вычитается значение Ь 1 , что приводит к уменьшению выходных токов транзисторов 8 и 10, а соответственно и уменьшению значения разности между сигналами Е, и 1Еслй 1 (,/2, то транзистор 4 открывается и полностью отбирает входной ток транзистора 9. В этом случае функцию формирования эталонного...

Номер патента: 1202049

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: входной, л-типа, транслятор

...снова сигнал низкого логического уровня, то при уменьшении входного тока третьего транзистора 5 на величину 1 последний закрывается. Поэтому начинается заряд входных емкостей шестого транзистора 7 инжектором, т.е. коллекторным током транзистора 10 через шестой транзистор 8. В результате через времяпятый транзистор 7 открывается. На выходной шине 9 устройства формируется сигнал низкого логического уровня. Отметим, что транзистор 4 выполняет функцию ограничителя входного тока третьего транзистора.5. Коллекторный ток второго транзистора 4 равен коллекторному току первого транзистора 2, так как эффективный коэффициент передачи токового повторителя на втором транзисторе 4 ра-вен единице (В,р = 1). Получение требуемого коэффициента...

Номер патента: 1174333

Опубликовано: 23.08.1985

Авторы: Бочарова, Булгаков, Рогозов

МПК: B65B 43/46

Метки: заполненных, захвата, мешков

...ось 18 может поворачиваться в боковых пластинах 2 и 3 корпуса 1. Пластины 21 и 22 для фиксирования траверсы соединены между собой рукояткой 23, оси вращения пластин 24 и 25 расположены в верхней части корпуса 1 симметрично относительно пазов 7 и 8. Высота пластин зависит от угла раскрытия зажимных осей. Пластины имеют форму треугольника, в основании 4 О которого имеется выемка. Крюк грузоподъемного механизма цепляют за кольцо траверсы. Горловина контейнера 26 заправляется на оси 4 и 17 (фиг. 6, показано стрелками). Пластины 21 и 22 за рукотку 23 45 выводятся из вертикального положения и за счет собственного веса устройства траверса 9 перемешается в верхнее положение выемка для взаимодействия с траверсой, при этом угол поворота пластин...

Номер патента: 1150626

Опубликовано: 15.04.1985

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/52

Метки: двоичный, двухразрядный, инжекционного, типа, умножитель

...коллектором девятого транзистора, второй коллектор которого соединен с вторым коллектором второготранзистора, второй коллектор пятого 5транзистора соединен с базой десятого транзистора, коллектор которого соединен с выходом второгостаршего разряда умножителя, входыстаршего и младшего разрядов первого операнда которого соединенысоответственно с базами первого идевятого транзисторов, а входы старшего и младшего разрядов второгооперанда - с базами второго и . 15третьего транзисторов соответственноэмиттеры всех п-р-и-транзисторовсоединены с шиной нулевого потенциала, первые коллекторы. второго,четвертого, пятого, шестого, седьмого, восьмого и одиннадцатого транзисторов, вторые коллекторы первогои третьего транзисторов и базы де,сятого...

Номер патента: 1140165

Опубликовано: 15.02.1985

Авторы: Гайворонский, Рогозов, Самойлов, Чернов

МПК: G11C 11/40

Метки: памяти, ячейка

...второго и - р - и ключевого транзистора последующего каскада ячейки памяти, база и коллектор блакировочного и - р - и-транэистора подключены к соответствующим обьеди- у йенньи коллекторам первого и второго и - р - й ключевых транзисторов. 4На фиг. 1 приведена электрическая принципиальная схема ячейки памяти для четырехуровневого входного сигнала; на фиг. 2 - функциональная схема устройства, поясняющая принцип ее работьц на фиг, 3 - временная диаграмма работы устройства,Ячейка памяти (фиг. 1) содержит многоколлекторный и - р - и-транзистор 1, связан тактирующий многоколлекторный и - р - и-транзистор 2,и - р - и-транзисторы 3, 4 и 5 связи, первые ключевые многоколлекторные и - р - и-транэисторы 6-9, вторые ключевые и - р -...

Номер патента: 1137462

Опубликовано: 30.01.1985

Авторы: Ерохин, Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/50

Метки: одноразрядный, сумматор-вычитатель

...соединенс выходом заема одноразрядного сумматора-вычитателя, эмиттеры р-и-р-транзисторов соединены с соответствующими коллекторами многоколлекторногор-и-р -транзистора, эмиттер которого .соединен с шиной питания одноразрядного сумматора-вычитателя, эмиттеры и-р-и-транзисторов и базы р-и-ртранзисторов, а также база многоколлекторного р -и-р-транзистора соединены с шиной нулевого потенциала одноразрядного сумматора-вычитателя,вторые коллекторы первого, второгои третьего ь -р-и-транзисторов соединены с базами тех же транзисторов,база четвертого и-р-и-транзисторасоединена с коллекторами второго итретьего р -и-р -транзисторов, коллектор пятого р-и -р-транзистора соединенс базои и первым коллектором пятогоь-р-п-транзистора, третьи...

Номер патента: 1132344

Опубликовано: 30.12.1984

Авторы: Ерохин, Рогозов

МПК: H03K 3/29

Метки: памяти, ячейка

...коллектор пятого транзистора связи - с базой пятого транзистора, дополнительный коллектор которого - с базой третьего транзистора, эмиттеры четвертого и пятого транзисторов связи - с соответствующими коллекторами опорного.и блокировочного транзисторов, коллекторы второго и четвертого транзисторов связи - с базами второго и четвертого транзисторов, соответствующие дополнительные коллекторы шестого транзистора - с базами первого и третьего транзисторов, а его база - с входной шиной.На чертеже представлена принципиальная схема предложенной ячейки,памяти.Ячейка памяти содержит два триггера с непосредственными связями, выполненные на первом и втором, третьем и четвертом транэисторах - 1-4, пятый, шестой и блокировочный транзисторы 5-7 типа р...

Номер патента: 1112533

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Глоба, Головченко, Рогозов, Срывкин

МПК: H03K 3/286

Метки: двоичный, делитель, типа, частоты

...р-п-р. транзисторов соединены соответственнос базами третьего н второго и-р 4-транзисторов, база третьего п-р-п-транзистора подключена к первому коллектору второго п-р-п-транзистора, второй коллектор которого соединен с базой четвертого п-р-п-транзистора, первый коллектор которого соединен с эмиттером перво.го р-п-р-транзнстора, эмиттер инжек тирующего р-п-р-транзистора соединен с шиной питания, а его соответствующие коллекторы - соответственно с эмиттерами р-п-р-транэисторов и базой первого п-р-и- транзистора,базы всех р-и-р- и эмиттеры п-р-п- транзисторов соединены с обшей шиной, второй коллектор четвертого и-р-птранзистора - с выходом устройства, введен пятый п-р-н-транзистор, база которого соединена с третьим коллектором...

Номер патента: 1109740

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Амирханов, Казинов, Криворучко, Рогозов

МПК: G06F 7/50

Метки: двоичный, инжекционных, сумматор, элементах

...соединен с шиной питания сумматора, а эмиттеры всех п-р-п-транзисторов и база миогокол 45 лекторного р-и-р-транзистора подключены к шине нулевого потенциала сумматора, который содержит также седьмой ь-р.-ь-транзистор, база которого соединена с вторым коллектором четвертого п-р-п-транзистора, а коллектор - с базой пятого транзистора23.Недостатком известного сумматора является сложность конструкции.Цель изобретения - упрощение55 конструкции сумматора.Поставленная цель достигается тем, что в двоичный сумматора на 740 1 инжекционных элементах, содержащийв каждом разряде шесть и-р- -транзисторов и многоколлекторный,р- ь-р -транзистор, причем базы и первыеколлекторы первого, второго и третьего, и---транзисторов соединеныс соответствующими...

Номер патента: 1095174

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Рогозов, Чернов

МПК: G06F 7/50

Метки: одноразрядный, сумматор, четырехуровневый

...ивходной шиной второго слагаемого сумматора, вторые коллекторы первого ивторого и-р-и транзисторов подключенык базе и первому коллектору р-и-ртранзистора, третьи коллекторы первого и второго П-р-П транзисторов под-,ключены к базе третьего О -р-и транзистора и к первому коллектору многоколлекторного р-п-р транзистора,коллектор третьего П-р-и транзисторасоединен с базой и первым коллекторомчетвертого И -р- П транзистора и подключен к второму коллектору многоколлекторного р-п-р транзистора, коллектор пятого О-р- П транзистора соединен с базой и первым коллекторомшестого П -р-П транзистора и подключен к третьему коллектору многоколлекторного р-П-р транзистора, вторыеколлекторы четвертого и шестого и-р-итранзисторов подключены к базе и...

Номер патента: 1078071

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Гефенидер, Лелеко, Мальзам, Нугаев, Плетнев, Рогозов

МПК: E21C 41/04

Метки: мощных, пластов, плывунами, разработки

...и может использоваТься при выемке мощных угольных пластов пб плывунныМи породами.Известен способ разработки мощных пластов, опасных по прорыву плывунов, предусматривающий их предварительное осуществление и в качестве защитных мероприятий., выпуск плывунов путем взрывания камерных зарядов 1.Недостатком данного способа является низкая эффективность и высокая трудоемкость выполнения.Известен способ разработки мощных пластов под плывунами, включающий слоевую отработку лавами с обрушением кровли позади рабочего пространства лавы 2.Недостатком известного способа является низкая трудоемкость его выполнения.Целью изобретения является повышение эффективности разработки путем снижения трудоемкости ведения работ.Указанная цель достигается тем, что...

Номер патента: 1067601

Опубликовано: 15.01.1984

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

МПК: H03K 19/088

Метки: выходной, каскад

...импульсов и найбольшей емкости нагрузки См . Соотношение номиналов первого и второго резисторов определяется соотношением выходного тока формирования фронта напряжения на нагрузке и токаформирования вершины выходного импульса напряжения. В цифровых логических элементах, магистральных усилителях величина выходного тока приформировании фронта импульса превышает величину тока вершины импульса на 2-3 порядка, такие же и соотношения номиналов первого и второго резисторов. В реальных устройствах длительность фронта в 10-20раз меньше периода выходных импульсов, поэтому средняя за период мощность Р 1 , потребляемая выходным каскадом в результате протеканиятока через первый резистор , в 1020 раз превышает мощность, потребляемую в результате...