Разностный элемент

СОВЕТСКИ ИСТИЧ ЛИН СОЮЗ СОЦИА Р 4 НОЗК 19 ИАНИЕ ИЗОБРЕТЕН И 37радиот ническии,И, Миксвяз А.Г., 1 цагурина. М,: Радиорис,4.30 а,НКЙ ЭЛЕМЕНТ относит жет испоя к имнулььзоваться ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ(57) Изобретениной технике и м в качестве элемента БИС ТТЛ-типа или отдельной ИС, формирующей выходной импульс по фронту нарастания входного сигнала. Цель изобретения - рас-, ширение функциональных возможностей. Разностный элемент содержит многоэмиттерный транзистор 1, транзисторы 2 и 3, резисторы 4,5, 7 и 8, шину 6 питания, выходы 9 и 1 О, вход 11. Расширение функциональных возможностей обеспечивается введением в устройство резистора 4 и организации новых электрических связей, Введенный резистор и новые связи позволяют формировать выходной .Импульс высоко- се о и низкого уровня по фронту арастания входного сигнала .1262718 1 О 40 ВНИИНИ Заказ 5446/58. Тираж 816 Подписное Произв,-полигр. пр-тие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к импульсной технике и может применяться вкачестве элемента БИС ТТЛ-типа или отдельной ИС, Аормирующей выходной импульс по фронту нарастания входного сигнала.Целью изобретения является расширение функциональных, возможностей разностного элемента за счет способности формировать короткие импульсы высокого и низкого уровня по фронту нарастания входного сигнала, а также возможности стыковки с входами расширения по ИЛИ ТТЛ схем. На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента.Разностный элемент содержит многоэмиттерный транзистор 1, первый и второй транзисторы 2 и 3, коллектор 20 многоэмиттерного транзистора 1 соединен с базой транзистора 2 и коллектором и-р-и-транзистора 3 через четвертый резистор 4, первый резистор 5 включен между базой многоэмиттерного транзистора 1 и шиной 6 питания, третий резистор 7 включен между коллектором многоэмиттерного транзистора 1 и базой транзистора 3, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй 30 резистор 8 включен между базой и эмиттером транзистора 3, коллектор и эмиттер транзистора 2 подключены соответственно к выходу 9 и дополнительному выходу 10, а эмиттеры много эмиттерного транзистора 1 соединены с входами 11 элемента,Разностный элемент работает слеДУющим образом,При поступлении на все входы 11элемента напряжений высокого уровня,током через резисторы 5 и 4 и переход база-коллектор запирается транзистор 2, Соотношение резисторов 4 45и ,8 выбирается таким образом, чтобы через время (длительность выходного импульса разностного элемента)открылся транзистор 3 и зашунтировалбаза-эмиттерный переход транзистора 502Заданная длительность обеспечивается также соотношением площадей эмиттерных переходов транзисторов 2 и 3и, соответственно, соотношением величин барьерных емкостей этих переходов.Таким образом, при поступлении на все входы 11 элемента сигналов единичного уровня происходит кратковременное отпирание транзистора 2,При соединении коллектора этого транзистора с шиной 6 питания транзистор 2 работает как эмиттерный повторитель и формирует в нагрузке импульс высокого уровня. Если эмиттер транзистора 2 соединить с общей шиной, то на коллекторе формируется короткий сигнал низкого уровня. Кроме того, коллектор и эмиттер транзистора 2 могут подключаться к входам расширения по ИЛИ ТТЛ элементов, что позволяет формировать короткий импульс низкого уровня на двухтактном выходе ТТЛ схем, имеющих входы для расширения функциональных возможностей с помощью функции ИЛИ.Разностный элемент может быть использован в трех режимах включения: для формирования короткого импульса высокого уровня, низкого уровня и для формирования короткого импульса на входах расширителей по ИЛИ. Формула и з обретения Разностный элемент, содержащий многоэмиттерный транзистор, два транзистора и три резистора, причем база многоэмиттерного транзистора через первый резистор соединена с шиной питания, эмиттеры - с входами элемента, коллектор первого транзистора подключен к выходу, база соединена с коллектором второго транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной и первым выводом второго резистора, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, в него введен четвертый резистор, включенный между коллектором многоэмиттерного транэисто" ра и коллектором второго транзистора, база которого соединена с вторым выводом второго резистора и через третий резистор - с коллектором многоэмиттерного транзистора, а эмиттер первого транзистора подключен к дополнительному выходу элемента.