Патенты с меткой «эсл-и»

Номер патента: 1290513

Опубликовано: 15.02.1987

Авторы: Рогозов, Сорокина, Тяжкун

МПК: H03K 19/091

Метки: типа, уровня, эсл-и

...первом случае напряжение наэмиттере транзистора 1 меньше, чем13 ймакскэн сЬ.синр 2 мансгде Ун - максимальное напряжениенасыщения между первым коллектором и эмиттером транзистора 2.Реально, устойчивая работа (запирание) транзистора 9 обеспечивается при напряжении, близком к нулю напряжение на эмиттере транзистора2, В этом случае весь ток второгоколлектора транзистора 3 протекаетчерез базо-эмиттерный переход транзистора 1, а транзистор 2 заперт.Ток, задаваемый третьим коллекторомтранзистора 3, течет на базу транзистора 9, который формирует на выходе 10 устройства сигнал низкогоуровня,Если напряжение, поданное на эмиттер транзистора 2, меньше напряжения, поданного на эмиттер транзистора 1, то весь ток второго коллекторатранзистора 3...