Буферный каскад и л-типа

(51) 4 Н 03 К 19/09 УДАРСТВЕННЫЙ НО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИ ЕТ СССР ОТНРЫТИ О САНИЕ ИЗОБРЕТЕН 1 Е,БИ 5 и(54) БУФЕРНЫЙ КА (57) Изобретение ной технике. Буфе содержит и-р-и-т жекционным питан щий и-р-и-транзи зистор 5, источи питания, вход 9 ние уменьшает по 1 ил..Н.Наухемы сСов. РаО. Бол цио Н А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВ 4083504/24-2102.07.8630,01.88. Бюл.Таганрогский радитут им. В,Д.КалмьЮ.И.Рогозов, С.ПП.Сорокина621.374(088.8)Авторское свидет6450, кл, Н 03 Каев Н.А., Дулиншие интегральныеным питанием. М.:с, 187, рис. 5 СКАД И Л-ТИПА относится к импульсг рный каскад И Л-тип ранзисторы 1,3 с инием, переинжектирую Ь стор 2, р-и-р-траник 7 тока, шину 8 и выход 10, Изобрете требляемую мощность.1370777 10 15 20 Тираж 928 Подписное Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для согласования уровней микросхем И Л-типа сг уровнем ТТЛ и ДТЛ схем.Целью изобретения является уменьшение потребляемой мощности.На чертеже приведена принципиаль 2 ная схема буферного каскада И Л-типа.Устройство содержит и-р-и-транзистор 1 с инжекционным питанием, переинжектирующий и-р-и транзистор 2, второй и-р-и транзситор 3 с инжекционным питанием, четвертый и-р-и транзистор 4, р-и-р транзистор 5, третий и-р-и транзистор 6, источник 7 тока, шину 8 питания, вход 9 и выход 10.Устройство работает следующим образом.Предположим, что в исходном состоянии на вход 9 подан сигнал высокого логического уровня, в этом случае транзистор 1 открыт, а транзисторы 3-6 закрыты. На выходе 10 имеем сигнал высокого логического уровня. Предположим, что на вход 9 подан сигнал низкого логического уровня, под действием этого сигнала транзистор 1 закрывается, что приводит к строму отпиранию транзисторов 3 и 5, Отпирание транзистора 5 вызывает поступление тока в базу транзистора 6, последний открывается через время задержки срабатывания транзисторов 2, 4. Отпирание транзистора 4 приводит к эапиранию транзистора 3, Однако транзистор 5 не закроется, а будет поддерживаться в открытом состоянни транзистором 4 до прихода на вход устройства сигнала высокого логического уровня.Особенность работы устройства заключается в том, что коллекторный ток транзистора 3 на порядок больше коллекторного тока транзистора 4. Такое соотношение между токами можно получить путем задания требуемого соотношения между входными токами транзисторов 3 и 4, а также изменением коэффициентов их передачи (изменением площадей коллекторных областей). Поэтому в течение длительности короткого импульса, сформированного на коллекторе транзистора 3, базовый ток ВГИПИ Заказ 428/55Произв. попнгр. пр-тне,25 30 35 40 45 50 55 транзистора 6 на порядок выше коллекторного тока транзистора 4 (так какв течение короткого импульса базовыйток транзистора 6 равен коллекторномутоку транзистора 3). Это позволяетуменьшить длительность спада выходного импульса. Таким образом, работа устройства разделяется на два подрежима; в первом формируется спад выходного импульса током, который выбирают исходя из максимального значения емкости нагрузки, во втором формируется постоянный уровень сигнала током, который является минимальным для поддержания низкого уровня выходного напряжения. Такое разделение работы схемы на два подрежима позволяет в несколько раз сократить потребляемую устройством мощность.Формула изобретения 2Буферный каскад И Л-типа, содержащий первый и второй и-р-и транзисторы с инжекционным питанием, база первого и-р-и транзистора соединена с входом, первый коллектор - с базой второго и-р-и транзистора, первый коллектор которого соединен с коллектором р-и-р транзистора, эмиттер которого соединен с шиной питания, змиттер третьего и-р-и транзистора соединен с общей шиной, а коллектор - к выходу, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, введены четвертый и-р-и и переинжектирующий р-и-р транзисторы, змиттер которого через источник тока соединен с общей шиной и подключен к второму коллектору первого и-р-и транзистора, база соединена с общей шиной, а коллектор подключен к базе и первому коллектору четвертого и-р-и транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, второй коллектор - с вторым коллектором и базой второго и-р-и транзисто-ра, а третий коллектор подключен к коллектору и базе р-и-р транзистора, дополнительный коллектор которого соединен с базой третьего и дополнительным коллектором первого и-р-и транзисторов. Улгород, ул. Гроектная, 4