Устройство согласования

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН 272 9/О ГОСУД ПО ДЕ АНИЕ ИЗОБРЕТЕСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ.Г., Шагурин а. - М.: Рад 4, рис2.33. др. Большие Н.И. о и пита97,инжекционным ое радио ВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССРИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ(54) УСТРОЙСТВО СОГЛАСОВАНИЯ (57) Изобретение относится к импульсной технике. Может быть использовано для согласования уровней цифровых устройств инжекционного типа с ТТЛ-уровнями магистралей коллективного использования. Цель изобретения - расширение области применения путем обеспечения высокоимпедансного состояния на выходе. Устройство содержит р-и-р-транзисторы 1,8, и-р-и-транзисторы 4,5,6,7. Для достижения поставленной цели в устройство введены инжекционные и-р-и-транзисторы 2,3. 2 ил.Изобретение относится к импульсной технике и предназначена для согласования уровней цифровых устройствинжекционного типа с ТТЛ-уровнями6магистралей коллективного использования.Цель изобретения - расширение области применения путем обеспечениявысокоимпедансного состояния на выходе для работы на магистраль колЛективного пользования.На фиг.1 приведена принципиальная электрическая схема устройствасогласования; на фиг.2 - пример функ- бционально-топологической схемы устройства согласования.Устройство согласования (фиг.1)содержит р-и-р-транзистор 1, четвертый инжекционный и-р-п-транзистор 2, 2 п(третийинжекционный и-р-п-транзисторЭ, второй инжекционный и-р-и-транзистор 4, первый инжекционный и-р-и- транзистор 5, первый и-р-и-транзистор 6, второй и-р-и-транзис тор 7, инжектирующий р-и-р-транзистор 8, эмиттер р-п-р-транзистора 1 соединен с шиной 9 питания, второй дополнительный коллектор и база р-и-ртранзистора 1 соединены с вторым коллектором и-р-и-транзистора 2, первый коллектор и база последнего объединены с третьим коллектором и-р-п-транзистора 3, база которого соединена с управляющим входом 1 О, а второй коллектор соединен с первым дополнительным коллектором р-и-р-транзистора 1, коллектором и-р-и-транзистора 5 и базой п-р-и-транзистора 7, коллектор последнего соединен с выхо б дом 11 и эмиттером и-р-и-транзистора 6, база которого объединеча с колпектором и-р-и-транзистора 7, коллектором р-и-р-транзистора , первый коллектором п-р-п-транзистора 3 и вто рым коллектором п-р-и-транзистора 4, база последнего подключена к информационному входу 12, первый коллектор и-р-и-транзистора 4 соединен с базой и-р-п-транзистора 5, коллектор и-р-и транзистора 6 соединен с первой шиной 9, а эмиттер р-п-р-транзистора 8 соединен с дополнительной шиной 13 питания, эмиттеры п-р-и-транзисторов 2 - 5, 7 и база р-п-р-транзистора 8 соединены с общей шиной, а соответствующие коллекторы р-и-р-транзистора 8 соединены с базами п-р-и-транзисторов 2 - 5. В режиме передачи информации на управляющий вход 1 О подается сигнал низкого логического уровня. В этом случае п-р-п-транзистор 3 закрыт, п-р-и-транзистор 2 открыт, следовательно, р-и-р-транзистор 1 будет инжектировать ток. Закрытый и-р-и-транзистор 3 не влияет на состояние п-р-и- транзисторов 6 7 управление которыми осуществляется п-р-и-транзисторами 4 и 5. Предположим, что в начальный момент времени на информационный вход 12 подается сигнал высокого логического уровня. Следовательно, п-р-и-транзистор 4 будет насыщен, а и-р-и-транзистор 5 закрыт, поэтому и-р-и-транзистор 6 будет закрыт, а и-р-и-транзистор 7 . - открыт, на выходе 11 устройства установится сигнал низкого логического уровня, При появлении на информационном входе 12 сигнала низкого логического уровня, закроется л-р-и-транзистор 4, после чего откроется и-р-и-транзистор 5. При эапирании п-р-и-транзистора 4, и-р-птранзистор 6 не откроется, т.е. не будет сквозного тока, так как ток, инжектируемый р-и-р-транзистором 1 в базу п-р-и-транзистора 6, будет отбираться коллектором и-р-п-транзистора 7, Только после запирания и-р-птранзистора 7 начнет открываться п-р-п-транзистор 6. Следовательно, по окончании укаэанного выше переход-,ного процесса на выходе 11 устройства установится сигнал высокого логического уровня. Если в следующий момент времени на. информационный вход 12 будет подан сигнал высокого логического уровня, то и-р-и-транзистор 4 откроется и лишь затем начнет закрываться п-р-и-транзистор 5, после чего начнет отпираться п-р-п-транзистор 7. Таким образом, и-р-и-транзистор 7 открывается после запирания п-р.-п-транзистора 6, что исключает сквозной ток в выходном каскаде,Если на управляющий вход 10 будет подан сигнал высокого логического уровня, то ток, который будет еще инжектироваться р-и-р-транзистором 1 (до запирания транзисторов 2, 1) будет отбираться коллекторами и-р-и- транзистора 3, следовательно, и-р-птранзисторы 6 и 7 закроются. На выходе 11 установится высокоимпедансное состояние.Заказ 3407/54 Тираж 901 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,4/5Производственно-полиграфическое предприятие,г,ужгород,ул.Проектная,4 з 132728 формула и з обре т е н и яУстройство согласования, содержащее первый п-р-п-транзистор, коллектор которого соединен с шиной питания и эмиттером р-п-р-транзистора, база5 с коллектором р-п-р-транзистора, а эмиттер - с выходом и коллектором второго п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база - с коллектором первого инжекционного п-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к первому коллектору второго инжекционного и-р-п-транзистора, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к информационному входу устройства, о т л и- чающее с я тем, что, с целью расширения области применения, в него введены третий и четвертый инжекционные п-р-п-транзисторы, эмиттерыкоторых соединены с общей шиной, база третьего инжекционного п-р-и-транзистора соединена с управляющим входом устройства, первый коллектор - свторым коллектором второго инжекционного п-р-п-транзистора, дополнительным коллектором второго и-р-п-транзистора и коллектором р-и-р-транзистора, первый дополнительный коллекторкоторого подключен к базе второгоп-р-п-транзистора и второму коллектору третьего инжекционного и-р-п-транзистора, третий коллектор которогосоединен с базой и первым коллектором четвертого инжекционного и-р-итранзистора, второй коллектор которого подключен к базе и второму дополнительному коллектору р-и-р-транэис