Разностный элемент

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИО ЛИСТИЧЕСНИХРЕСПУБЛИК1345336 ы) 4 Н 03 К 19/088 ГОСУДАРСТВЕННЫ ПО ДЕЛАМ ИЗОБР КОМИТЕТ СССРНИЙ И ОТНРЫТИЙ ПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ ЕЛЬСТ АВТОРСКОМУ(57)ной т во СССР88, 1985,к импульспользован ения логиес рмироваронту наИзобретеия в с Ж ас 12627184060609/24-2128,04.8615,.10,87, Бкл, Р 38Таганрогский радиотехтут им. В,Д.КалмыковаС,П,Тяжкун и Ю.И,Рого621.374 (088.8)Авторское свидетельст2718, кл, Н 03 К 19/ОРАЗНОСТНБ 1 Й ЭЛЕМЕНТИзобретение относитсяехнике и может быть иустройствах для выполй функции И, И-НЕ и фоыходного импульса пония входного сигнала,ние расширяет функциональные воэможности и обеспечивает повышение надежности работы разностного элементапутем устранения зависимости уровнявыходного короткого импульса и ослабления зависимости длительности этогоимпульса от длительности фронта входного сигнала. Устройство содержитмногоэмиттерный транзистор 1, транзисторы 2, 3 и 4 п-р-п-типа, резисторы 5-О, вход 11 устройства, шину 2питания, выходы 13 и 14, Устройстводополнительно реализует две логические функции И и И-НЕ, а также формирует выходной короткий импульс примаксимально допустимых длительностяхфронта входного сигнала, 1 ил,1 134Изобретение относится к импульсной технике и может применяться какэлемент для выполнения логическойфункции И,И-НЕ и формирования выход"ного импульса по фронту нарастаниявходного сигнала,Цель изобретения - расширениефункциональных воэможностей и повышение надежности работы элемента путем устранения зависимости уровнявыходного короткого импульса и ослабление зависимости длительности этогоимпульса от длительности фронта входного сигнала.На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента,.Раэностный элемент содержит многоэмиттерный транзистор 1, первый,.второй и третий и-р-и-транзисторы 2, 3и 4, резисторы 5-10, причем эмиттерымногоэмиттерного транзистора 1.подключены к входам 11 устройства, базал-р-и-транзистора 2 соединена с коллектором транзистора 3 и через вто-рой резистор 5 соединена с коллекто"ром многозмиттерного транзистора 1,.первый дополнительный коллектори-р-и-транзистора 3 через шестой резистор 6 соединен с шиной 12 питания,а через пятый резистор 7 " с базойп-р-п.-транзистора 4, первый коллекторкоторого через четвертый резистор 8 эсоединен с базой и-р-и-транзистора3, которая через третий резистор 9соединена с коллектором многозмиттерного транзистора 1, база которогочерез первый резистор 10 связана сшиной 12 питания, эмиттеры п-р-п-.транзисторов 3 и 4 соединены с общейшиной, первый и второй выходы 13 и14 подключены к коллектору и эмиттеру транзистора 2, второй коллектортранзистора 4 и второй дополнительный коллектор транзистора 3 соедине.ны с первым и вторым дополнительнымивыходами 15 и 16.Разностный элемент работает следующим образом.В статическом режиме транзистор2 закрыт, и на выходах 13 и 14 высокий или низкий уроввнь напряжения взависимости от подключения транзистора 2 эмиттером к общей шине или коллектором к шине питания,Если хотя бы на одном из зходов11 элемента низкий уровень напряжения, то транзистор 3 закрыт, а транзистор 4 открыт и на выходах 16 и 15 5336 2формируется соответственно высокийи низкий уровень напряжения, Когдана всех входах 11 элемента высокийВуровень напряжения, транзистор 3 открыт, а транзистор 4 закрыт. На выходах 16 и 15 формируются низкийи высокий уровни напряжения, Такимобразом, на втором дополнительном1 О коллекторе транзистора 3 реализуетсясигнал, соответсвующий логическойфункции И НЕ, а на втором коллекторе транзистора 4 - сигнал, соответствующий логической функции И.15 На выходах 13 и 14 (коллектор илиэмиттер транзистора 2) происходитформирование короткого импульса пофронту нарастания входного напряжения, При этом сначала протекает ток2 О по цепи: шина 12 питания - переходбаза - коллектор транзистора 1 - резистор 5 - база транзистора 2. Черезвремя задержки, определяемое номиналами резисторов 9 и 8, входной ем 25 костью и напряжением Б транзисто"эора 3, начнется открывание транзистора 3. Процесс отпирания транзистора 3 протекает быстрее, посколькусуществует положительная обратнаяЗО связь первого дополнительного коллектора транзистора 3 через резистор 7 этранзистор 4 и резистор 8 на базутранзистора 3.Наличием этой обратной связи обусловлено ускоренноеотпирание трай 1зистора 3 и ускоренное залираниетранзистора 2, так как в процессепереключения ток в базу транзистора3 непрерывно возрастает до полного40 запирания транзистора 4,Гистерезисная входная хараткеристика схемы на транзисторах 3 и 4(входом является резистор 9) ослабляет зависимость задержки этой схемы45 от длительности фронта входного сиг.нала устройства, Следовательно,ослабляется и зависимость длительности короткого выходного импульсаустройства от названных факторов,что повышает надежность работы элемента.Поскольку для срабатывания гистерезисной схемы на транзисторах 3 иФ необходима большая амплитуда напряжения на коллекторе транзистора 1,то при любой длительности особенноувеличенной) фронта входного сигналаотпирание транзистора 3 произойдетвсегда после отпирания транзистора