Номер патента: 1272498

Авторы: Рогозов, Самойлов, Тяжкун

ZIP архив

Текст

СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСНИРЕСПУБЛИК 51)4 Н 03 К 190 СССРКРЫТ ИИ ЕТЕНИЯ ЬСТ яэь. к цифрои может вей М ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕ ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ПИСАНИЕ И АВТОРСНОМУ СВИДЕ(7) Таганрогский радиотехнический институт им. В.Д.Калмыкова(57) Изобретение относитсявой вычислительной техникебыть использовано в качестве дартного элемента БИС типа ТТЛ, вчастности заказных БИС, илн в качестве отдельной ИС, формирующей короткий выходной импульс по фронту спада входного сигнала, Расширениефункциональных возможностей и снижение уровня, выходного напряжениянизкого уровня обеспечивается введением в схему двух р-п-р-транзисторов,одного резистора и организацией новых связей. Введенные элементы и новые связи позволяют вдвое снизитьвыходное напряжение низкого уровняи организовать два дополнительныхрежима работы устройства, Устройство содержит транзистор 1 п-р-п-типа,транзисторы 2 и 3 р-п-р-типа, резисторы 4-8, диоды 9-11, выход 12, дополнительный элемент 13, шину 14 питания, входы 5-7. 1 ил.2498 2Задержка отпирания транзистора 2после отпирания транзистора 3 обусловлена также большим номиналом резистора 5 по сравнению с резистором7В результате отпирания транзистора 2 и перехода его в насыщение запирается транзистор 2. Таким образом, через транзистор 3 протекаеткратковременный импульс тока в базутранзистора 1 через резистор 6. Взависимости от режима включения транзистора 1 (эмиттер соединен с общейшиной, а коллектор - с выходом, иликоллектор соединен . с шиной питания, а эмиттер - с выходом) формируется выходной импульс низкого иливысокого уровня. Разностный элемент, содержащийп-р-п-транзистор, диоды и четыререзистора, первый вывод первого реЗО зистора подключен к шине питания,второй вывод соединен с первым выводом второго резистора, первый вывод третьего резистора соединен с базой п-р"п-транзистора, коллекторкоторого подключен к выходу элемента, о т л и ч а ю щ и й с ятем, что, с целью расширения функ-циональных воэможностей и снижениявыходного напряжения низкого уровня, введены два р-п-р-транзистора ипятый резистор, причем эмиттеры первого и второго р-и-р-транзисторовсоединены с шинойпитания, база первого р-п-р-транзистора соединена спервым выводом второго резистора,второй вывод которого соединен санодами диодов и через четвертый резистор подключен к коллектору первого и базе второго р-и-р-транзистора, коллектор которого соединен с. база и-р-и-транзистора через пятыйрезистор соединена с общей шиной,катоды диодов подключены к входамИэЛемента, а эмиттер п-р-п-транзисто-,,ра соединен с дополнительным выходомэлемента, 27Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве одного из элементовБИС ТТЛ-типа, формирующей короткийвыходной импульс по фронту спада .,входного сигнала.Целью изобретения является расширение функциональных воэможностейи снижение выходного напряжения низкого уровня разностного элемента,На чертеже приведена принципиальная схема разностного элемента.Устройство содержит и-р-и-транзистор 1, первый и второй р-и-р- ,транзисторы 2 и 3, резисторы 4-8,диоды 9-11, причем коллектор и эмиттер транзистора 1 подключены к выходу 12 и дополнительному выходу 13элемента, а база соединена с кол Коллектор и эмиттер транзисторалектором транзистора 3 через тре 1 могут также соединяться с входамитий резистор 6 и с общей шиной че" расширения по ИЛИ с имеющими такиереэ пятый резистор 8, база транзис- входы микросхемами.тора 3 соединена с коллектором транзистора 2, база которого черезпервый резистор 4 соединена с шиной 2 Зо р и у л а и э о б р е т е н и я14 питания и эмиттерами транзисторов2 и Э, база транзистора 2 через второй резистор 5 соединена с анодамидиодов 9-11, катоды которых подключены к входам 15-17 элемента, анодыдиодов 9-11 через четвертый резистор 7 соединены с базой транзисто-.ра 3,Устройство работает следующимобразом.При поступлении на все входы 1517 сигналов высокого уровня транзисторы 2 и 3 закрыты, поэтому закрыти транзистор 1. Если эмиттер транзистора 1 соединен с общей шиной, товыходом 12 устройства является коллектор и на нем (через внешнюю натгрузку) сформирован высокий уровеньнапряжения. Если коллектор транзисторасоединен с шиной 14 питания,то дополнительным выходом 13 устройства является эмиттер и иа последнем - выходное напряжение низкогоуровня,При поступлении на один из входов15 - 17 сигнала низкого уровня открывается сначала транзистор 3, а потом - транзистор 2.Указанная последовательность отпи.рания транзисторов задается разнымиуровнями входного напряжения отпирания (и 0 ) этих транзисторов.

Смотреть

Заявка

3902627, 31.05.1985

ТАГАНРОГСКИЙ РАДИОТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. В. Д. КАЛМЫКОВА

САМОЙЛОВ ЛЕОНТИЙ КОНСТАНТИНОВИЧ, ТЯЖКУН СЕРГЕЙ ПАВЛОВИЧ, РОГОЗОВ ЮРИЙ ИВАНОВИЧ

МПК / Метки

МПК: H03K 19/088

Метки: разностный, элемент

Опубликовано: 23.11.1986

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-1272498-raznostnyjj-ehlement.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Разностный элемент</a>

Похожие патенты