Способ получения лазерного материала

Номер патента: 201726

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Свет

МПК: G01J 5/60, G01K 15/00

Метки: коэффициентов, неизменности, оптических, приборов, проверки, спектральной, чувствительности

...отношения с числом компонент, большим двух ивозведением в необходимую степеньзчачений одной или нескольких из этих компо 35 нвнт.Для технической реализации способа получения отношений вида Е 1,2 и Я не зависящих от температуры, можно использоватьразличные аналоговые и дискретные вычисли 40 тельные устройства. Для ряда задач рациональным является получение логарифмов отношений вида Р и Е.В качестве логарифмирующих устройств могут быть использованы, в частности, логариф 45 мические логометры, имеющиеся в схемах цветовых пирометров спектрального отношения,и др,В исследовательской практике описываемыйспособ можно реализовать, применяя для по.50 лучения отношений вида Е и Р, вместо спе.циальных устройств, предварительную градуи.ровку в...

Номер патента: 868375

Опубликовано: 30.09.1981

Авторы: Волков, Чечин

МПК: G01J 1/26

Метки: зеркал, коэффициентов, оптических, отражения, пропускания

...попеременно подключает входы дифференциального усилителя 13 к выходу фотоприемника таким образом, что на один иэ входовусилителя всегда подается сигнал от измерительного пучка, а на другой - сигналот эталонного пучка.Эталонный пучок перед подачей на фотоприемник модулируют Модуляция эталонного пучка в предлагаемом способе осуществляется путем периодического прерывания его при помощи модулятора 6, выполненного в виде сектора с центральным углом регулируемой величины (фиг. 2), вра 20щаемого двтателем 7. Как видно иэ временных диаграмм (фиг, 3), световой поток измерительного пучка фц и световойпучок эталонного пучка ф . на фотоприемнике имеют вид прямоугольных им 25пульсов длительностью 7 , при этом интенсивность излучения в...

Номер патента: 1619072

Опубликовано: 07.01.1991

Авторы: Лубков, Малинковский, Фомин

МПК: G01K 17/00

Метки: излучения, коэффициента, оптической, поглощения, средой

...которых. имеет лыски 8, равномернорасполокенные к световому окну 5 прижимного элемента 1, устанавливаетсяоптическая среда в виде образца 14,который фиксируется прижимом 15 спружиной 16, установленными в корпу-.се 17.1После установки и фиксации образ-ца 14 поворачивают прижимной элемент1, закрепленный на внутренней стенке .корпуса 2, на оси 3 в вертикальноеположение и закрепляют невыцадающимвинтом 4, ф,Подачей упора 23 вправо по направляющим винтам 25 до совмещения отвер стия 26 с лысками 8 направляющего винта 7 пружины 9 освОбождаются от сжатия и направляющие винты 7 вместе ,с фланцем 10 обоймой 6 перемещаются ",вправо до прижатия грани 27 образца 17 к поверхности медной подложки 18, закрепленной через фторопластовые пластины 19...

Номер патента: 797379

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Морозов, Тищенко, Шелопут

МПК: G02F 1/11

Метки: монокристаллов, оптически, прозрачных, разориентировки

...устанавливают перед источником света 3. За кристаллом располагают систему из двух поло797379 2О ( Составитель В. Масленников Текред Л. Куклина оррект айн Коляд едак Изд104 Тираж 515 Подписное осударственного комитета СССР по делам изобретений и открытий113035, Москва, )К, Раушская наб д. 4/5 аказ 25/3 ПО По Тип, Харьк. фил. пред. Патент жительных линз 4 и 5, диафрагмы 6 н экрана 7,Кристалл,1 просвечивают параллельным пучком от источника света, диаметр которого больше поперечных размеров кристалла, Плоскости 8 и 9 кристалла, перпендикулярные направлению распространения света, предварительно должны быть отполированы.Через плоскость 10, разориентацию которой измеряют, возбуждают излучателем,З в кристалле ультразвуковой пучок, который...

Номер патента: 481827

Опубликовано: 25.08.1975

Авторы: Булка, Винокуров, Гайнуллина, Низамутдинов

МПК: G01N 27/78

Метки: группы, монокристалле, парамагнитных, позиции, симметрии, центров

...относительно кристаллографических осей, которые задаются группои направлении монокристалла, и проводят определение схемы вырождения спектров ЭПР от изучаемых пааьлгнитных центров на спектрометре ЭПР 20Экспериментально определенные схемы вырождения сопоставляются с вычисленными теоретически схемами вырождения по приведенному соотношннию и при сопоставлении опредгляют группу симмет рии позиции парамагнитных центров.9 клК = - =Хпсл л ал вК,л- индекс Лауэ группы симметрии 6,лзо 2соответствующей позиции парамагнитногоцентра:3 л- ПОРЯДОК этой гРУппы;С,- лауэвская группа симметрии исследуЕМОГО КРИСталла3;- порядок Лауэ группы симметрииисследуемого кристалла;и; степень вырождения спектров ЭПР,При этом количество наблюдаемых...