Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла al2o3 с центрами окраски

Номер патента: 1393290

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: активной, лазерной, лития, монокристалла, основе, среды, фторида, центрами

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АКТИВНОЙ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ по авт. св. N 1322948, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности концентрации F2-центров, облучение электронами производят в течение интервала времени от 0,1 до , где t - время жизни анионной вакансии.

Номер патента: 1152475

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Иванов, Михаленко, Парфианович, Хулугуров, Чепурной, Шкадаревич, Шнейдер

МПК: H01S 3/16

Метки: активного, кристалла, лазера, лития, окраски, основе, фторида, центрами, элемента

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ЛАЗЕРА НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, содержащего примесь, включающий выращивание кристалла из расплава и облучение его ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона генерации лазера, в расплав фторида лития вводят двухвалентные катионозамещающие примеси магния, или никеля, или кобальта при концентрации от 5 10-3 до 10-1 мас. затем кристалл охлаждают до (-196oС) - (-30oС), облучают дозой 108 Рентген с последующим отжигом его при 20oС в течение 0,5 2 ч.

Номер патента: 1597069

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Колесникова, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: аl2о3, кристалла, лазерной, окраски, основе, приготовления, среды, центрах

1. СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ НА ЦЕНТРАХ ОКРАСКИ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА Al*002O*003, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением, отличающийся тем, что, с целью снижения оптических потерь при одновременном увеличении концентрации рабочих центров, кристалл облучают во время термообработки ускоренными электронами с энергией 0,35 - 4,8 МэВ, а затем подвергают воздействию оптическим излучением с длиной волны 0,29 - 0,33 мкм.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плотность мощности оптического излучения выбирают в интервале 0,0025 - 280 МВт/см2.

Номер патента: 1322948

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Григоров, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: f2-центрами, активная, лазерная, лития, монокристалла, окраски, основе, среда, фторида

АКТИВНАЯ ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА НА ОСНОВЕ МОНОКРИСТАЛЛА ФТОРИДА ЛИТИЯ С F*002-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ И СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ.1. Активная лазерная среда на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами окраски, отличающаяся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски, концентрация F2-центров соответствует коэффициенту их оптического поглощения в интервале 100 - 700 см-1.2. Способ получения активной лазерной среды на основе монокристалла фторида лития с F2-центрами , включающий облучение монокристалла ускоренными электродами, отличающийся тем, что, с целью снижения порога накачки и повышения оптической устойчивости центров окраски,...

Номер патента: 1447220

Опубликовано: 27.02.1995

Авторы: Барышников, Мартынович, Щепина

МПК: H01S 3/16

Метки: лазерной, окраски, приготовления, среды, центрами

СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ЛАЗЕРНОЙ СРЕДЫ С F+3-ЦЕНТРАМИ ОКРАСКИ, включающий облучение монокристалла LiF потоком ускоренных частиц, отличающийся тем, что, с целью снижения порога генерации, облучение проводят в течение интервала времени от 1 10-8 до 6 с с плотностью потока не менее 2 1012 частиц/см2.