Активный элемент окг
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 658638
Авторы: Лобанов, Максимова, Мартынович, Парфианович, Хулугуров
Текст
(Б 1) 6 Н 01 3 16" . СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИКГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ(71 Науао-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете имААЖданова "(58) 1. Каминский АА Лазерные кристаллы. М,Наука,1975; с 33-35.2. ЫМоПепацег, Р.Н.ОЬоп "Вгоабу МпаЫе МегаИзобретение относится к области кван- лах фторида лития, установлено, что ионытовой электроники, к активным элементам . ОН, изменяют условия термодинамическооптических квантовых устройств и может го равновесиярадйационныхдефектов,спо быть использовано при создании перестра-собствуют повышению концентрациииваемых по частоте оптических квантовых 5 стабильных при.комнатнойтемйературеакусили,гелей ОКУ) и генераторов (ОКГ) инф-тивных центров окраски,ракрасного диапазона;На фиг,1 изображены спектры люми: Известны"активные-.элементы, вь пол- . несценции активного элемейта; на фиг.2 -ненные из монокристалла фторида бария, один извариантов схемы установки для ис. содержащего двухвалентные ионы,напри- "0 следования коэффициента усиления активмер, ионы никеля. :. :, ного элемента,Недостаткамиэтих активных элементов Активный элемент представляет собойявляется низкая рабочая температура, атак- параллелепипед размером бхбх 30 мм;же отсутствие возможности плавной, непре- протйвоположные грани которого отполирывной перестройки частоты, .15 рованы Он выполнен из содержащегоИзвестны активные элементы, изготов- ионы гидроксила монокристалла фторидаленные из монокристаллов хлорида калия с лития.примесью К содержащие электронные цен- . В монокристалле были созданы центры. тры окраски, обладающие широкой полосой окраски, Для создания центров окраски молюминесценции в ближнейинфракрасной 20 нокристаллы были облучены 1"излучением60ообластиспектраи позволяющиеплавно пе- . радиоактивного кобальта Сопри 50 С с .рестраивать рабочую частоту ОКГ и ОКУ в экспозиционной дозой Зх 10 рентген. Облувпределах этой полосы. чение может быть проведено и другим иони- Такиеактивныеэлементыработаютпри зирующим излучением. При этом в. низкой рабочей температуре, не превышаю-. 25 кристалле образуются центры окраски; общей 200 К, Это обусловлено тем, что люми- ладающие инфракрасной люминесценцией,несценция активных центров при более которые могут быть использованы как аквысоких температурах термически потуше- тивные центры. Спектр люминесценции;:- на. Вследствие этого необходимо охлаж- обусловленный стабильными центрами окдать активный элемент жидким азотом или. З 0 раски, показан кривой 1 на фиг.1. Кривая 2иным способом, что значительно усложняет изображает спектр люминесценции .фториконструкцию лазера или усилителя и ухуд- да лития, не содержащего ионы гидроксила,шает условияего эксплуатации, Другим не-: Из сопоставления кривых 1 и 2 видно,чтодостатком известного активного элемента интенсивностьлюминесценциистабйльныхявляется его нестойкость к воздействию 35 при комнатной температуре центров в кривлаги, поскольку он изготовлен из материа- сталле фторида лития, содержащем ионыла, хорошо растворимого в воде. ОН, выше,Известен активный элемент, на основе . Проведены испытаййя работы двух ак-.монокристалла, содержащего центры окра- тивных элементов в оптическом квантовомски. Активный элемент, изготовленный из 40 усилителе на длине волны 928 нм, Измеремонокристалла фторида лития, содержащий ны коэффициенты усиления и полученнйеэлектронные центры окраски, обладает ши- данные сопоставлены с результатами исслерокой полосой люминесценции в ближней . дования активного элемента из монокриинфракрасной области спектра и позволяет сталла фторида лития, не содержащегоплавно перестраивать частоту ОКУ и ОКГ в 45 ионы гидроксила. Испытания проведены.напределах этой полосы, установке, схема которой представлена наНедостатком известного активного эле- фиг.2. Для накачки использован рубиновыймента является низкий линейный коэффи- лазер 3, работающий в импульсном режимециент оптического усиления, ограниченный свободной генерации с длиной волны излумалой концентрацией стабильных при ком чения 694 нм и мощностью 20 квт. Для усинатной температуре активных центров ок- ления, в качестве сигнального излучения,раски, использовано инфракрасное излучениеЦелью настоящего изобретения являет- лампы 4 типа ДАЦ - 50, которое формировася повышение коэффициента усиления ак- лось в параллельный пучок конденсаторомтивного элемента, 5 и выделялось интерференционным светоДля достижения этой цели активный фильтром 6 с максимумом полосы пропуэлемент выполнен из фторидалития, содер- скания 928 нм. Это излучение, проходяжащсго ионы гидроксила. В результате исс- через активный элемент 7, поступало наледования влияния ионов гидроксила на вход монохроматора 8, настроенного насвойства центров окраски в монокристал- длину волны 928 нм, регистрировалось фо650 50 : У 05 и фСоставитель,Техред М Моргентал Корректор, М. Кере Редакто аказ 493 Тираж .. Подписное НПО Поиск" Роспатента113035, Москва, Ж, Раушская йаб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент"., г, Ужгород, ул,Гагарина, 101 5 , 658638 6топриемником 9 и осциллографом 10; Излу- биралось таким, чтобы не наблюдался сигчение накачки направлялось на голирован- нал спонтанной люминесценции, Коэффиную .поверхность активного элемента под циент оптического усиления а составил для :углом 5 О к направлению сигнальйого излу.- .образца из монокристалла фторида личения, которое поступало под углом.90 к 5 тия, содержащего ионы гидроксила - рабочей поверхности кристалла.: .:.:." . 0,35+0,03 см;для фторида лития, несодерАктивный элемент работал в усилителе жащего ионы гидроксила 0,1+0,01 см ", , следующим образом: излучениемнакачкив активном элементе создавалась.инверс-:: Предложенный активный элемент рабоная заселейность рабочих энергетйческих 10 тает при комнатной температуре, устойчив уровней центров окраски; Сигнальное излу- к воздействию влаги, прост в эксплуатации.ченйе; проходя по активному элементу, вы- . Благодаря высокой концентрации активныхзывало выйужденные переходы в центрах центров, излучение накачки поглощаетсяокраски,чтоприводилокусилениюсигналь-эффективно, поэтому появляется возможного йзлученйялампы 4; фотоприемником 15 ность уменьшения активного элемента беэ регистрировалась. интейсивность сйгйаль-снижения оптической мощности, либо йменого излучения до действия.накачки Уо ив ется возможность повысить КПД преобрамомент действия:накачки У, Расстояние от . зованйя излучения при одних и тех же активного элемента до фотоприемника вы- размерах активных элементов,20фо р м у л аи:.з о б р е т е н и я отличающийся тем. что, с целью повы-АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОКГ на осно шения коэффициента усиления он вывемонокристалла,с центрами окраски;. о не из фторида лития, содержащегополнен из25ионы гидроксила.
СмотретьЗаявка
2480395/25, 12.04.1977
Научно-исследовательский институт прикладной физики при Иркутском государственном университете им. А. А. Жданова
Лобанов Б. Д, Хулугуров В. М, Максимова Н. Т, Мартынович Е. Ф, Парфианович И. А
МПК / Метки
МПК: H01S 3/16
Опубликовано: 19.06.1995
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-658638-aktivnyjj-ehlement-okg.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Активный элемент окг</a>
Предыдущий патент: Способ синтеза алмазов
Следующий патент: Бистабильный переключатель с памятью
Случайный патент: Магнитный рефрижератор