H01L 23/00 — Детали и конструктивные элементы полупроводниковых приборов или других приборов на твердом теле

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 1814109

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Суворов

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводникового, прибора, сборки

...следующуюобработку: обезжиривание в трихлорэтилене, химическое травление в 500-ной соляной кислоте, промывку в деионизированнойводе, 40Процесс напыления производится наустановке УВН 2 М - 2 в вакууме(2-5) 10 ммрт.ст. при температуре подложки 170 С, Одновременно при защищенных стеклоизоляторах А 1 бйл напылен на поверхностьтраверс ножек для осуществления термокомпрессионной приварки выводов. Толщина напыленного А 1 допускалась 1,6 - 2,6 мкм.Приборы изготавливались по маршруту: обработка ножек перед напылением, напыление А 1, промывка ножек перед сборкой,.пайка кристаллов на эвтектику Ое-А 1 с помощью подвески контактно-реакционнымметодом, присоединение внутренних выводов к внешним А 1 проволокой. 55П р и м е р 1, На кристалл...

Номер патента: 1627012

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Калянин, Новиков, Фунда

МПК: H01L 23/00

Метки: герметизации, устройства, электронного

...герметичного соединения деталей корпуса 40 еобходи",о иметь стекпопорошки с удельной поверхностью 3000 - 10000 см /г. Чем тоньше слои припоечного стекла, тем мельче должен быть стекпопорошок, т,е, иметь большую гранупометрическую удельную по верхность.Использование более мелкодисперсных порошков с удельной поверхностью более 10000 см г, во-первых, экономически2не оправдано (излишняя трудоемкость при 50 помоле), во-вторых, приводит к образованию мелких воздушных пузырьков при оппавлении пасты из сгекпопорашка, что снижает надежность гермегичного соединения деталей корпуса.55 При удельной поверхности порошканиже 3000 см /г (наличие крупных гранул)гпри оплавлении тонких слоев пасты образуются возвышения (неровности) в виде центров...

Номер патента: 1454169

Опубликовано: 10.12.1995

Авторы: Евтеев, Козлов, Колычев, Логоватовский, Снесаревский, Татаринов, Хозиков, Чернов, Эгнер, Яковлев

МПК: H01L 23/00

Метки: корпуса, основание, полупроводникового, прибора

ОСНОВАНИЕ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, содержащее подложку для монтажа кристалла и вывода с нанесенными на его металлические части покрытием на основе никеля бора, отличающееся тем, что, с целью снижения стоимости приборов за счет исключения применения золота при увеличении их надежности, в зону пайки кристаллов на подложку нанесено дополнительное покрытие из сплава цинк алюминий германий с содержанием алюминия 1 30 мас. германия 1 6 мас. остальное цинк, причем суммарное содержание алюминия и германия 7 31 мас.

Номер патента: 1804249

Опубликовано: 20.12.1995

Авторы: Галушка, Мостяев, Ровицкий

МПК: H01L 23/00

Метки: герметизации, корпусов, металлокерамических, металлостеклянных, техники, электронной

...превышение толщины в 80 мкм приводит к излишнему количеству припоя, нетоварному внешнему виду изделия,возможности попадания припоя внутрь из 10 делия на активные элементы и их поврежде- .нию,Наименьшая толщина смещения соединяемой поверхности крышки ниже уровнясоединяемой поверхности основания в 1015 мкм обусловлена тем, что при меньшей величине погрешности изготовления деталейкорпуса и приспособления для герметизации не обеспечивают высокого процентавыхода герметичных изделий,20 Наибольшая величина смещения соединяемой поверхности крышки ниже уровнясоединяемой поверхности основания в 40мкмобъясняется тем, что при большей величине может происходить отслаивание, от-25 рыв наносимого предварительного слояприпоя от подслоя...

Номер патента: 1694021

Опубликовано: 20.02.1997

Авторы: Ануфриев, Иовдальский, Молдованов

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, интегральная, свч, схема

1. Гибридная интегральная схема СВЧ, содержащая металлизированную с двух сторон диэлектрическую плату с рисунком металлизации на лицевой поверхности и по крайней мере с одной монтажной площадкой, расположенной на электро- и теплопроводящих элементах, размещенных в отверстиях платы, теплоотводящее основание, скрепленное с металлизацией обратной стороны платы, и бескорпусные электронные приборы, закрепленные связующим веществом на монтажной площадке и соединенные с рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения условий теплоотвода, снижения массогабаритных характеристик и паразитных электрических параметров, монтажную площадку размещают в металлизированном углублении, при этом расстояние от монтажной площадки до лицевой...

Номер патента: 858491

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 23/00

Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...