Керамический диэлектрический материал
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
и 717010 Союз СоветскихСоциалистическихРеспублик уи К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 61) Дополнительное к авт, сеид-ву)М. Кл. С 04 В 35/4 б 1 Ъвударственный квинтет СССР ав алан нзебрвтеннй) Приоритет -53) УД Кббб.593 .4 (088,8) ублнковано 250280 Бюллетень М 7 ага опубликования описания 25,02.80 откр цтн 72) Авторы нзобретени Сазоно чин, Н. К. Михайлова, Е. алашова(71) Заявител РАМИЧЕСКИЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ение темдиэлек триИзобретение относится к диэлектрическимматериалам на основе окислов бария, титана,кальция, циркония, олова с добавками раэлич.ных окислов, используемых для изготовлениякерамических конденсаторов.Известны керамические материалы на ос- фнове окислов бария, титана, кальция, циркония,олова с добавками окислов висмута, самария,марганца, имеющие при значениях дизлектри.ческой проницаемости (е) от 1500 до 8500диэлектрические потери (тяб) 0,01 - 0,02; тем.1 Опература спекания таких материалов 1350 -1430 С (11. Известно введение фторидов щелочноземельных металлов для снижения температуры спекания тутоплавких материалов, например боридов 21,Однако введение их в диэлектрические ке.рамические материалы связано с определенны.ми трудностями по сохранению соответствующих диэлектрических свойств.Наиболее близким к предлагаемому явля.ется материал, содержащий вес.%; СаО 2,8 - 3,1Т 02 303 - 3094ЕгОг 0 б - 1,3ВпО б,5 - 7,5В 10 э 0,2-0,5;Ввг Оз 0,1 - 0,3830 т 03 - 10МпО 0,2-0,3Мп 20 э 0 1 - 0 3ВаО остальное (31.Материал имеет при температуре +25 С диэлектрическую проницаемость (е ) 4500, тан. генс угла диэлектрических потерь не более 0,01; температура обжига изделий из данного материала 1350 - 1430 С, что исключает возможность обжига заготовок высоковольтных кон денсаторов дискового типа иэ этого материала диаметром б 0 - 75 мм и толщиной 10 - 12 мм в электрических печах с силовыми нагревателями.Целью изобретения является сниаературы спекання при сохранениических свойств материала.,3 щелочно-земельного металлаа 2 и 3 - М 9 Рг. ктернстикн этих составов. качестве фторид Варяг, а для сост табл. 2 даны ха для состава в Это достигается тем, что материал, содер.дашин ВаО, ТОг, 8 пОг, СаО ЕгОг, 81 гОз Мпгбз 810 г, 8 п 1 гОз дополнительно содержит бентонит и фторйд щелочноэемельного метал - ла "при следующем соотношении компонейтов,вес,%:ВаО 56,8 - 58,0Т Ог 29,6-29,98 пОг 6,4-7,4СаО2,8-3,1ггсг0,6-1,3Вгг Оз 0,3-0,8МпгОз 0 2 - О 38 Ог 03 - 088 пгг Оз 0,1-0,2Бе нтонит 0,8-1,2Фторид щелоч.ноземельногометалла 0,3 - 0,5Предлагаемый материал е при температуре+25 С от 3150 до 4800, тцЬ в ,не более 0,01,удельное объемное сопротивление 10 г ом.см,температура спекания материала 1260 в 13 С. Материал готовят следующим образом. Готовят шихту для спекания путем смеши.Синтез шихты осуществляют при температу. ре 1280 - 1300 С в течение двух часов.Из полученного спека путем помола и сме. шивания с добавками фторида щелочноземельного металла, окисла марганца, окисла висмута и бентонита готовят материал при следу. ющем соотношении компонентов, вес,%:Спек 98,3 - 98,4Фторид щелочноземельного металла, 0,3-0,5МпгОз 0,2-0,3В,О, О, -0,3Бентонит0,81,2 Оформление образцов и заготовок конден.саторов осуществляют методом полусухого.прессования. Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размеров проводят при температуре 1260-1340 С.оПо такой технологии были приготовленыобразцы трех диэлектрических материалов, составы которых и их весовые соотношения представлейы в табл. 1.Таблица(Рч ) омсм Тангенс угла ди.электри- ческих потерь101 г О,О 10 г г 0,008 Формула изобретения Керамический диэлектрический материал, содержащий ВаО, ТОг, ЯпОг, СаО, ЕгОг, ВгОз МпгОэ 80 г ЬпгОз о т л и ч а 25 ю щ и й с я тем что, с целью снижения тем. пературы спекания прн сохраненнии диэлектрических свойств, он дополнительно содержит бентонит и фторнд щелочноземельного металла при следующем соотношении компонентов, весУо. 0,3 - 0,5 1 Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Патент ФРГ У 2407198,кл. С 04 В 35/00, опублик. 1976. 2, Патент США И 0 3.437.606, кл. 252 - 250,1969,3. Авторское свидетельство СССР Мф 581139,кл. С 04 В 35/00, 1974.35 Составитель Г; ФоминаТехфедН.Ковалева Корректор М. Шароши Редактор М, Рогова Заказ 9746/26 Тираж 671 ПодписноеЦНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. Ф/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 ВаО ТОг 8 пОг СаО 2 гОг 56,8 - 58,0 29,6-29,9 6,4-7,4 2,8-3,1 0,6-1,3 ВгОзМпгОзВОгБеаОзБентонитФторид щелочноземельного металла 0;3.-0,8 0,2-0,3 0,3-0,8 0,1-0,2 0,81,2
СмотретьЗаявка
2661477, 14.08.1978
ПРЕДПРИЯТИЕ ПЯ А-3944
КОЛЧИН ВЛАДИМИР ВЛАДИМИРОВИЧ, МИХАЙЛОВА НАДЕЖДА КОНСТАНТИНОВНА, БАЛАШОВА ЕЛЕНА МИХАЙЛОВНА, САЗОНОВА ИННА СЕРГЕЕВНА
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468
Метки: диэлектрический, керамический, материал
Опубликовано: 25.02.1980
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-717010-keramicheskijj-diehlektricheskijj-material.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Керамический диэлектрический материал</a>
Предыдущий патент: Способ подготовки шихты на основе глинозема
Следующий патент: Состав для покрытия углеродистых изделий
Случайный патент: Преобразователь напряжение-код