416329
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 416329
Текст
ИЗОБРЕТЕНИЯ Е АВТОРСКОМУ (:ВИДЕ 1 ЕЯЬОВУ исимое от авт. свидетельстваявлено 24,Х 11,1 1, Кл, С 04 Ь 35/00 С 23 с 13/0428406 2671 (Ю оритет асударственнои комитетСовета Министров СССРоо делам изооретенийи открытий 1.1974. Бюллетень Хе К 621.315.612 (088.8 ковано 2 п та опубликования описания 05.07.1974 Авторы зобретееп Г, А. Куров, Н. А. Астахова и 3 ЕЛЬК Московский иистиут электронной техник 1 аявите Кет)А 11111 есК 1 4 е 1 АтеР 1 ЕАА 1(я.)4.с), Осуесрямику Вс 1 ТОз - В 1 зТзОе (85 Вес. ,), измельчают ес, тщательно персмешцвяОт с добявлеццым порошком беСОз (15 вес. /з) и засыпают в вцбробуцкср в вякуумцой установке..(цэ.екЕри Ееские плецки, полученные методо) дискре ВОГО испярецил В Вакууме ця ОсВОВе ксял ичес 1 ЕОГО 1 ятерияля предляГаемОГО состав;1, сО СмЯуу,и 1 ада кисталлизациц прц цх О)кцге и. воздухе 300 - 400 С. Эи Сьцся 1 у 1)соваСсте 1 к ы сСхцолОГегей 11 зготовгсццЕ Децочцых конденсаторов гибридцых иц СГрязьцых схем. аТ 10 з - цця диктриче ся тем, цячала ца Возщсм коком по,срами вский материал ца осцове В Вз 3 Е,Оз, преимуществешо для получс элек 1 1)1 цСскцх цлсцок с высокой диэле ской процш 1 ясмос)ью, о т л ц ч а ю цЕи й что, с целью поццжсция температуры е:ристаллизяци пленок при их отжигс духе, в него Впедец беСОз при следую личествецом соотцошеции исходцых цецтов, (вес. "): ВаТО - В)Тз 01:80 - 90 10 - 20 О с присоединением заявкиИзобрстецие Отцоспся е; кее)ами ес 1;и:;1 )1 ятериялам для получения пленок с Высокой диэлектрической процицаемостью и может быть использовано цри изготовлении коцдецсаторов с высокой удельной емкостЕцо методом вакуумного исцарсция.Известец керамический материал ца Осцовс ВаТОз -- ВЕзТ 1,02 преимущеслвеццо для цолучеция диэлектрических плепок с высокой диэлек)рической процицаемостЕц.Однако при получении из этого мятсриаля диэлектрических плсцок в вакууме цсобходима высокая температура начала кристаллизации полученной пленки при ее отжиге ца воздухе (500 в 6 С). Эти температуры трудно совместимы с техцологией езго)ов;ецея плецочЕцлх коцдецсаОров в гибридцых ицтегряльцых схемах.е 1 е;. цзобретеция - повышение температуры начала кристаллизации пленок цри их отжиге ца Воздухе.Поставлеццяя цель достигается тем, что в известный керямичес 1;ий материал введец беСО,; при следу 1 ощем колжествсцО) сто)- НОШЕИЦ ЕСХО.ЕЦЫХ:КО.ПОНЕНТОВ, (ВЕС. /) ):ВаТЕОз - В 1 зТзОз 80 - 90беСО, 10 - 20 Предмет изобретеци
СмотретьЗаявка
1728406, 24.12.1971
МПК / Метки
МПК: C04B 35/468, C04B 35/475
Метки: 416329
Опубликовано: 25.02.1974
Код ссылки
<a href="https://patents.su/1-416329-416329.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">416329</a>
Предыдущий патент: 416328
Следующий патент: 416330
Случайный патент: Компенсатор взаимных помех в симметричных линиях связи