Шихта для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

Номер патента: 1149187

Опубликовано: 07.04.1985

Авторы: Конев, Любецкий, Михнев

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, пленок, проницаемости, толщины

...антенну, делитель луча, к первому плечу которого обращен вход резонатора с зеркалами, в .котором при измерениях исследуемая диэлектрическая пленка расположена под углом 45 к оси резонатора, перпендикулярной первому плечу делителя луча, первый приемный блок, подсоединенный через первую приемную антенну к второму плечу делителя луча и регистрирующий блок, введены первая и вторая поляриэационные проволочные решетки, причем проволочки обеих поляризационных проволочных решеток параллельны, вторая и третья приемные антенны, второй приемный блок н корректор, первый приемный блок выполнен в виде блока измерения диэлектрической проницаемости, выход резонатора расположен со стороны, противоположной его входу, причем первая поляризационная...

Номер патента: 1838457

Опубликовано: 30.08.1993

Авторы: Клейнман, Косяченко, Стефанович, Трунов, Хамаганова

МПК: C30B 29/22, C30B 9/06

Метки: бария-редкоземельного, бората, двойного, монокристаллов, соединения, элемента

...сдвинуты из плоскости, вкоторой расположены анионы кислорода, что создает электрические диполи, ориентированные вдоль гексагональной оси. Этой особенности кристаллической структуры отвечает существование у кристаллов сегнетоэлектрических и связанных с ними пироэлектрических, пьезоэлектрических и нелинейно-оптических свойств.Квадратичная оптическая восприимчи вость кристаллов ВазУЬ(ВОз)з определяласьметодом генерации второй оптической гармоники на порошковых препаратах разной степени дисперсности согласно, Измерения проводились с помощью лазера на иттрий алюминиевом гранате, активированномионами неодима Я=1,0 б 4 мкм) в режиме модулированной добротности по схеме "на отражение" по отношению к эталонному препарату а-кварца...

Номер патента: 1059515

Опубликовано: 07.12.1983

Авторы: Косогоров, Сташкевич, Тарасюк

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрических, диэлектрической, измеритель, металлической, поверхности, покрытий, проницаемости

...относится к техникерадиоизмерений и может использоваться для измерения диэлектрическихпостоянных веществ.Известен интерферометр СВЧ дляизмерения эффективной толщины диэлектрических пластин, в которомиспользован принцип действия отражающего интерферометра Майкельсона,при этом испытуемая диэлектрическая .пластина, покрытая с одной стороны 10металлом, помещается вблизи рупор"ной антенны 1 .Однако такое устройство имеетнизкую пространственную разрешающуюспособность 15Наиболее близким .к предлагаемому является устройство для измерениядиэлектрической проницаемости диэлектрических покрытий, содержащее СВЧ-генератор, излучающую антенну для возбуждения поверхностныхволн в системе металл-диэлектрик,приемную антенну с измерительнымустройством...

Номер патента: 654581

Опубликовано: 30.03.1979

Авторы: Варикаш, Мяльдун

МПК: C04B 35/468, H01G 4/12

Метки: высокой, диэлектрической, материал, проницаемостью, сегнетокерамический

...описываемого материала приготавливают смесь компонентов в необходимых соотношениях изпредварительно синтезированных спеков ВаТ 1 ОЭ, Ваго э и МдНЬ ОСмесь спеков измельчают до удельной поверхности 5 - 7 10 3 см /г, Полу 2ченную массу пластифицируют известными методами. Формуют в изделия ио,обжигают при температуре 1340-1370 Св течение 1,5-3 ч.Примеры конкретных составов предлагаемого материала и их свойства даны в таблице,Сегнетокерамический материал, имеющий состав, вес.Ъ: ВаТ 10 Э 85,Ва 1 гО э 14, Мо МЬ Ов 1, характеризуется следующимй свойствами:Диэлектрическая проницае-.мостьОтносительное изменение со 8 5 при температуре +85 С,Относительное изменение Епри температуре -40 С, Ъ 90й654 581 Относительное изменениереверсивной Я, Ъ 33 О,...

Номер патента: 336616

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Мериакри, Ордена, Электроники

МПК: G01R 27/26

Метки: диэлектрической, проницаемости

...жидкостей в предлагаемом устройстве вплечах моста установлены кюветы со сравниваемыми жидкостями, толщины которых синхронно изменяются короткозамыкающимипоршнямп.На чертеже показано предлагаемое устройство.Устройство содержит двойной высокочастотный Т-мост, включающий в себя плечи 1 - 4,коротко замыкающие поршни Б, кюветы 6 и 7 с исследуемой и эталонной сравниваемымижпдкостямп.Принцип работы устройства состоит в следующем. Прц синхронном перемещенин поршней 5уровень сигнала (поступающего в плечо 5) в плече 4 меняется с периодом, легко измеряемым и зависящим от разности фазовых пос 5 тояцпых электромагнитной волны, соответственно, в плечах 1 и 2, которые связаны известными соотношениями с диэлектрическими пропццаемостями...