Керамический конденсаторный материал

О П И С А Н И Е 551568848 ОИЗОБРЕТЕН И Я Союз Советских Социалистических Ресоублнк(45) Дата опубликования описания 01.10.79 л.з С 04 В 35/00 сударственный ко 5 кнтет СССР лам изобретений и открь 5 тнй 53) УДК 0:1.31(54) КЕРАМИЧЕСК 1 лй КОИДЕИСАТОРНЫЙ ЕРИА Изобрстсние относится к диэлектрическим материалам на основе ок.слов бария, титана, кальция, цирконпя, олова с добавками различных окислов, используемых для изготовленпя керамических конденсаторов.Известен керамический материал на основе окислов бария, кальция, титана, циркония, олова с добавками окислов висмута и окислов редкоземельных металлов, имеющий при значениях диэлектрической проницаемости (е) от 1500 до 8500 диэлектрические потери (5 д б) 0,01 - 0,02 и температуру спекания 1360 - 1430 1.Наиболее близок к предлагаемому матс- риал, который содержит компоненты в следующих количествах, вес. : предлагаемый ный материал, Т 50 з ХТОз, ЬПОтли МдО дополри следующем ес. %: это тем, чтоконденсаторВаО, СаО,550 з и МпзОзержит ЯТО, пкомпонентов,Достигают керамический включающий 5 Бгп Оз, В 5 зОз,нительно сод соотношении,5 - 2,8 ,2 - 31 аО 50,имеет при 25 С ее е в интервале тем Такой материалменее 4500, изменен 30 СаОТ 50 зХТОзВ 5 зОзЬгп 20 з8502МдОМп.ОзВаО 2,8 - 3,10,3 - 30,40,6 в 1,36,5 - 7,50,2 - 0,50,1 - 0,30,3 в 1,00,2 - 0,30,1 - 0,3стальное 2. ратур от 5 до 85 С не прсзышаст 15 - 10(5. Тая "е 5 с 1 гла д 5 элсктрпчссх 5 х потсрь 1 д 55 не более 0,01. Температура обжига изделий пз данного материала 1360 - 1-30 С.Известньш материал разрабати для нпзково ь 5 пых кондспсаторов, пмсст высокос зпачсппе тангснса 1 гла дпэлскгричсских потерь, что затрудняет его прпмспсппе для пз. отсвлснпя высоковольтных кодснсаторов. Температура обжига изделий пз такого материала выше 1360 С, что исключает возможност 5 Обжи а заготовок высоковолътпь 5 х ко 5 дснсаторов дис Оного типа дпа.Ст;ом 60- - 75 л 5 л 5 и толщ 55 ной 10 - 12 люлю в электрических печах с сплптовыми нагревателя ми. Цель изобретения - снижение тангенс;угла диэлектрических потерь и тсмпературы спекания.68"-430 0,5 в 1,2 5,8 - 6,8 5,8 - 6,8 0,1 - 03 1,8 2,4 0,3 - 0,9 0,2 - 0,3 3,9 - 0,9 Остальное Уг 02ЗпО:ЯпО,ЯгпзОзВ 20 з5 О,Мпзоз или Мяо ЬгОВаО ТаблицаСостав, вес, % Компоненты О Приготовление материала производят следующим образом. Готовят шихты из спеков двух составов путем смешивания и ломала окислов, взятых в указанных соотшениих,15 Таблица 2 Шихта состава 1, вес. % о оо аиО о очи Д В е" о ОИ 9 ЯгОТ 02В 20 з 39,0 - 412,2 40,4 - 40,6 16,5 - 19,0 аО са"ЙМ - о 20 Состав материала,вес. %Шихта состава 2, вес. % 3000 0,001 2550 0,001 2600 0,0009 58,5 - 59,02,8 - 3,1 30,3 - 30,4 0,6 - 1,3 6,5 - 7,5 0,2 - 0,5 0,1 - 0,3 0,3 в 1,0 25 10" 1012 О" 1300 1280 1321430 4500 0,01 По прототипу 30 Формула изобретения Керамический конденсаторный материал,содержащий ВаО, СаО, Т 102, ХгОъ ЯпО 35 ЬгпзОз, ВзОз, 8 Оз и Мп;О, плнМдО, о тл ич а ю щ и й с я тем, что, с целью снижения тангенса угла диэлектрических потерь и температуры спекания, он дополнительно содержит ЬгО при следующем соотношении 40 компонентов, вес, %: Синтез шихты первого состава осуществляют при 1100 - 1150 С в течение 2 ч, синтез шихты второго состава производят при 1280 - 1300 С в течение 2 ч. Из полученных спеков путем помола и смешения с добавками окислов марганца или магния готовят материал при следующем соотношении компонентоввес. % Состав 1 10,0 Состав 2 90,0Мп 20, 0,2 - 0,3 (сверх 100%) или МпО 0,2 - 0,3 (сверх 100%) Оформление образцов и заготовок конденсаторов производят методом полусухого прессования. Обжиг образцов и изделий в зависимости от их размеров производят при 1260 - 1350 С. 50 или МО Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:1. Лвторское свидетельство СССР438628, кл. С 04 В 35/00, 1972.2, Лвторское свидетельство СССР585139, кл, С 04 В 35/00, 1976 (прототип). По данной технологии готовят образцы из трех материалов. Состав образцов приведен в табл. 1, а свойства их - в табл. 2,Заказ 86/1069 Изд,543 Тираж 706 Тип. Харви. фил. пред. Гатент НПО Поиск Подписное ВаО СаО Т 102 ХгОз ЗпО, ВзОз с 1 п 203 Я 02 Т 0, ХгО ВаО 5(О 5 О., СаО ЯпО В 1,0, ЯаО, Мп.,Г)з Мдоз СгО Т 10, ХгО, ЯпОз ЬпО, Яп 1 Оз ВиОз 1 О, Мп;О, Бг 0 ВаО 31,2 0,5 52,1 4,3 0,4 27 6,7 ,8 О, 0,2 гХ доо оой Иа эп 3О ййоо.ао: 31,2 06 52,0 3,9 0,4 2,8 6,7 2,1 О, 0,2 к З а оо а о ч О о ф а2,5 - 2,831.2 - 31,50,5 в 1,25,.8 - 6,85,8 - 6,80,1 - 031,8 - 2,40,3 - 0,90,2 - 0,33,9 - 0,9Остальное 31,2 0,5 Уи 4,3 0,3 2,6 6,7 1,8 0,2 0,2