Патенты с меткой «структурного»

Номер патента: 1402873

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Казимиров, Ковальчук, Чуховский

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, монокристаллов, совершенства, структурного

...от его положения, соответствующего максимуму интенсивностидифрагированного им излучения, отраРженный от исследуемого образца пучокнаправляют на кристалл-анализатор подуглом к его поверхности, большим Вз,выделяют диффузный максимум и измеряют его интегральную интенсивность,из акоторой находят относительную величину дефектной области исследуемогокристалла, 5 ил,1402873 разца первого и второго типа соответственно. ф о р м у л а изобретения Способ исследования структурного совершенства монокристаллов, заключающийся в том, что рентгеновский пучок от источника направляют на 10 кристалл-монохроматор, установленный под брэгговским углом 0 = 9 в, отраженный от первого кристалла пучок направляют на исследуемый образец, повернутый на заданный...

Номер патента: 1427268

Опубликовано: 30.09.1988

Авторы: Александровский, Дьяков, Рубинина, Яковлева

МПК: G01N 25/02

Метки: комнатной, метастабильных, монокристаллов, растворов, совершенства, структурного, твердых, температуре

...элементов. 5Целью изобретения является расширение класса контролируемых образцов монскристаллов и обеспечение неразрушающего контроля.Способ осуществляют следующим об разом,Г Кристалл твердого раствора помещают в печь и отжигают при температу,ре Т соответствующей двухфазной об ласти. При этом происходит выпадение второй фазы. Кристалл отжигают в течение времени й, которое зависит от температуры отжига. С ростом времени отжига растет размер частиц второй 2 О фазы поэтому минимальнал длительность отжига определяется мЬментом, когда размер частиц становится порядка длины волны оптического излучения ( 1 мкм), а следовательно, частицы становятся видны в оптическом Микро,скопе. После декодирующего отжига кристалл помещают в микроскоп,...

Номер патента: 1437752

Опубликовано: 15.11.1988

Авторы: Бершов, Ганеев, Кувшинова, Мейльман, Слицан

МПК: G01N 24/10

Метки: кристаллов, совершенства, структурного

...кварце вторая линияЗПР це дол.,ца наблюдаться. Появление второй пинии ЭПР означает присутствие индивидов в образце, а относительная интенсивность этой липин 1 о, =- 3,5/(42+3,5) = 0,08 определяет объемную долю двойниковых включений (87) в измеренном кристалле.П р и м е р 2, Методом ЭПР па частоте 9,3 ГГц проводили измерение структурного двойникования кристалла коруцда, активированного примесью хрома (рубина). Образец мог содержать двойниковые включения, ориентированные симметрично основному индивиду относительно плоскости (1012).Для измерений использовали одну из наиболее сильных линий известного спектра ЭПР хрома в рубине, достигающую максимума по полю В в параллельной ориентации при В = 3220 Гс,Исследуемый образец...

Номер патента: 1497533

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Адищев, Верзилов, Воробьев, Потылицын

МПК: G01N 23/20

Метки: монокристаллов, совершенства, структурного

...определения интегральной ширины профиля, как впрототипе, Так же замечено, что угловая ширина центрального минимума несколько уменьшается с уменьшениембрэгговского угла отражения.Чувствительность и точность способа будут определяться угловой шириной центрального минимума, статистическими ошибками измерений, разрешением детектора, а также методическими погрешностями (угловой расходимостью пучка заряженных частиц,многократным рассеянием и др.). Дляисключения методических ошибок исследуется профиль углового распределения от эталонного кристалла, который считается совершенным, имеет такие же размеры и располагается нэксперименте в той же геометрии, чтои исследуемый.ПКИ образуется по всей толщинекристалла, на пути пролета черезнего...

Номер патента: 1498918

Опубликовано: 07.08.1989

Авторы: Барер, Кобжасарова

МПК: E21C 39/00

Метки: горных, коэффициента, массива, ослабления, пород, структурного

...их наруее -:.ОРОДаМ, ИМЕВГИМ ПРОЧНГ СтЬ ЕЯ СжатИЕЕЕ МЕНЕЕ 3.) с:К,3 я Основе по:ученньх дянньх Определявт коэффициеет структурного ос -л ябления ряссматрин Яемс го иете рн яляЯссин Я по 3 Янис имости. де Гт, 1 ч, Г - суммарные модностис 9 .9слоев пород при трехсостояниях их нарушенности,Коэффициент К характеризует гео-.ЗС метрическое соотцошение рязмерон оце- . цинаемого интервала и ряс.ело)кенпых н нем слоев рязличнййт стР 1 ени нярущенности. Он имеет диапязс)1 значений от 0 когда весь массив сложен 1:Оно.итньеыи, сляботреТлеОватыьи тородем, 15 до 1 когда весь массив сложен сильнс тре)иноеятьеи интенсивно нярушениьье породами,О сонОкупнос 1 31 полученньх пое, ае 3 а-гелей и из вес тн-,ь го рнотехниче с;ким 40ляссификяциям ус...

Номер патента: 1523512

Опубликовано: 23.11.1989

Авторы: Гуревич, Сергеев, Халфин

МПК: B66B 7/12

Метки: дефекта, каната, подъемного, структурного, устранения, шахтного

...раму 18, снабженную шаговымдвигателем 19 с механизмом 20 качания, сообщающим ей возвратно вращательное движение, на которой жесткозакреплены напротив друг друга пообе стороны восстанавливаемого каната 2 излучатель 21 и приемник 22 светового импульса с усилителем 23 сигналов, электрически связанным посредством токосъемников 24 системами 16 автоматического регулирования частоты вращения приводов шкивов 13 трения соответственно механизмов закручивания и раскручивания. При этом лазерная установка, установленная перед рихтователем, электрически связана и с системой 10 автоматического регулирования частоты вращения приводов штоков 12 средних роликов 7 рихтователя 5.Устройство для восстановления шахтных подъемных канатов работает следующим...

Номер патента: 1543313

Опубликовано: 15.02.1990

Авторы: Айвазьян, Безирганян, Заргарян

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, рентгенографический, сверхрешеток, совершенства, структурного

...направляющие косинусыТдпадающей и дифрагированной волн;К - волновое число;х - модуль действительнойгЪчасти Фурье компонентыполяризуемости.В случае сверхрешетки каждому сателлиту в первом приближении соответствуют свои значения м,и х6 О рТон ТЬ 1 Ье = 24 Уп 2", Нх",. ОЕсли рассматривается симметричная схема дифракции, то также можно положить.= у, и );= ., т,е, экстинкционная длина практически не зависит от углов падения и отражения. Минимальная длина экстинкции определяется максимальным значением х , т.е. при нулевом или одном из первых сателлитов, и составляет такую же величину, что и в случае идеального кристалла - несколько микрон.При резко асимметричной схеме дифракцииУю 1 ф Хоф 03 мс 10Учитывая, что с увеличением номера сателлита...

Номер патента: 1622541

Опубликовано: 23.01.1991

Авторы: Клименюк, Обламиев, Орлик, Федоренко, Харченко

МПК: E04B 1/38, E04B 1/58

Метки: блока, колонной, покрытия, соединения, структурного, узел

...монтажа,На фиг, 1 изображен узел соединения перед монтажом, вид в плане; на фиг, 2 - сечение А - А на фиг, 1; на фиг. 3 - узел 10 соединения после окончания монтажа, вид в плане; на фиг, 4 - сечение Б - Б на фиг, 3.Узел соединения включает крепежный элемент 1 в виде шипов, прикрепленных на опорной части колонны 2, и фиксирующий 15 элемент 3 в виде спаренных прямоугольных коробчатых элементов, заполненных взаимно перпендикулярными г 1 ластинами 4, прикрепленный на опорной части структурного блока 5 покрытия. Для предотвращения вы падания пластин при монтаже коробчатые элементы выполнены с выступом 6, а пласти н ы - с соответствующей выемкой 7.Монтаж узла осуществляется следующим образом, 25Монтажным механизмом поднимают структурный...

Номер патента: 1710003

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Акимов, Бестань, Бурых, Лесовой, Марченко, Семидоцкая

МПК: A61B 6/00

Метки: почки, состояния, структурного

...члс (Зч.л.с) составляет примерно измерения послойных томограмм почки в2:1. продольном разрезе с ротацией датчикаНедостатком этого способа является вокруг продольной оси; перпендикулярнойневозможность точного определения пло- .к кожной поверхности, определяется еещади попой системы почки, Это связано с .:г, 1710003 5 6 максимальный длинник (А 1), а затем по той ние са стороны левой пачки (Кпр = 0,74, Кл = же методике - максимальный длинник по,66), При дальнейшем обследовании выполлой системы (В 1). Датчик переводится в дру- нена экскреторная ураграфия, с помощью когай доступ (другую проекцию), например тарой диагностирован конкремент в с/э дорзальный, и измерения повторяются в 5 левого мочеточника размером 0,8 х 0,6 мм и той же...

Номер патента: 1737076

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Клименюк, Павлов, Федоренко

МПК: E04B 1/38

Метки: блока, колонной, покрытия, соединения, структурного, узел

...в опорной плите 2 колонны и имеющего верхнюю часть в виде треугольной призмы 3, и фиксирующего элемента, представляющего собой прямоугольную ячейку 4, прикрепленную над отверстием опорного столика 5 блока покрытия. В ячейке вплотную друг к другу вертикально расположены пластины 6, опирающиеся своими выемками на выступы стенок ячейки, Нижнее ребро каждой пластины выполнено с зубьями 7, повторяющими форму треугольной призмы шипа. На всех пластинах положение зубьев и впадин между ними совпадает.Монтаж узла осуществляется следующим образом.Монтажным механизмом поднимают блок с установленными на нем фиксирующими элементами несколько выше проектной отметки, ориентируют его с помощью монтажных расчалок отверстиями опорных столиков...

Номер патента: 1748256

Опубликовано: 15.07.1992

Автор: Ткаченко

МПК: H03M 13/00

Метки: кода, структурного

...11-.системы 35 :счисления на два. Для представления всего натурального ряда чисел.А 2 МФ зададим многочленоми - 2А= Х а(Я) ф 1(Я), .Я= - 1 где и - разрядность;а(Я), а(Я), а(Я-З)=1,2 ф(Я)А 452) - 2-Ха (К) ф(К) 2 ф(Я+1);К=З+1а(Я)=0 -в противном случае;ф 1(з)=фЯ)+ф 1(Я-З), ф(-10,ф(0) ф 1(1)=0,5, 50 Мощность 2 МФ составляет 2 ф(п),структура 2 МФ: не менее одного нуля между кодовыми группами 1011. Например, числа А от 0 до 11 представимй следующими 52 МФ: (см. таблицу).,Минимальное кодовое расстояниепредлагаемого 2 МФ равнотрем, Запрещенные группы 2 МФ: 111; 11011; 01000; 01001; 401010, 0011. Следовательно, функция контроля 2 МФ задается алгоритмом Е(ЯКа(Я)а(Я) ч а(Я) ч а(Яа(Я-З)а(Я)ч ча(Я)а(8 1)а(3 2)а 1 РЗ)аТГ 4) Разработанный метод...

Номер патента: 1793344

Опубликовано: 07.02.1993

Авторы: Акимова, Сапрыкин, Тороев

МПК: G01N 23/20

Метки: параметра, структурного, эффективного

...на точность определения размера 45Ьд =Ь,Поочередные рентгеносъемники с излома предусмотрены только в симметричной геометрии, не позволяющей всегда с достаточной достоверностью определять эффективный структурный параметр материала, особенно при относительно малых его величинах: Ьсп 8 10 м.Условие определения размера Ьд = Ь по интегральной ширине дифракционной линии Вд - (0,7 - 0,8)Вр не является постоянным, поскольку величины Вд и Вр зависят отгеометрии рентгеносъемки,Цель изобретения - повышение достоверности определения эффективного структурного параметра материала при снижении затрат на реализацию.С этой целью применен способ, включающий механическое воздействие на локальные объемы материала с трещиной при начальной скорости Чо =...

Номер патента: 1800339

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Горбань, Самсоненко, Тимченко, Токий

МПК: G01N 24/10

Метки: анализа, кристаллических, совершенства, структурного

...вызвавших данный спектр, см з;Анализируют поликристаллическую алмазну 1 о пленку, синтезированную из газовой фазы по известной технологии, Методом ЭПР на частоте 35,5 ГГц проводили измерение плотности дислокаций в поли- кристаллической алмазной пленке, синтезированной из газовой фазы с плоскостями роста (И 1. Образец мог содержать дислокации, лежащие в плоскос;ях (И), ,ориентированные в направления 110. ввввй бразые дмежду ний и(56) Авторское свидетельство СССМ 546814, кл. О 01 М 27/78, 1977Авторское свидетельство СССМ 1437752, кл, О 01 И 24/10, 198 НАЛИЗА СТРУКТУРНОГО ВА КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ1800339 Составитель С.ГорбаньТехред М.Моргентал Корректор С.Шекмар Редактор Заказ 1160 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и...