Патенты с меткой «эпитаксиальная»

Номер патента: 581755

Опубликовано: 23.03.1981

Авторы: Долгинов, Дружинина, Мильвидский, Рогулин

МПК: H01L 33/00

Метки: структура, эпитаксиальная

...типа. Шихта длявыращивания эпитаксиального слоя10Оах 1 п х А 9 5 Ь содержит: индия 4 г,антимонида индия 1,2 г, антимонидагаллия 20 мг, арсенида индия 300 мг.Шихта для выращивания ОаАь 5 Ь содержит:. галлия 3 г, антимонида галлия 500 мг, арсенида галлия 3 мг,цинка 30 мг.Подложку арсенида индия подводятпод расплав для выращиванияОах 1 пл. А 5 Ь 9 при 520 С, а под 20,расплав для выращивания ОаАь 5 Ьок-цпри 500 СПроцесс эпитаксии проводят в режиме принудительного охлаждения раствора-расплава со скоростью0,8 град/мин.Толщины полученных эпитаксиальныхслоев: Оа 1 п Аь 5 Ь.З 20 мкм,ОаА 5 Ь40 мкм. Состав полученныхэпитаксиальных слоев, по данным локального рентгеноспектрального анализа, соответствует Оа 009 и Аь 5 Ьи О А 5 Ь0,09...