Электрохромная структура

Союз Советских Соцналнстических РеспубликОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ(22) Заявлено 110979 (21) 2818028/18-25 (5) М Кл3 С 02 Г 1/17 с присоединением заявки йо Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий(72) Авторы изобретения Томский ордена Трудового Красного .3 цамени государственный университет им. В.В.Куйбышева(54) ЭЛЕКТРОХРОИНАЯ СТРУКТУРА Изобретение относится к областиэлектронной техники и может быть использовано при создании твердотельных преобразователей иэображения.Известны электрохромные структуры, образованные прозрачными диэлектрическими пластинами, у которых на обращенных друг к другу сторонах нанесен электродный рисунок из прозрач О ных проводящих пленок оксида индия, и содержащие электроокрашиваемый и вспомогательный слои (1.Такие структуры обладают малым сроком службы и высокои инерционностью (время переключения в пределах 0,2-0,6 с).Наиболее близким техническим решением является электрохромная структура, содержащая электроокра- шиваемый слой трехокиси вольфрама и вспомогательный слой моноокиси кремния (5 О), Она состоит из обращенных друг к другу прозрачных диэлектрических пластин с нанесенными прозрачными проводящими электродами и расположенных между ними электроокра- шиваемого и вспомогательного слоев 2 1.Недостатком ее является небольшойсрок службы, который исчисляется 10 Ф 100 переключениями, после чего 30 идет электрическое старение скрашиваемого слоя с последующим разруше- нием в локальной области, а время переключения достигает 0,2 с. Невысокие электрооптические параметры обусловлены тем, что электроокрашиваеьый слои ИО не обеспечивает равномерное распределение центров светочувствительности в приповерхностном слое.Целью изобретения является увеличение срока службы электрохромной структуры.Это достигается тем,что в электрохромной структуре, состоящей из обращенных друг к другу прозрачных диэлектрических пластин с нанесенны ми прозрачными проводящими .электродами и расположенными между ними слоями трехокиси вольфрама и моноокйси кремния, соответственно введены слои восстановленной окиси вольфрама И 05 Х и двуокиси кремния 510 к,в которых 1 Е х2, причем слой 510 х непосредственно прилегает к слою 510, а отношение толщины слоя ЧОв к к слою ЧО соответственно составляет 1/15-1/7.На чертеже представлена предлагаемая электрохромная структура.871129 Формула изобретения Составитель Г.Александактор О. Филиппова Техред М.Рейвес Г, Н Коррек в Заказ 8432/19 ВНИ п 113 ФТираж 542 ПИ Государственного комитета С делам изобретений и открытий 35, Москва, Ж, Раушская набодписное илиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,Электрохромная структура содержит стеклянные пластинй 1, проводящие прозрачные электроды 2 из 3 нО 9 и слои И 09 3, ЧО х, Ь 0 - 5, 530 в .6.В слое восстановленной окиси вольфрама равномерно формируются центры окраски из кислородных вакансий, ассоциированных с разными катионами, и катионов И , находящихся в злах решетки, Это повышает быстродействие и срок службы электрохром-, ной структуры. Слой 5 Ох стабилизирует слой ЧОи обеспечивает снижение сквознйх токов и увеличение электрической прочности электрохромной структуры.Структура ЧОэ-ИО -50-50 имеет следующие электрооптйческие параметры: 2 = 210 с; И= 8,104, где 5 - время переключения, М- общее число циклов переключения, Толщина слоя ИОз- для этой структуры составляет 0,06 мкм, а слоя И 05 - 0,76 мкм.Использование окрашиваемого ЯО и стабилизирующего (50 Х) слоев выгодно отличает предлагаемую электрохромную структуру, поскольку формируются равномерно распределенные центры окраски. В результате качество электрооптических параметров будетулучшено, что .увеличит сферу;. применения электрохромных структур и повысит надежность и стабильность микросхем. Электрохромная структура, состоящая из обращенных друг к другу про;зрачных диэлектрических. пластин снанесенными прозрачными проводящимиэлектродами и расположенных междуними электроокрашиваемого и вспомогательного слоев, а т л и ч а ю -15 щ а я с я тем, что, с целью увеличения срока службы между электроокра.шиваемым и вспомогательным слоямипоследовательно введены пленки восстановленного окисла вольфрама и двуокиси кремния:Источники информациипринятые во внимание при экспертизе1. Патент США Р 4053209,кл. С 02 Г 1/36, 1977.2, Красов В.Г. Обзор по электронной технике "Пленочные диэлектрикив микроэлектронике". М., ВИНИТИ,19 78, с. 46 (прототип) .