Патенты с меткой «резистивный»

Номер патента: 834778

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Котов, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...таких пленок могут быть получены ЗО только при отжиге их при температуре834778 свыше 450 ОС, .т.е. в области температур, где всегда наблюдается образоваание дефектных пятен, приводящих к ухудшению стабильности резисторов.Цель изобретения - повышение термостойкости.5Для достижения указанной цели в известном резистивном материале для изготовления тонкопленочных резисто. - ров, содержащем хром, железо, алюминий, двуокись кремния и алунд, исходные компоненты взяты в следующем соотношении, вес.Ъ:ХромЖелезоАлюминийДвуокись кремнияАлунд 10-80 3-20 Хром Железо Алюми- Двуокись АЛунд у , Ом/О ТКС, 10 1/ С ний кремния Смеси 10 - 100 1 75 2 30 3 10 2 3-30 10 8 200-500 +10 - 100 15 12 3000-10000+10 - 100 10 Формула изобретения 10-80 3-20...

Номер патента: 834779

Опубликовано: 30.05.1981

Автор: Березин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ионнойронной составля- составляющейСцБ А 95 ющей 6 е,. Ом" см о, Ои см Номеробраз ца 75 25 4,6 3,5 4,6 35 65 50 0,8 4,6 50 4,6 1,05 35 4,3 4,6 25 В таблице .приведены составы полученных .образцов и данные измерений электронной и ионной составляющих проводимости при 400 С.Соотношение металл-сера в растворе методом кулонометрического титрования в гальванической цепи А 9/А 9 (Сц+.А 9)д 5) Р устанавливается с высокой точностью стехиометрическим.Измерение электропроводности осуществляют, прижимными вольфрамовыми зондами компенсационным методом с помощью полуавтоматического потенциометра.Как видно из.таблицы, увеличение или уменьшение содержания сульфида серебра приводит к существенному росту электронной. составляющей.Кривые зависимости...

Номер патента: 834780

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Арсеньева, Аулова, Домочацкая, Рогова, Тужикова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в качестве сажи использованасажа с масляным числом 160- "180 мл/100 г и рН 6-9 при следующемсоотношении компонентов, вес.Ъ: 20834780 Сажа .с маслянымчислом 160,180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен 8,4 0,3 ,16 Остальное формула изобретения Сажа с маслянымчислом 160180 мл/100 г ирН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленоксифениленметилен З,б 0,1 8,4 25 Остальное Сажа с масляным числом 160- 180 мл/100 г и рН 6-9ГрафитСлюдаПолифениленок- сифениленметилен 3,6-22 Ос 12-Огб 8,4-20Остальное 35 40 Составитель В,ЛенскаяТехред Ж.Кастелевич Корректор М,КостаФ Редактор Н.Бушаева Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д,...

Номер патента: 834781

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Колдашов, Красов, Крылова, Поташникова, Пуронене, Турчина

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

...материал, содержа щнй окись свинца, двуокись кремния и двуокись рутения, дополнительно содержит окись меди при следующем количественном соотношении компонентов, масс.ЪОкись свинца . 7 -80 Двуокись кремния 10-25 Двуокись рутения 3-10 Окись меди 0,5-10Введение в состав резистивного материала окиси меди позволяет получать толстопленочные резисторы в диапазоне сопротивлений от 5 кОм до 1 МОм, имеющие стабильность параметров при длительном воздействии (в течение 30 сут) повышенной влажности (98) не более .+1 и ТКС - не более 100 10 1/ С.. Формула изобретения 40 Составитель Н.КондратовТехредЖ.Кастелевич Корректор В.Синицкая 1 Редактор Н.Кешеля Заказ 4112/79 Тираж 784 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и...

Номер патента: 834782

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Белорусец, Боровинская, Выскубов, Мержанов, Михайлов, Суворов

МПК: H01C 8/00

Метки: композиционный, материал, резистивный

...элект зистивной компози счет изменения фа диапазон номинало Ома до сотен М меет высокую м ь Ьс, = 800 сопротивления реи изменяется завого состава исопротивлений ко леблется от одно Материал при это анич000 ую проче 1 остсм . 3 83478 циркония, диаборид циркония, карбонитрид титана) изготавливают способом самораспространяющегося высокотемпературного синтеза,Связку получают из однозамещенной соли алюминия в фосфорной кислоте с плотностью 1,42 г/смЗначительное упрощение технологии изготовления композиционных резисторов достигается при использовании по рошка, представляющего смесь тугоплавкого соединения с наполнителем, который синтезируется путем сжигания металла 1 Ч-Ч групп с алюминием и элементом из группы углерод, бор, азот 15 При...

Номер патента: 866582

Опубликовано: 23.09.1981

Авторы: Закиров, Петров, Строков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...г о 120 50-70 30 бИз ретение позволяет пол вный материал с улучш техническими свойства ь резистифи зикобенно п осо о адгезии с основои и вости, что дает возмож овать резистивный мате водоость стоич споль 3 0 за 3,0-10,0 ьд е гид ная 1,0-5,0 0,003-0,00Про сце ос Ацетонфо мола ами Падкии натрДис тилли ров анная ода 5-0,8 1,0-1 3-1,кои, МСопротиление,Темпера Остальное 110 1 10 10 Источни ки информации,ание при экспсвидетельствоН О С 7/ОО.свидетельствоС 7/00,ерти СССР 9 71 СССР принятые во вни1. Авторскоеу .376815, кл. 22. Авторское турныиэффици е сопротивления,1/град У 574045, кл. 2 Н 010,040 +0,040 +0,040 прототип),ВНИИПИ Заказ 8084//2 Тираж 787 Подписное ППП "Патент",г.ужгород,ул.Проектная,4 мый в воде н любых соотношениях,...

Номер патента: 866782

Опубликовано: 23.09.1981

Автор: Трофимов

МПК: H05B 3/22

Метки: кипящем, нагрева, нагреватель, резистивный, слое

...лобовых частей нагревателей; на фиг, 8 " участок конструкции нагревателя для эксплуатации принапряжении сети (без трансформатора);на фиг. 9 - фиксация краев щели принедостаточной жесткости ленты нагревателя,1В электропечи с кипящим слоем 1 сгаэораспределительной решетки 2 вкаркасе 3 размещен зигзагообразныйленточный нагреватель из сплава сопротивления. Зигзагообразно навитаялента в каркасе 3 дополнительно уложена зигзагом с большим шагом, Между смежными лобовыми частями имеются воздушные промежутки, Лента фик 20 25 39 35 40 45 Я 55 сируется в конструкции с помощьюприкрепленных к ней (например, контактной .сваркой) стержней иэ сплава сопротивления, зафиксированных в отверстиях изоляторов 4 из жаростойкого метериала.Смежные...

Номер патента: 871230

Опубликовано: 07.10.1981

Авторы: Баткова, Гандельсман

МПК: H01C 7/20

Метки: материал, резистивный

...20 - 40Стекло платинитовойгруппы 20 - 40.Для получения резисторного материала были приготовлены три смесикомпонентов, содержащие каждая(Ъ вес) : карбида титана - 18; 20;12; борида титана - 4; 4; 4; дисилицида молибдена - 18; 16; 24; алюмоборобариевого стекла - 30; 40; 20 истекла платинитовой группы - 30 у 20;40.Порошкообразные компоненты смешали, подвергли вибропомолу в смесиамилацетата и иэопропилового спирта,нанесли на керамическую подложку испекались в атмосфере водорода при900-950 оС в течение 5-10 мин.Затем измерили сопротивление полученных резисторов при комнатнойтемпературе и после пребывания ихв зоне нагрева до 100 фС и рассчиталитемпературный коэффициент сопротивленияПолученные три партии образцовхарактеризовались температурным...

Номер патента: 877353

Опубликовано: 30.10.1981

Автор: Лусте

МПК: G01K 7/22

Метки: датчик, заданной, резистивный, температуры

...симметрии 00,Пластина вырезана из анизотропногоматериала таким образом, что при заданной температуре ее плоскость совпадает с плоскостью изотропии электропроводности материала чувствительного элемента, На плоскости пластинывыполнены четыре, контакта, причемконтакты 2 и 3 расположены на осисимметрии, а контакты 4 и 5 распо,ложены на прямой ИИ , перпендикуляр-,ной.оси сщчметрии на одинаковом отнее расстоянии, Через контакты 2 и 3датчик подключается к источнику питания б, с контактов 4 и 5 снимаетсясигнал датчика,Датчик работает следующж обра зом,При пропускании через чувствительный элемент электрического тока,вследствие симметричной формы пласти-ны, линии тока и эквипотенциальныеповерхности также являются симметрич.ными относительнооси...

Номер патента: 879657

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Левкин, Макевнина, Проценко

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...вес,йтПалладий 17,87-18,61Серебро 42;33-44,06Окись серебра 14,27-18,85Окись индия 7,06-7, 34Окись висмута 1,77-1,84Стеклосвязка 14,70-13,30.Для получения реэистивного материала были приготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.йтЗаказ 9731/23 Тираж 787 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 415Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная 4 Каждую смесь приготовляли путемнеремешивания указанных компонентов,усреднения пятикратным просевом через капроновое сито с ячейками 65 мкмдобавления органической связки1,22 вес.Ж от веса порошковой композиции), состоящей из ланолина, вазелинового масла и циклогексанола, взятых в отношении 15:3:1, и...

Номер патента: 879658

Опубликовано: 07.11.1981

Авторы: Капитонов, Коконбаев, Петров, Ташкулов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...количественном содержании компонентов, мас.ХМетилцеллюлоза 4,0-12,0 Хлорпреновый каучук 1,0-3,0.Диспергатор 0,1-1,0 Прокаленная тонкодисперсная сажа 3,0-5,0Вода Остальное Ниже приведены.конкретные примеры приготовления резистивных материалов предлагаемого состава с различным содержанием исходных компонентов с минимальным, средним и максимальным содержанием исходных компонентов.Приготавливали раствор метилцеллюлозы в воде, который после фильтрачастями вводили тонкодисперсную прокаленную сажу при работающей мешалке и перемешивали до достижения однородной массы.Полученную массу наносили на предварительно подготовленные керамические стержни (заготовки) соответствующих резисторам типа КЭВ для изучения электКоличество компонентов, .мас.%...

Номер патента: 890443

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Кононюк, Махнач, Сурмач

МПК: H01B 1/08

Метки: материал, резистивный

...материала приведены значе ния объемных удельных сопротивленийР при 20, 150, 500, 800 С и значенияТКС в интервалах температур 20-150 Си 500-800 С,статочно хорошо спеченных образцов С необходимы высокие температуры,при 45которых однако происходит частичноеразложение 1.ай 1 С Последующий обжиг в кислороде восстанавливает токопроводящую Фазу.Реэистинные пленки указанных сос- И тавов наносятся на подложки из ФарФоровых или глиноэемистых трубок путемсмачивания раствором солей лантанаи никеля, предпочтительно азотнокислых или уксуснокислых,с послед дующим обжигом на воздухе или втоке кислорода при 800-1000 С во,течение от 5-10 мин до 5-8 ч. Внисимости от толщины и состава ш890443 близкие к составу 2 см. таблицу),имеют малый ТКС в...

Номер патента: 890450

Опубликовано: 15.12.1981

Авторы: Гладышевский, Карымов, Левин, Луцив, Минеев

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...исходных составгяющих (Та 5 Мо 5Т 5 ),взятые в необходимых пропорциях,подвергаот мокрому смешиванию в средеэтилового спирта (200 мл на 1 кг по 1 врошка) в течение 6 ч, Затем полученную смесь сушат в термошкафу при60-80 С и подвергают просеиваниючерез сито с сеткой У 0063 для разрушения конгломератов, 15Готовую смесь прессуют под давлением 3 т/и с помощью гидравлическо 2го пресса Пв брикеты ф 20 мм иподвергают высокотемпературой вакуумной обработке в вакуумной печи 26СГН 2,3/15-,2 при остаточном .давлении3-7 10 Па и температуре 1300-1400Спеченные брикеты извлекают из вакуумной печи, пробят в механическойступке СМВЛ и отбирают пробу для рентгеновского фазового анализа, которыйпроводят на дифрактомере ДРОН. Затем на рольганговой мельнице с...

Номер патента: 894801

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...10,5Хром 14-17Ванадий 5 - 7Титан 2 - 3Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материалаготовят три смеси компонентов, содержащиекаждая (вес.%) кремния 37,5;39,1 и 40,5;0железа 11; 12,2 и 13, алюминия 8,5; 9,5и 10,5; хрома 14; 15,4; и 17, ванадия 5;6,2 и 7, титана 2, 2,6 и 3 и вольфрама -остальное,Каждая смесь компонентов в виде гранулзагружается в кварцевый тигель, который помещается в открытый высокочастотный индуктор, и подготовленная шихта плавится в течение 85 мин, Полученные слитки измельчаютна щековой дробилке и механической ступкедо порошка с размером зерна менее 125 мкм,Порошок испаряется в вакууме с вольфрамового испарителя в течение 30 сек, кондея.сируется на поверхности подложек, которые89480 следующем соотношении...

Номер патента: 894803

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Розенцвайг, Серяков

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...с ГОСТ 7113 - 77 имеют аВ:а) в области положител+ 1200 10 6 К .Недостатком известногонизкий выход годных издвенной адгезии металлизирорамической подложке, вслеверхности керамики на техн оявляются царзпины, риски ль изобретения - повышениЗаказ 11501/83 Тираж 787 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Ванадий 4,5-7,5Титан 2,5-3,5Вольфрам ОстальноеДля получения резистивного материала го. товят шихту иэ компонентов следующего состава, %:Кремний 54Хром 12,8Алюминий 9,7Вольфрам 14,9Ванадий 5,8Титан 2,8Плавка проводится в открытом индукторе высокочастотной установки в кварцевом тигле. Полученный слиток...

Номер патента: 894804

Опубликовано: 30.12.1981

Авторы: Астров, Горькова, Карпеченков, Слушков, Шоткин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...2 30Хром ОстальноеВведение в известный реэистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств во времени при температуре окружающей среды до + 200 С.894804 Таблица 1 Окись марганца Мп 01 КремнийСмеси Хром ВольфрамСг В 12 15 10 63 94 30 10 45 10 83 Таблица 2 Сплав Удельное сопротивление, Ом/г 1 ТКС, 101/ С 5 - 5000,8 - 150 50 - 5000 150 - -100 300 -- 15 150 - -150 0)8 - 250 150 -- 50 ВНИИПИ Заказ 1150 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Кроме того, введение МОО, способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные мишени для ионно-плазменного юпы пения,В...

Номер патента: 902082

Опубликовано: 30.01.1982

Авторы: Ленных, Макордей

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...получения реэнстивного материала го. товят две смеси компонентов, каждая из которых содержит водные растворы азотнокислых солей никеля и кобальта, г: М(ЙОз)г 264,7 и 291,1 и Со(ИОз)г 5295 и 5031 Соотношение по металлу никеля к кобальту составляет 1:2 как стехиометрическое для наиболее полного превращения и образования кобальтита никеля со структурой шпииели.Каждую смесь готовят следующим образом.Готовят смесь 10%-ных водных растворов азотнокислых солей кобальта и никеля, нз нее 10%-ным раствором аммиака (рН) при 80 С осаждают при деремешивании смесь гидроокисей кобальта и никеля. Подученный оса. док отгоняют на лабораторной центрифуге ЛПУ - 1, в течение нескольких дней высушив сушидьном шкафу при 100 - 120 С,растирают и отжигают при...

Номер патента: 904203

Опубликовано: 07.02.1982

Автор: Петров

МПК: H05B 3/16

Метки: измерительных, петрова, радиотехнических, резистивный, устройств, электронагреватель

...получить остаточное поле щримерно на 10 ржит полый корпус 1, 20% меньше, чем у четырех бифилярных20а однослойная много- пРоводников известного нагревателя, такдержащая 3 групп как три бифилярных проводника занимаютавной длины,бифи- меньше места на единицу длины корпуса2 - 4 Витки каждого 1, чем четыре бифилярных проводника изка расположены по-. вестного нагревателя.а другом, В прав В случае осущестыения электронагре, Поэтому провод вателя с девятью бифилярными проводниют три смежные груп- хами ( 6 = 2), каждый одиночный бифидников в каждой из лярный проводник (фиг. 1) должен бытьзаменен на три бифилярных проводника,проводнику,2 имеет выводы 5 включенных укаэанным выше способом,При этом ток в пятом проводнике будет4 - выводы 9 и 10...

Номер патента: 911629

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Колдашов, Красов, Поташникова, Пуронене, Турчина, Фомина, Чигонин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...влажности (98) не более Ф 1 а также выход годных резисторов 75-95 (в зависимости от величины сопротивления резисторов).911629 Сонротив- ТКС 1/фС ление, . 108(при Ом/О 25-. 155 С)ею ю ю Ве Содержание; мас.Ф Стабильность,Ф Состав в 1 О Рьо, вцо 1 ипо 1 и Предлагаемый 117 7010 1, 2 4990 13 47 30 . 4 б 129 100 1,2 0,7 100 10. 35 25 10 20 9,3 69,8 20,9 Известный Формула изобретения Редактор Н,Гришанова Составитель Н,КондратовТехред Л.Пекарь Корректор О. Билак Заказ 1140/46 Тираж 758.ВНИИПИ Государственного комитета СССР. по делам изобретений и открытий 113035,Москва, Ж, Раушская наб.,4/5Подписное филиал ППП Патент 1 г.ужгород, ул.Проектная,4 Установлено, что при содержании в резнстйвной композиции вольфрама менее 2 и более 20 мас, Ф и...

Номер патента: 911630

Опубликовано: 07.03.1982

Авторы: Карабанов, Рябов, Соломенников

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...от состава исходной смеси.Прн изменении содержания двуокиси кремния в реэистивном материале 20-80 ТКС имеет положительную величину.В зависимости от состава величина ТКС измеряется в широких пределах. Для состава, содержащего 15 СгО г ве" личина ТКС равна 10 1/оС, а для состава с 30 СгоОк - 55 1/оС. При содержании СгОг более 90 величина ТКС становится отрицательной.Температурная зависимость сопротивления аналогична температурной зависимости сопротивления позисторов. Удельное сопротивление резистивнога материала в области низких температур составляет 10-10 ь Ом см,что позволяет изготовлять микрорезнсторы для микроэлектронных схем.Ниже приведены конкретные примеры изготовления реэистивных материалов ;предлагаемого состава с различньм. т...

Номер патента: 924765

Опубликовано: 30.04.1982

Авторы: Богаткова, Волкова, Гудков, Загинайло, Закс, Максимцова, Ряхин

МПК: H01C 7/00

Метки: высокоомных, материал, резистивный, резисторов, тонкопленочных

...тем, 10 что резистивный материал для изготовления высокоомных тонкопленочных резисторов, включающий хром, железо, алюминий, смесь окислов кремния и алюминия дополнительно содержит окись 15 кадмия при следующем количественном соотношении компонентов, вес.Ф:Хром 12- 10Железо 1-10Алюминий 10-20 20Окись кадмия 2-15Смесь окисловкремния и алю"миния ОстальноеВводимая в предлагаемый резистив ный материал окись кадмия смещает Средние зна чения велиДиапазонполученных значений ТКС101/Со Алюминий Окиськадмия чин поверхностного сопротивлениярезистивныхпленок окисловкремнияи алюминия-10- +30 16 17 50 Как видно из таблицы,резистивный материал может быть использован при изготовлении высокоомных тонкопленочных резисторов с малым уровнем...

Номер патента: 930753

Опубликовано: 23.05.1982

Автор: Петров

МПК: H05B 3/16

Метки: измерительных, петрова, радиотехнических, резистивный, устройств, электронагреватель

...между собой ипревышают в два раза длины одиночныхпроводников 4 и 5. Стрелками обозначенотехническое направление протекающего тока.Ток в проводниках 4 и 5 в два раза боль.ше чем в смежных с ними проводникахбифиляров. Первый бифилярный проводник2 имеет выводы 6 и 7, второй,.бифилярныйпроводник 3 - выводы 8 и 9, Одиночныепроводники 4 и 5 имеют соответственно выводы 10-н 11. Выводы 6 - 9 бифилярныхпроводников 2 и 3 соединены соответственно между собой,Устройство работает следующим образом.Нагрев проводников 2 - 5 осуществляетсяот внешнего источника тока, к которомуподключаются выводы 6 и 8, Протекающийток вызывает в каждом проводнике остаточное магнитное поле, направленное вдоль осикорпуса 1. При этом направление остаточногомагнитного поля...

Номер патента: 942174

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Акулова, Корнатовский, Негляд, Руд, Смолин, Тельников, Федоров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...широкую область твердыхрастворов, что дает возможность полу- вчить однофазный материал, используемый в качестве токопроводящей фазырезисторов., ТКС толстопленочных резисторов из этого материала ниже,чем ТКС резисторов на основе инди" у 5видуаль ных Ва В и а В.Для изменения номйналов сопротивления толстопленочных резисторов вопределенных пределах обычно изменяют состав реэистивного материала(изменяют соотношение токопроводящей фазы и стекла). При этом неизбежно изменяется и ТКС, зависящийот состава материала и ТКС токопроводящей фазы.При изготовлении резисторов изпредлагаемого материала с различнымсоотношением токопроводящей Фазы истекла имеется возможность сохранятьнизкий ТКС за счет использования в 4 4качестве токопроводящей...

Номер патента: 943589

Опубликовано: 15.07.1982

Автор: Ансо

МПК: G01R 19/00

Метки: импульсного, источник, малого, резистивный

...резистора выполнен в виде частотно-зависимого делителя напряжения, вход которого соединен свыходом генератора импульсного напряжения, а выход присоединен к первому выводу высокоомного резистора.На чертеже изображена блок-схемаисточника малого импульсного тока.Резистивный истоцник малого импульсного тока содержит генератор1 импульсного напряжения, частотнозависимый делительнапряжения,соединенный свою входом с выходомгенератора 1 импульсного напряжения,и высокоомный резистор 3, один выводкоторого соединен с выходом делителя 2 напряжения, а другой присоединен к выходу источника. Резистор 3имеет омическую составляющую сопротивления, равную К, и реактивную, 23паразитную составляющую сопротивления, равную 2 ....

Номер патента: 945907

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воложинская, Карлов, Попова, Поташникова, Пчелина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...компонентов, вес.Ф:Рутенат свинцаРЬ 0 оО0Оксид ванадияЧ,200,2-2,25Оксид сурьмыО,Оксид циркониягго 0,38-0,9Свинцовоалюмо".боросиликатноестекло ОПример. Дляпол . зистивного материала готсмесей компонентов, соде3 945907 дая, вес.: рутената свинца .РЬ ко, О 35,34; 39,06; 41,85 и 43,00, оксида ванадия Ч О 1,9; 2,1; 2,25 и 0,2, оксида сурьмы ЬЬО 5 0,38; 0,42; 0,45 и 0,9, оксида циркония ЕгО 0,38; . % 0,42; 0,45 и 0,9 и свинцовоалюмоборосиликатного стекла 62,0; 58,0;55,0 и 55,0.Каждую смесь готовят путем перемешивания компонентов с добавлением 16 органического связующего.Полученную пасту наносят на керамические подложки методом сеткотрафаретной печати и обжигают на воздухе .при 850"900 оС. 15Изобретение позволяет получать...

Номер патента: 945908

Опубликовано: 23.07.1982

Авторы: Воложинская, Карлов, Попова, Поташникова, Пчелина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...36,96+50 Р Ь.1 л 0,42 ЕгО 2,1 0,42 ЬО Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное РЬ ВО И,38+30 РЬЬ 1,68 ЕгО 0,42 2,1 Ч 05 0,42 5 Ь 205 Свинцовоалюмоборо;силикатноестекло Остальное 3 Оксид ванадия НО Оксид сурьмы ЬЬО Свинцовоалюмоборосиликатное стекло Состав композиции,вес. Ф Н О 1 ь 9 БЬ 05 0,38 4В таблице представлены смеси для получения резистивного материала предлагаемого состава. Удельноеповерхностное сопротивлениеВ, Ом/О при -60 оС при +155 оС 68.000-100.000 68.000-100.000-68.000 09 2,25 0,45 Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное Свинцово- алюмоборосиликатноестекло Остальное П р и м е р , Токопроводящий материал и стекло измельчают и перемешивают с временной органической связкой. Пасту наносят на керамическое основание...

Номер патента: 947919

Опубликовано: 30.07.1982

Автор: Селимов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...стабильности сопротивления тонкопленочных.резисторов при сохранении высокого удельного сопротивления и низ- " кого значения ТКС.ПоставЛенная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий моноокись кремния, ситалл и хром, содержит компоненты в следую. щем количественном соотношении, вес.Ъ:Моноокись кремния 30-40.Ситалл 30-40 Хром ОстальноеПримеры конкретного выполнения.947919 ной пленки для всех изготовленных резисторов по всем девяти образцам были выбраны одина- ковыми Составы резистивного материала и полученные электрические характеристики тонкопленочных резисторов приведены в таблице. Компоненты, вес.% Образец Удельное поверхностноесопротивление, кОм/кв. Стабильностьза 1000 чпри +75 С, % Хром Моноокись Ситаллкремния 30 30...

Номер патента: 953672

Опубликовано: 23.08.1982

Авторы: Кондратов, Рогова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...распыления.Резистивный материал используется длянанесения пленок на установке типаУВНР,Остаточное давление в камересоставляет 310 мм рт, ст. Напылениепроизводится на ситалловые подложки,Поставленная цель достигается тем,что резистивный материал, содержащий кремний, титан и кобальт, содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес, %:Кремний 57-65 9Титан 25,1-28 5Кобальт 9-1 5,цля получения резистичного материала подготовлено три смеси компонентов,содержащие каждая, вес. %: кремний65,9; 61,5 и 57; титан 25,126,5 и2 8 и кобальт 9, 1 2 и 1 5.3 953672 4нагретые до 200 С, через биметалличес-1 онкопленочныр резисторы, изготовленокую маску. В качестве контактных пло- ные на основе резистивного материала,щадок используется слой...

Номер патента: 960967

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Абдуллаев, Горелов, Джуварлы, Дмитриев, Никольский, Пугачев, Халин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...Н.Король Заказ 7301/67 тираж 761 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб д. 4/5Филиа ППП "Патент", г, Ужгород, ул, Проектная,3 96Для получения резистивного материала готовят три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.4: технический углерод 7,00; 7,00 и 9,00,силикат натрия 21,00; 21,00 и 21,00окись кальция 0,01; 0,01 и 1,51,кварцевый песок 11,97; 6,48 и 6,00,1молотый гранулированный алак 60,00;60,00 и 58,00, гипс 0,01; 0,01 и0,01 и тонкодисперсный теллур 0,01;5,50 и 4,48.Каждую смесь готовят следующим образом.Технический углерод, силикат натрия, окись кальция, кварцевый песок,молотый гранулированный шлак и гипсперемешивают в течение 4-8 минв шаровой мельнице....

Номер патента: 960968

Опубликовано: 23.09.1982

Авторы: Кононюк, Любкина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...мол.Ф:Оксид бария 47,8 - 49,3Оксид свинца 8,5 - 270Диоксид титана 25,2 - 42,2Для приготовления реэистивного материала используют порошки титана бария и мета-плюмбата бария приготовленного из карбоната бария и оксида или диоксида свинца, взятых в молярном соотношении 1:1,2, путем обжига на воздухе или в кислороде при 850 оС в течение 2-4 ч. Смесь порошков ВаТ 10 ВаСОи РЬО прессуютои спекают при 850-870 С в течение2-4 ч на воздухе.Э 960968 4 РЬО и 9,58 г ВаТО. Смесь тщатель и 500 С и значения температурных но перемешивается и обжигается на коэфФициентов сопоотивления для инвоздухе при 850-870 С в течение 2 ч. тервалов температур 20- 150, 150-300 и Иэ полученной смеси под давлением 300-500 С,М т/см формуют цилиндр длиной 29 мм з Из таблицы...