Патенты с меткой «резистивный»

Номер патента: 675553

Опубликовано: 25.07.1979

Автор: Нефедьев

МПК: H02M 3/06

Метки: делитель, постоянного, резистивный

...ного резистора 87 и постоянных резисторовВ 8, В 9, В 10, и последующие ступени.Измеряемое йапряжевие подается на зажимыделителя - Овх и С или -Овх и О и т.и. иснимается с зажимов А и В (к потея яж Й 1 и" Номии которых ворМ альные значения сопротивле состоит делитель напряженияследуатднм равенствам: 3Изобретение относится к многоступенчатымрезистивным делителям напряжения постоянного тока и может быль использовано для точного измерения в широком диапазоне напряжений,Известен многоступенчатътй реэистнвный дели.тель напряжения постоянного тока, содержаций,выходную степень с постоянным выходным со.противлением, входные ступени, выполненныеиз постоянных резисторов и подстроечного ре.зистора Я,Этот резистивный делитель напряжения является...

Номер патента: 682956

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Баскакова, Горячева, Грибенюк, Кривошей, Солнцев, Юсова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...Полученные прессованные заготовки подвергают размолу и рассеву до достижения дисперсности +63 - 100 мкм. Окись кадмия и ниобия дисперсности +20 - 44 мкм и фракция лигатуры +63 - 100 мкм тщательно перемешивают, и 10 из полученной шихты прессуют резистивные элементы методом гидропрессования при давлении 0,6 т/см-. Спрессованные изделия спекают при 600 С в воздушной среде в течение 6 ч в печи электросопротивлс ния. Скорость охлаждения составляет300 град/ч.В таблице приведены характеристики резистивных элементов на основе предлагаемого материала в зависимости от различ ного количественного содержания компонентов.Преимуществом предлагаемого матсриала по сравнению с известными является повышенная мощность рассеяния за счет уве личения...

Номер патента: 682957

Опубликовано: 30.08.1979

Авторы: Аминов, Коваленко, Набиева, Никадамбаев, Танаева

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...67.Токопроводящая пленка такой суспензии имеет следующие характеристики: 15Коэффициент напря,0жения, /оКоэффициент цик,5личности, %Температурный ко- +500 (при измереэффициент сопро- ниях от +20 до тивления + 125 С)/оУскоренное старе,5нис о/о30П р и м е р 2. 6,3 г сажи ДГ, прокаленной при 1100 С, перемешивают в атриторс с 99,6 г смеси растворителей (толуол, этилацетат в соотношении 3: 7) в течсние 2 и. Затем, после добавления 68 г лака ЭФи 3,2 г отвердителя суспензию перемешивают как описано в примере 1.арактерпстика токопроводящей пленки следующая: АФК ДГУ 12 ( 3 4,125,090,881,01,5 10,0 8,0 82,0 6,7 1,6+500 - 540 0,7 360 2,5 ф деление сажевых частиц более равномерное, чем в композиции с диэтиленгликольуретаном.Из таблицы видно также, что...

Номер патента: 684788

Опубликовано: 05.09.1979

Авторы: Малей, Федотов

МПК: H05B 3/06

Метки: печей, резистивный, электронагреватель

...или круглого сечения. Графитовые пластины 3 нагревателя и волокнистые прокладки 4 и 7 имеют одинаковую с сечением токоподводов форму, равные ему по размеру, или имеют больший размер и образуют на поверхности нагревателя слой дополнительной теплоизоляции.В зависимости от необходимого распределения температуры по длине нагревателя предусмотрена возможность увеличения или уменьшения толщины прокладок 4, в том числе и выполнения отдельных участков нагре- бб вателя только из графитовых пластин, Вся электрическая печь, где установлен нагреватель может иметь рабочий канал б как внутри нагревателя, так и вне его. В последнем случае рабо" чий канал может быть образован нагревателем или несколькими нагревателями и...

Номер патента: 693443

Опубликовано: 25.10.1979

Авторы: Антонян, Боголюбова, Каменская, Просвирнина

МПК: H01B 1/06

Метки: материал, резистивный

...г диметилформамида тща25 тельно в течение 2 ч перемешивают в быстроходных смесителях, Полученную композицию фильтруют, вакуумируют и наносят методом полива или другими способами на подложку в виде стеклотекстозо лита или керамики. Производят предварительную подсушку резистивного слоя вотечение 24 мин при 150 С и вырубку резистивных элементов (в случае стеклотекстолитовой подложки). Затем наносят35 серебряную контактную суспензию и подимеризуют резистивные элементы при 200-220 С в течение 3 ч 50 мин. Указанный состав композиции обеспе чивает получение номинальных сопротивлений резистивных слоев от 300 кОм до 1 мОм со следующими характеристиками:среднее значение коэффициента влагостойкости за 1 О сут испытаний при45=-40 С и Ф95-98% до +...

Номер патента: 697066

Опубликовано: 05.11.1979

Автор: Вольфганг

МПК: H05B 3/03

Метки: диффузных, полупроводников, процессов, резистивный, электронагреватель

...очень хорошийконтакт при подключении к источникуэлектрггчесгого токаДля получения надежного контактаоказалось выгодным круглое ггглифовацие кремниевой трубки перед наложением графитовых контактов, а в качЕстве электродного покрытия для графитовых эпектродов выт.одно применяьмедные электроды,При изготовлении графитовые имедные электроды разделяют на нескОлько частей, и в целом подгоняютпо диаметру кремниевой трубки. Длясоединения отдельных частей служатрезьбовые соединения. Медные электро- ЗОды, удерживающие графитовые электроды, снабжают охлаггпением,Для поддержания постоянства и достижения более высоких температур вобъеме кремниевой трубки между графитовыми электродами следует проложить изоляцию из термически стабильного вещества,...

Номер патента: 641813

Опубликовано: 15.12.1979

Автор: Шулишова

МПК: H01C 7/00

Метки: композиционных, материал, резистивный, резисторов

...по сравнению со стехиометрическим составом.Изготовляется материал методом боротермического носстзновления ок си кальция в вакууме, 1 йхта рассчитывается на прохождение реакции СаО + 7 В= СаВ 6 + ВО. При составлении шихты берется запланированное избыточное количество одного из ее компонентов (окиси кальция или бора). Реакция проводится при 1800 ОС в течение 1 ч,Изменение соотношения компонентов состава н указанном диапазоне позволяет получать резистивный материал для токопроводящей Фазы н диапазонеб 41813. 17 0 60 материал с тного, поско тной окиси са стоимос 40 к,эа 1 кг 5780 О,15 36 ормула иэобре 5 . 148320 25 зИэвестсамари кальци бор ный материадй 1,0-;69,6:й 0,13437,6 230,2-,615 1,5- 2 Как виднтериал, нети значенийуспешно заний...

Номер патента: 705535

Опубликовано: 25.12.1979

Автор: Петров

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...кислот сцеллюлозой, а именна: ацетосорбат, ацетоолеат или ацетометакрилат целлюлозы.Токопроводящие элементы на основе данной композиции имеют стабильные физикомеханические свойства Ь 1 иироком диапазоне температур от -20 до + 100 С, что объясняется образованием межмолекулярных связей между макромолекулами эфира целлюлозы за счет взаимодействия гексаметилендиамина с двойными связями непредельныхкислот и непосредственно двойных связейдруг с другом.Резистивный материал при готавливаютследующим образом,В органический растворитель при перемешивании загружают ацетонепредельныйэфир целлюлозы и после полного растворения вводят гексаметилендиамин и тонкодисперсцую прокаленную сажу при постоянномперемешивании.Затем токопроводящую композицию...

Номер патента: 706885

Опубликовано: 30.12.1979

Авторы: Колдашов, Красов, Могилева, Пуронене, Турчина, Шутова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рутения 4,5 - 70Вольфрам 0,2 - 20Для получения резистивного материала были подготовлены три смеси компонентов, содержащие каждая, вес.%: двуокись рутения 55; 5; 50, порошок металлического вольфрама 20; 0,2; 10 и свинцовоборосиликатное стекло (РЮ 35., ВО 10, РО 15 АЮ О 5 ХО 5) 25; 94,8; 40.Каждую смесь тщательно перемешивают с органической связкой (ланолин), наносят на подложки из керамики 22 хСо и обжигают при температуре 850 С.70 8 с 1Полученные на основе этого матери- -"характеристики, представленные в тебала резисторы имеют элек грофизические лице. ТКС,10 1/ С Удельное сопротивление,Ом/ Выход годных,%+70 Составитель Ю. ГерасичкинРедактор Е, Караулова Техред 3, ФантаКорректор М, Шароан Заказ 8239/44 Тираж 923Подписное ЦНИИПИ...

Номер патента: 708149

Опубликовано: 05.01.1980

Авторы: Волков, Даников, Киселев

МПК: G01C 9/06

Метки: двухкоординатный, наклона, резистивный, угла

...совпадал с центром сферы.Внутри корпуса на цилиндрических кронштей. нах 6 с помощью прижимных планок 7 и вин. тов 8 закреплены два интентичных резистив. ных элемента 9, ориентированных по координатным осям Х и У, Каждый элемент состоит из каркаса и намотанных на нем двух иден. тичных однорядовых обмоток, расположенных симметрично относительно координатной плоскости, перпендикулярной плоскости измерения, и включенных в мостовую схему дифференци. ально. Для уменьшения погрешности дискретности одна обмотка смещена по окружности относительно другой на полшага намотки обф 20 35 4 О моток.45Каркасы резистивных элементов выполнены в виде разомкнутых колец, имеющих сечение с двумя противоположно расположенными ут.лами, вершины которых...

Номер патента: 708239

Опубликовано: 05.01.1980

Автор: Рогалев

МПК: G01R 15/04

Метки: делитель, резистивный

...в полосе частот шунтированыконденсаторами 11,Недостатком указанных делителей является необходимость использования высоковольтных конденсаторов, что усложняет устройство.Наиболее близким по техническойсущности является резистивный делительнапряжения, высоковольтный резисторкоторого снабжен расположенным надним экраном, соединенным с одним извыводов высоковольтного резистора 121,Однако, такое подключение экрана высоковольтного резистора увеличивает проход 1 ую емкость розистивного делителя и не обеспечивает стабилизацию коэффиниента деле 1 гя в широком диапазоне частот,Целью предлагаемого изобретения является повышение стабильности коаффипиента деления.Для этого в резистивном делителе,содержащем высоковольтный и...

Номер патента: 711637

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Аминов, Коваленко, Набиева, Никадамбаев, Сиражитдинова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...ГПи суспензию переме-,шивают еще 3,5-4 ч,35Пример 35 гсажиДГ, прокаленной при 1300 С, перемешивают в атриторе с 115 мл смеси растворителей (толуол и бутилацетат 3;7) в течение 2 ч. Затем, после добавления 4 о 91 г лака Эфи ГП4 г, суспензию перемешивают еще 3,5-4 ч. При, готовленную таким образом суспензию, после установления соответствующей вязкости, наносят на керамические основа ния цилиндрической формы и подвергают термообработке: выдерживают при 250 С в течение часа в термостате с последуюо щей .термотренировкой при 200 С в течение 48 ч. . Я.Резистор с токопроводящей пленкой из такой суспензии имеет характеристики; 4Коэффициент напряжения,% 3,0Коэффициент цикличности,% 0,54Температурный коэффициентсопротивления+20...

Номер патента: 711638

Опубликовано: 25.01.1980

Авторы: Куликова, Мартынов, Тихомиров, Тырин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...слоя отповерхности пресс-формы.Корректировку вязкости композицииперед ее нанесением на пуансон или изоляционное основание можно производитьнебольшими добавками инертных органических растворителей, хорошо растворяющих диаллилизофталатный олигомер илифорполимер, но инертных к полимерномурезисту.О способности реэистивнойкомпозициик нанесению методом трафаретной печатисудят по индексу текучести композиции,который определяется на пластомере типа ИИРТ (диаметр капилляра - 2 мм,длина - 10. мм, груз - 1,14 мг) при20-30 С. Индекс текучести предпочтительно иметь в пределах 0,5-3,0 г/мин.Перемешивание компонентов резистивной композиции можно проводить различными способами, Для уменьшения потерькомпозиции при использовании смесителейс большой...

Номер патента: 716148

Опубликовано: 15.02.1980

Автор: Зеленцов

МПК: H05B 3/14

Метки: многослойный, нагреватель, резистивный

...значительных перегрузок,Возрастание тейпературногокоэфФициента сопротивленйяпри четномайхале слоев начинается от двух средйнх при йроектяров айМ симиетричного:нагревателя, а при нечетном числе +от одного.среднего, При проектйрова нии" несимметричньвс- нагревателей С" бд"ной поверхностью теплосъема"к йлас- :тмне-контакту не являющейся поверх. ностью теплосъайа, должен прилегатьпроводящий слой с отрицательным тем" Йературнймкоэффициентом сопротивления,т . Ф Металлические пластины-контакты могут быть различной конфигурации и величины.Описанный нагреватель по сравнению с известными имеет более высокую . эффективность теплосъема и низкую температуру внутренних слоев, стабилизируются его электрические характеристики, упрощается...

Номер патента: 688012

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Шулишова, Щербак

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...барий и бор, содержитуказанные компоненты в следуюшихколичествах, в вес.%:Барий 44-68 20Бор 38-56 Предлагаемый материал получают методом боротермического восстановления ВаСОв. Реакция проводится в вакууме 10мм рт.ст. при двухступенчатом нагреве с выдержками по 15 мин при.700 и при 1600 оС. Компактные образцы для измерений спекаются в вакууме при 2050 С в течение .0 мин,Изменение соотношений компонентов от состава, вес.т барий 68, бор 32 до состава барий 44, бор 56 позволяет получить резистивный материал для токопроводяшей фазы композиционных резисторов в диапазоне номиналов от 775 до 94980 мком см с величиной ТКС в интервале температур 20-200 С в пределах (0,3- 0,4)10-4 градПримеры составов реэистивного материала и его характеристики...

Номер патента: 688014

Опубликовано: 05.03.1980

Авторы: Шулишова, Щербак

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...- снижение температурного коэффициента сопротивления материала и раСширение диапаэона номиналов сопротивления. Для этого резистивный материал, содержаШий лантан и бор, содержит исходные компоненты в следуюшем количестве, вес.%:9 С Лантан 4 1-68Бор 32-59Предлагаемый материал изготавливают методом боротермического восстановления окиси лантана. Реакция проводится в вакууме 10 4 мм рт,ст. при 1800 С в течение 1 ч. Компактные образцы для измереоний спекаются в вакууме при 2050 С в течение 10 мин,Изменение соотношения компонентов от состава, вес.Ът лантан 68, бор 32 до состава лантан 41, бор 59 позволяет получить резистивный материал для токопроводяшей фазы композиционных резисторов в диапазоне номиналов от 20 до 1200 мком см с величиной ТКС...

Номер патента: 616911

Опубликовано: 15.04.1980

Авторы: Гингис, Лаврентьев, Матюхин, Попов, Степанов, Харламов

МПК: H05B 3/14

Метки: резистивный, электронагреватель

...- толщина дополнительного нагревательного элемента.Таким образом, благодаря совместному размещению и одновременному включению основного и дополнительного нагревательного элементов в электрическую цепь ооеспечивается постоянство общего соп рати вления, которое будет меньше сопротивления каждого в отдельности взятого нагревательного элемента чем и обуславливается стабильность и экономичность электронагревателя в работе.На чертеже показан предлагаемый электронагреватель, общий вид.Нагреватель содержит диэлектрическую подложку 1, на которую нанесен основной нагревательный элемент 2, представляющий собой токопроводяшую пленку на основе двуокиси олова с добавками сурьмы и бора, На его поверхность нанесен дополнительный нагревательный элемент...

Номер патента: 741484

Опубликовано: 15.06.1980

Авторы: Амлинский, Малей, Фиалков

МПК: H05B 3/48

Метки: нагреватель, резистивный, электрический

...части основы со стороны экрана осуществляют интенсивное охлаждение ее с противоположной стороны, точно устанавливая требуемую продолжительность теплового воздействия на основу. Время и темперутуру нагрева выбирают таким образом, чтобы в графи товое состояние перешла только часть толщины основы в пределах ширины токопроводя 1 цей жилы нагревательного элемента, а противоположная часть не перетерпела изменений и остзлась неэлектропроводной. Лацный вариант может 20 быть осуществлен при выполнении нагревателя на охлаждаемой платформе или путем пропитки исходной заготовки со стороны, противоположной нагреву, веществом, интенсивно поглошающим тепло при возгонке или разложении. В ка честве такого вегцества может быть выбран хлористый аммоций,...

Номер патента: 750582

Опубликовано: 23.07.1980

Авторы: Аминов, Коваленко, Набиева, Никадамбаев, Сиражитдинова

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...в во 1.,э, Мол, вес (35-40) 10,ЪСтроение ЭГПподтверждено даннымиИК-спектров и элементного анализа.С целью определения влияния содержания отвердителя на реэистивные характеристики композиции, последние готовилисьс одинаковым содержанием сажи и различным отвердителя.Предлагаемую реэистивную композициюполучают следующим образом. Определенное количество растворителя, смеси толуола и бутилового эфира уксусной кислоты(3:7) и сажа ДГ, прокаленной при1300 С, перемешивают в атриторе 2-2,5 ч.Затем туда же добавляют рассчитанное 30количество лака ЭФи отвердителя(ЭГП) и суслензию перемешивают дополнительно еще 3,5-4 ч,Отвердитель, вес, %Сажа ДГ, вес,%Лак Эфвес,%Коэффициент напряжения, % Коэффициент цикличности, %ТКС,10, 1/град в области:6от...

Номер патента: 773745

Опубликовано: 23.10.1980

Авторы: Будовский, Рывкин, Сабуров, Сакович, Уткин

МПК: H01C 1/082

Метки: резистивный, элемент

...гребенчатой формы), изоляционную пластину (рамку), изоляционные клинья (упругие скобы), в котором изолирующие вкладыши помещены в пазы изоляционной пластины, окружающей спираль, и соеди иены с изоляционной пластиной при помощи изоляционных клиньев 21 2данное устройство характеризуетсянедостаточной динамической устойчивостьюи большими габаритами.Цель изобретения - повышение динами773745 фи выполнить резистивный элемент болеекомпактным, что приведет к снижениюего габаритов. идд ВНИИПИ Заказ 7518/69 Тираж 844 Подписно Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,3провода, внутри которой симметричноразмещены по два на каждый ход спирали изоляционных фигурных вкладыша 2,имеющих форму буквы "1 "и предохраняющих витки указанной спирали от...

Номер патента: 787887

Опубликовано: 15.12.1980

Авторы: Волковицкий, Поляков

МПК: G01B 7/16

Метки: деформаций, резистивный

...снимаемый с него сигнал будет иметь вид импульсов. О деформациях нужно судить не по амплитуде им пульсов, зависящих также от величины тока источника питания, а по их числу, зависящему лишь от величины деформаций. Это позволяет повысить точность результатов измерений. 20На Фиг. 1 дан преобразователь, продольный разрез; на Фиг. 2 - то же, поперечный разрез; на Фиг. 3 и 4 преобразователь на сложенном и раскрытом куполе парашюта соответственно на Фиг. 5 и б - графики деформаций и соответствующих им выходных сигналов.Резистивный поеобразователь деформаций состоит из трубчатого каркаса 1 и обмотки 2, выполненной из провода ,прямоугольного сечения, Обмотка 2 раз. 30 мещена на внутренней поверхности каркаса 1 заподлицо с ней. Внутри каркаса...

Номер патента: 790027

Опубликовано: 23.12.1980

Авторы: Алямовский, Дьячкова, Зайнулин

МПК: H01C 7/06

Метки: материал, резистивный

....д = 760 мм рт.сзпри 1500 оС в теченИе 10-15 ч с,перебрикетировкой через 5 ч спекания.Из полученного оксикарбида ванадияизготовляют штабик размером 5 х 3 хх 15 (мм) наносят на образец электроконтакты, а затем измеряют температу 1ную зависимость удельного электросопротивления и рассчитывают ТКС,Метод приготовления резистивногоматериала предлагаемого состава сразличным содержанием компонентов иих основные характеристики приведеныв примерах,П р и м е р 1. Для приготовлени.оксикарбида ванадия смешивают и брикетируют 72,4 вес.Ъ карбида ванадия,13,15 вес.Ъ полутораокиси Ч 0314,45 вес.Ъ металлического порошкового ванадия. Брикет спекают в атмосфере инертного газа (Рн760 мм. рт. ст.) при 1500 ОС в течение 15 ч с перебрикетировкой через5 ч...

Номер патента: 791783

Опубликовано: 30.12.1980

Авторы: Андреев, Ломакин, Тренин

МПК: C22C 27/02

Метки: материал, резистивный

...на подложке из791783 сопротивление осаждаемой пленкипо контрольному образцу. Варьируяскоростями осаждения тантала и палладия, получали пленки резистивногоматериала с различным соотношениемкомпонентов.Основные характеристики пленок,полученных иэ предлагаемого реэистивного материала с различным содержанием тантала и палладия, приведеныв таблице.16 21 12 0,5 0,2 100 97 94 0,2 0,6 80 40 1,2 1,5 0,5 60 40 55 45 50 50 0,5 8,0 152,0 20 0,4 4,0 16 Из таблицы следует, что на основе реэистивного материала могут быть получены тонкопленочные резисторы с удельным поверхностным сопротивлением.20-80 Ом/п, выдержиьающие до 100000 циклов перемещений подвижного контакта иэ графита при нагрузке на него 3,7 10н/м, Относительное изменение...

Номер патента: 796959

Опубликовано: 15.01.1981

Авторы: Быкадорова, Панчишин

МПК: H01L 29/72

Метки: резистивный, управляемый, элемент

...электродом б,Эмиттер и коллектор транзистора 1 подключены к источнику питания. 2 ОПри отсутствии напряжения на базе О полупроводниковый переход транзистора 1 заперт, ток не проходит, и температура его перехода Т равна начальному значению ТО, а сопротивление терморезистора равно исходному значению.В момент подачи напряжения на базу транзистор открывается, через р-д переход течек ток, температура его . перехода т пропорционально возраста- ЗО ет, и идет теплоотдача в термосопротивление,.Вследствие этого сопротивление ерморезистора изменяется в соответствии с выбором коэффициента. тепло- З 5 передачи, но только в интервале своего рабочего диапазона, который всегда больше нуля и меньше "бесконечнос" ти", Для получения величины...

Номер патента: 801116

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Безруков, Воробьева, Голоденко, Дубинина, Колдашов, Купина

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...окислов и сульфатов, ч: нитрат индия и(МО 3)35,5 НО) 270,4 у пятиокись сурьмы(ЯЬаОв) 3,0; сульфат ниобияА 1 О (ЯО 4 )4 ИЬОл ЯО 4 0,6 НО 4,4,Шихту усредняют в барабане шаровой мельницы в течение 4-х ч, а затем прокаливают при 950 ОС в течение 2-3 ч.П р и м е р 2. Для получения100 г резистивного материала, содержащего, вес.Ъ: окись индия 97,5; пятиокись сурьмы 2,0 пятиокись ниобия25 0,5 ,приготавливают смесь исходных801116 Резистивный Удельное сопротивление Температурный коэффициентматериал, резисторов, кОм/см сопротивления, 10 4 1/цСУ в области 20 - 125 оС-5 с 7 693 3,4,9 " 6,3 Формула изобретения Составитель В.ЛенскаяРедактор Л,Пчелинская Техред Е.Гаврилешко Корректор О.Билак Заказ 10443/71 Тираж 795 ПодписноеВНИИПИ Государственного...

Номер патента: 801117

Опубликовано: 30.01.1981

Авторы: Гриднев, Остапенко

МПК: H01C 7/02

Метки: материал, резистивный

...соотношении кОмпонентов, нес,:Окись висмута 68,1 - 70,0Вольфрамовый ангидрид 25,3 - 27,0Двуокись титана 1,7 - 1,9Танталовый ангидрид 2,8 - 30П р и м е р , Для .получения 100 г реэистинного материала была изготовлена шихта, состоящая иэ следующих компонентов, ч: окись висмута 68,96; вольфрамовый ангидрид 26,27; танталоный ангидрид 2,95; двуокись титана 1,85В качестве исходных используют компоненты реактивной чистоты, при расчете шихты вносят поправки на содержание основного компонента, После помола и смешивания исходных компонентов полученную шихту н виде порош 68,10 27,00 3,00 1,90 6,0 26,80 3,00 1,70 7,5 Как видно из таблицы, все исследованные составы имеют отрицательный ТКС в широком диапазоне температур (20-700" С) , сравнительно...

Номер патента: 809410

Опубликовано: 28.02.1981

Авторы: Корзо, Юсипов

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный, резисторов, тонко-пленочных

...вес.в: Каждую смесь сплавляют отдельно в электрической печи, углерод в виде мелкодисперсной сажи вводят в расплав после плавления хрома и кремния,Иэ каждой смеси резистивного материала отливают мишень диаметром 130 мм, толщиной 12 мм. После остывания мишень подвергают механической обработке для снятия верхнего слоя на глубину О, 5-1 мм, ионно-плазменным распылением в атмосфере аргона при рабочем давлении 3,410 Па иэ нее получают резистивные пленки с поверхнзостнык сопротивлением 0,5.1 кОм/ммЭксплуатационные испытания резистс-ров на основе сплава хром-углерод- кремний в температурном интервале до 400 С и в вакууме 10Па в течение 1000 ч показывают, что изменения номинальных значений сопротивлений составляют не более 7,8.Установлено,...

Номер патента: 811506

Опубликовано: 07.03.1981

Автор: Петров

МПК: H05B 3/16

Метки: измерительных, петрова, радиотехническихустройств, резистивный, электронагревательдля

...к которому подключаются выводы 7 и12, 11 ротекающий ток вызывает в каждомпроводнике остаточное магнитное поле, направленное вдоль оси корпуса 1. 11 ри этомнаправление остаточного магнитного поляот центра или к центру корпуса 1 определяется направлением тока. Для ослаблениямагнитного поля примерно в 30 раз проводник 3 включен встречно с проводником 2.Здесь из-за взаимного пространственногосмещения обоих проводников 2 и 3 относительно друг друга отсутствует полнаякомпенсация магнитных полей (Нг - Нэ)Степень компенсации усиливается примерно еще в 30 раз при включении проводника 4 встречно с четвертым (5) и первым(2) проводниками, Теперь результирующееполе второй пары проводников 4 и 5 4(Н 4 - Н) компенсирует результирующее иоле первои...

Номер патента: 817758

Опубликовано: 30.03.1981

Авторы: Лейкина, Текстер-Проскурякова, Шефтель

МПК: H01C 7/02

Метки: бария, изготовлениятерморезисторов, материал, основетитаната, резистивный

...Яг, РЬ; Я -Яп, 2 г, НГ, Ое, легированный донорной примесью, окись алюминия, окись кремния и окись марганца, дополнительно содержит окись кальция и двуокись . титана при следующем соотношении компонентов, вес.В:ВаО 35,000-54,000АО 0,100-20,0000,100-20,000у О 0,010- 2,500Яэ.О 0,100- 2,000А 12 ОЗ 0,100- 3,480ИпО 0,010- 0,100СаО 0,100-10,000Т 1 О 21,000-31,400Технологический процесс получения резистивногоматериала состоит в следующем.Смешивают мокрым способом в необ" ходимой пропорции соли и окислы соответствующих металлов, например титанилоксалатов бария, стронция, кальция, азотнокислый иттрий, гидрат окиси алюминия. Шихту сушат при 100-120 С в течение 2-4 ч, затем прокаливают817758 15 Формула изобретения Составитель Т.Баранова Редактор...

Номер патента: 834777

Опубликовано: 30.05.1981

Авторы: Базуев, Макарова, Швейкин

МПК: H01C 7/00

Метки: материал, резистивный

...рт.ст. при201200 С до полного прекращения выделения окиси углерода, а затем в вакууме 10 - 10 мм рт.ст, при 1400 Св течение 25 ч, Продукт перетирают,из него готовят образцы в виде параллелепипеда размером Зх 525 мми подвергают дополнительному отжигупри 1450 С в течение 12 ч. Получают:материал состава Сер 0, содержащийостальное Т 1,20. Величина удельногосопротивления р при 290 К составляет. 1-10 Э Ом см.П р и м е р 2. 7,2 г СеО, 3,4 гТО и 0 5 г ацетиленовой и обрабатывают, как в примере 1. Получают материал состава Се ТОз, содержащий 69,4 Се 20 З, 0,1 ТО, остальное ТОЗ, с величиной удельного со.противления у при 290 К равной9 10 Ом см. 40При ме р 3. 5,93 г РгОз,4,11 г ТО и 0,03 г ацетиленовойсажи обрабатывают, как в примере 1.Получают...