Способ изготовления устройств на акустических поверхностных волнах с отражающими решетками

(22) Заявлено 20.06.78 (23) 2631717/18-23 (5 ) М. Кл,Н 03 Н 9/00 с присоединением заявкиРкударстеенный камнтет СССР.ао делам нзабретеннй н открытнй(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ НА АКУСТИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТНЫХ ВОЛНАХ С ОТРАЖАЮШИМИ РЕШЕТКАМИ 1Изобретение относится к радиоэлектронике .и может быть использовано приизготовлении устройств на акустическихповерхностных волнах с отражающимирешетками,Известен способ изготовления устройств на акустических поверхностныхволнах с отражающими решетками, согласно которому на пьезодиэлектрическойподложке формируют защитную фоторезистивную маску отражающих решетоки проводят обработку незащищенныхучастков подложки высокочастотнымплазменным травлением. Затем на подложке формируют защитную фоторезистивную маску встречноштыревых преобразователей, напыляют проводящий слойи проводят растворение фоторезистивноймаски 1Недостатком такого способа являются невысокая точность взаимного расположения встречноштыревых преобразсвателей и отражающих решеток, связанная с ошибкой операции совмещения,проводимой при раздельном формировантазащитных фоторезистивных масок встречноштыревых преобразователей и отражающих решеток, а также разброс по 5глубине канавок отражающих решеток.Наиболее близким по техническойсущности и достигаемому результату кпредложенному является способ, согласно которому на пьезодиэлектрическойподложке формируют защитную фоторезистивную маску встречноштыревыхпреобразователей, напыляют проводящийслой и проводят растворение фоторезистивной маски. Затем на подложке формируют зеацитную фоторезистивную маскуотражаюших решеток и проводят обработку незащищенных участков подложкиионным травлением 23 .Недостатком способа является невы сокая точность взаимного расположениявстречноштыревых преобразователей иотражающих решеток, связанная с ошибкой операции совмещения при раздельном формировании защитных фогорезис3 МЮ тивных масок встречноштыревых преобразователей и отражающих решеток.Цель изобретещя - улучшение качест ва эа счет повышения точности взаимного расположения встречноштыревых преобразователей и отражающих решеток.Эта цель достигается тем, что. согласно способу изготовления устройств на акустических поверхностных волнах, включающему операции нанесения прово дяшего слоя на подложку в области расположения преобразователей, формирования преобразователей и решеток методами фотолитографии с использованием ионнОГО травления решеток после нане сения проводящего слоя наносят регулирующий слой на подложку в области расположения решеток, а формирование преобразователей и решеток проводят одновременно с использованием единого фотошаблона и ионного травления преобразователей.Напыление регулирующего слоя в области расположения отражаюищх решеток, обесп,чиваюшего необходимую глубинУ 25 канавок при одновременном изготовлении преобразователей и отражающих решеток, позволяет производить формирование защитной фоторезистивной маски одновременно для преобразователей и отражаюшихрешеток, что повышает точность их взаимного расположения,Толшина регулирующего слоя выбирается такой, чтобы суммарная длительность ионного травления регулирующего слоя и канавок отражающих решеток в подлож 35 ке равнялась длительности травления преобразователей. Толщина регулирующего слоя определяется по формуле40 Ь =Ч )пр ПодлРЕг РЕГ Члр Члодл где ЧрЕ,ЧР иЧПО - скорости ионногоПОДЛтравления регулирующего слоя, проводящего слоя преобразователей и материала подложкисоответственно; 50 Пр " аппо А - толщина проводящегослоя преобразователей и глубинаканавок в подложке.На фиг, 1 дана последовательность 55 операций предложенного способа; на фиг, 2 - .изготовленная этим способом линия задержки. 87 1Способ осуществляется следуюикмобразом,На подложку 1 изй 1 ЙЮ (фиг. 1 а) вобласти распспожеина преобраеоаатепейчерез маску напыляют проводящий слой,состоящий иэ адгезион ого подслоя 2 из51 О, толшиной 300 и слоя 3 иэА 3 толщиной 3000В области расположения отражающихрешеток через маску напыляют регулирующий слой 4 (фиг. 1 б) иэ А 8, В качестве материала регулирующего слоямогут быть использованы и другие материалы, имеющие удовлетворительную адгеэию к подложке, например Т 1, ЧСг, Мп.Далее с использованием единого фотошаблона формируют эашитную фоторезистивную маску 5 (фиг. 1 в) встречноштыревых преобразователей и отражающих решеток и проводят обработку незащищенных участков подложки ионным травлениемионами АГ с Е=1 кэВ, в результате чего получают встречноштыревые преобразователи 6 и канавки отражающих решеток 7 (фиг. 1 г). После удаления защитной фоторезистивной маски 5 формируют защитную фоторезистивную маску 8(фиг. 1 д) над встречноштыревыми преобразователями и химическим травлениемудаляют остатки 9 регулирующего ипроводящего слоев, Затем удаляют защитную фоГорезистивную маску 8 (фиг,1 е),В результате получают линию задержкинаакустических поверхностных волнах сотражающими решетками (фиг, 1 ж).Предложенный способ позволяет повысить точность взаиморасположениявстречноштыревых преобразователей иотражающих решеток, характеризуемуюуглом О (фиг, 2) по сравнению с известным способом от 0,01 О до О,ОО 01 тчто приводит к улучшению равномерностии повышению воспроизводимости амплитудно-частотной характеристики устройствна акустических поверхностных волнах(фильтрый линии задержки и др.) с оиражаюшими решетками, а также позволяет решить воспрос принципиального изготовления высокодобротных устроиствна акустических поверхностных волнахс отражающими режетками - резонаторов, трансверсальных фильтров (точностьвзаиморасположения встречноштыревыхпреобразователей и отражающих решетокдолжна быть не менее 110 4 О).формула изобретенияСпособ изготовления устройств наакустических поверхностных волнах с отВеселовская Редак Состав Техре д М. Мессерерстелевич Корректор В. Бутяга959ого кений и5, Рауш филиал ППП фПатентф, г. Ужгород, ул. Проектная аказ 4255/74 Тираж ВНИИПИ Государственн по делам иэобрет 113035, Москва, ЖПодписное омитета СССР открытий как наб., д. 4/5