H01L 7/34 — H01L 7/34

Номер патента: 456437

Опубликовано: 05.01.1975

Автор: Андрю

МПК: H01L 7/34

Метки: полупроводниковое

...Полупроводниковое у на кремнии, имеющее ст плоскость, соединяющу ступени, диэлектрическое окисел кремния, и мет расположенную на веря нях и соединительной пл стройство, например упенчатый рельеф и ю верхние и нижниепокрытие, например аллическую пленку, ей и нижнец ступеоскости, отличаю 25 ть размещена меж пяторов 3 и 4 и со ых частей 5 и 6, яв ми параллельными 7 (фиг. 2) соедини Изобретение относится к полупроводниковым устройствам, имеющим слои осажденного металла. Такие устройства содержат основание из полупроводникового материала с изолирующим покрытием различной толщины, на котором твердо закреплены проводники в виде металлического слоя.К устройствам этого типа относятся МОП- интегральные схемы (металл - окисел -...

Номер патента: 463172

Опубликовано: 05.03.1975

Авторы: Вестфаль, Крючков

МПК: H01L 7/34

...активирующей защитной среды и одновременно включают подачу на обрабатываемую поверхность газа-окислителя. В процессе обработки периодически через 1 - 2 мин вместо газа-окислителя подают активирующую защитную среду в течение 10 - 20 сек,После окончания обработки прекращают подачу газа-окислителя, отключают нагрев, охлаждают материал, развакуумируют рабочую камеру (колпак) и выгружают готовые детали.Предложенным способом можно обрабатывать материалы, которые при определенных температурах нагрева и давлении газа-окислителя дают летучие соединения. Способ пригоден для обработки плоских поверхностей, фрезеровки пазов и углублений сложных конфигураций, сверленпя и разделки отверстий как круглой, так и другой формы.Наиболее целесообразно...