Полупроводниковое переключающее реле

Номер патента: 586858

Опубликовано: 30.12.1977

Автор: Адель

МПК: H03F 3/34

Метки: база-эмиттер, перехода, смещения, схема, транзистора

...полюсу источника 4 тока, аффективная плошадь каждого полупроводникового перехода Я -ряда в И раз больше, чем аффективная площадь каждого полупроводникового перехода М-ряда где Л - положительное число;в20Схемв смещения перехода база - эмиттер транзистора работает следующйм образом.Падение напряжения У на транзисторе 1, включенном как диод,будет равно разности потенциалов между его базой и эмиттером .При достаточно слабых токах, когда омическое сопротивление контактов и сопротивление массы амиттерв значитель но меньшесолротивления пограничного слоя 0 действие транзистора в диодном включении аналогично действию обычного р - 11 пере. хода. Падение напряжения Ч связано с плотностью тока в нем соотйошениемКТ 1 е ЗЗЧве ц8где 3 -...

Номер патента: 1181100

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Ильин, Михальченко

МПК: H02M 7/538

Метки: переключающим, транзистором

...3 формируется второй дополнительный отпирающий сигнал18 (, Фиг. 1) отрицательной полярности, протекающий по база-коллекторному переходу включающегося транзис тора 1, который становится равным нулю в момент временипосле выхо 2да транзистора в режим глубокого насыщЕния Ток 19 базы (1 , фиг. 1) транзистора 1 на это время увеличивается. Процесс включения форсируется за счет уменьшения тока коллектора на величину тока 1 , что иллюстрируется временными диаграммами 20 и 21 (пунктиром показаны ток нагрузки и падение напряжения на включающемся транзисторе 1 при отсутствии дополнительного сигнала 18).Процесс выключения происходит следующим образом.В момент, предшествующий запиранию транзистора 1, сформированный источником 3 тока, первый...

Номер патента: 955414

Опубликовано: 30.08.1982

Авторы: Драбович, Пономарев, Шевченко, Юрченко

МПК: H02M 1/08

Метки: переключающим, транзистором

...запирающего сигнала.На фиг. 1 дана принципиальная схема транзисторау на фиг. 2 - временныедиаграммы последовательности операций по предлагаемому способу; нафиг; 3 - схема реализации управления 15 транзистором.В момент времени с источником,тока формируется оптирающий сигнал(1 с) и подается на переход базаэмнттер транзистора. Транзистор изобласти отсечки переходит в областьнасыщения. Область насыщения характеризуется малым падением напряжения на транзисторе.и, следовательно,малыми потерями мощности в транзисторе. В момент времени с , предшествуюший запиранию транзистора, источник тока формирует дополнительныйсигнал, который подается на переходколлектор - база. Запирающий импульстока .(1 ись),.проходящий через перехоцколлектор - база,...

Номер патента: 455487

Опубликовано: 30.12.1974

Автор: Стрелкин

МПК: H03K 17/60

Метки: переключающим, транзистором

...соединена с базой переключающего транзистора П. Через развязывающцй диод 12 ,база переключающего трапзпстора соединена с 25 накопптельным конденсатором 7. Нагрузка 13включена в коллекторную цепь переключающего транзистора 11, на,входе которого вклю.,чен защитный диод И.Устройство раоотает следующим ооразом.30 При поступлении на вход 3 положительцо455487 с та в и тел ь В. БрагиТехред Т, Курилко Редактор М. Бычко Корректор О. Тюрин Изд.1966 НИИПИ Государственного к по девам изобр Москва, Ж, Раказ 127 Тираж 811митета Совета Министров СССтеиий и открытий Подписи ушская иаб., д. л. тип. Костромского управления издательств, полиграфии и книжной торговли. го,входого импульса, и на вход 4 нулевого уровня входного напрякения открывается...

Номер патента: 886136

Опубликовано: 30.11.1981

Автор: Бузыкин

МПК: H02H 7/10

Метки: защиты, переключающего, транзистора

...трам"эистор 3, база которого соединена срезистором датчика 1 тока через ре"В886136 формула изобретения 10552/72дписное зистор Ч, а с коллектором защищаемого транзистора - через резистор 5, и диодный ключ 6. Для уменьшения потерь и обеспечения температурной стабильности введен дополнительный резистор 7.Напряжение база-эмиттер силового транзистора складывается из двух составляющих: падения напряжения на внутренних активных сопротивлениях (в основном, это выравнивающие сопротивления в эмиттерах транзисторной структуры) и диффузионной составляющей, описываемой уравнением вольтамперной характеристики перехода. Соединение базы вспомогательного :транзистора с базой защищаемого транзистора через резистор 7 позволяет скомпенсировать дрейф...