Полупроводниковое устройство

Номер патента: 456437

Автор: Андрю

ZIP архив

Текст

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯК ЛАТЕ НТУ Союз Советских СоциалистическихРеспублик авцсимыц от патент(22) Заявле (32) Приор (33) США 1)М. К 011 73 4,02.72 (21) 747998 2 2530 ет 17.03.71 (3 Государственный комитет Совета 1 ииннстров СССР по делам изобретений о 05.01.75. Бюл,тень Л пуоликовс ата опубл ткрытнн я 24.03.75 икованця опцса.п) Автор изобретени странец тельной плоскости также некопланарна к двум другим частям 5 и 6 и расположена перпендикулярно им. Металлический проводник в виде пленки 8 имеет промежуточные параллельные боковины 9 и 1 О и поднимается по соединительной плоскости с плоскости 2 изолятора 4 до плоскости 1 изолятора 3.Изобретение не ограничивается металлическими пересечениями ступеней между двумя слоями изоляторов. Оно применимо также и там, где осажденная металлическая полоска должна пересечь высокую ступень. Такие ступени могут встретиться, например, между толстыми изоляторами и основным полупроводниковым материалом на границах контактных вводов, а также в эпитаксцльных кремниевых приборах на сапфировой подложке, где металлическая пленка должна подниматься с сапфировой подложки до поверхности изделия. 15 ложен- аксоное, вид редмет из етения ногометсверЪ Полупроводниковое у на кремнии, имеющее ст плоскость, соединяющу ступени, диэлектрическое окисел кремния, и мет расположенную на веря нях и соединительной пл стройство, например упенчатый рельеф и ю верхние и нижниепокрытие, например аллическую пленку, ей и нижнец ступеоскости, отличаю 25 ть размещена меж пяторов 3 и 4 и со ых частей 5 и 6, яв ми параллельными 7 (фиг. 2) соедини Изобретение относится к полупроводниковым устройствам, имеющим слои осажденного металла. Такие устройства содержат основание из полупроводникового материала с изолирующим покрытием различной толщины, на котором твердо закреплены проводники в виде металлического слоя.К устройствам этого типа относятся МОП- интегральные схемы (металл - окисел - полупроводник), состоящие из большого количества полевых транзисторов с изолированным затвором, причем в зоне затвора транзисторов применяют относительно тонкий изолятор, а в зонах, окружающих транзисторы, - относительно толстое изоляционное покрытие.В устройствах, имеющих металлические слои, пересекающие высокие ступени, для повышения процента выхода годных изделий соединительным поверхностям придают форму ступеней с не менее чем двумя некопланарными частями.На фиг. 1 показана конструкция предполупроводникового устройства,рическая проекция; на фиг. 2 - то ц С.оединительная плоско ду плоскостями 1 и 2 изо стоит из двух некопланар ляющихся несовп ада ющи плоскостями. Третья част ш 1 456437456437 ней мере, две некопланарные поверхности в месте перехода металлической пленки с верхней ступени на нижнюю,Составитель М. КоролевРедактор Т. Орловская Текред А. Камышникова Корректор Л, Котова Изд. М ЗббГосударственного комитета ио делам изобретений и Москва, Ж, Раушская Подписв СССР Заказ б 3/11ЦНИИ Типогрзф апч ова,1 ц е е с я тем, что, с целью предотвращения нарушения сплошн ости металлической пленки, соединительная плоскость имеет, по крайТираж 833Совета Минпс ткрытпй аб., д. 415

Смотреть

Заявка

1747998, 14.02.1972

АНДРЮ ГОРДОН ФРЭНСИС ДИНГВОЛ

МПК / Метки

МПК: H01L 7/34

Метки: полупроводниковое

Опубликовано: 05.01.1975

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-456437-poluprovodnikovoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое устройство</a>

Похожие патенты