Полупроводниковое устройство

Номер патента: 362553

Автор: Иностранец

ZIP архив

Текст

К ПАТЕНТУ ависимый от патентаМ. Кл. Н ОЯс 3/00 явлено 02.Х 11,1970 ( 1603773/2 А оритет 02.1.1970,13, бликовано 13,Х.1972. а оп бликования опис Комитет по делам аобретеиий и открытии при Совате Мииистроа СССРУДК 621.3.049(088,8 юллетень2за 1973, ия 13.11.1973 Автор изобретения Иностранец Эдвард Джозеф Боулки Соединенные Штаты Америки) Иностранная фирма РКА Корпорейшн Соединенные Штаты Америки)аявител ОЛУЛРОВОДНИ КОВОЕ УСТРОЙСТ мет изобретени держащее на основе щадки диоИзобретение относится к технологии изготовления компонентов радиоаппаратуры и может быть использовано в логических системах и в устройствах накопления информации.Известно полупроводниковое устройство, со держащее матрицу на диодах, выполненную на основе кремния, в которой контактные площадки диодов выполнены из алюминия, золота или никеля, а соединение диодов с матрицей производится с помощью плавких соедините лей, В таком устройстве для отсоединения диодов от матрицы требуется значительное напряжение, что может привести к выходу из строя других элементов матрицы.Целью изобретения является уменьшение 15 напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы. Это достигается тем, что между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из 20 одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного кремния.На чертеже изображено предлагаемое полу. проводниковое устройство, вид сверху и разрез 25 по А - А. Оно содержит подложку. 1, которая в зависимости от назначения устройства может быть изготовлена из металла, диэлектрика или полупроводника. Одна сторона подложки плоская, а на другой расположены параллель- З 0 ные полосы 2, образующие матрицу, выполненную па основе кремния а-типа проводимости, Полосы 2, по периметру которых расположен изолирующий слой 8, например, двуокиси кремния или азотистого кремния, имеют расширенные участки 4, к последним присоединены микровыводы б. Матрица содержит диоды б, расположенные в ряды и колонки, Полупроводниковые пластинки 7 диодов б имеют присадки до проводимости р-типа. Каждый ряд диодов матрицы снабжен одним общим выводом 8, который в местах присоединения микро- вывода 9 имеет расширенную площадку 10, Присоединение диодов б к выводам 8 осуществляется через промежуточные соединители 11, выполненные пз одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свшща, олова или легированного крем. ния, и присоединенные к контактным площадкам 12 диодов, выполненным пз алюминия, золота или никеля. Площадки 10 образуют связующие прокладки И, каждая из которых со. держит слой 14 из кремния, изолирующий слой 15 из того же материала что и слой 8, и ме. таллический слой 1 б,Полупроводниковое устроиство,матрицу на диодах, выполненнуюкремния, в которой контактные пл362553 Составите е,пе Редакто рректор А. Степан Техрсд Т. Ускова рчиков Заказ 241/16 Изд. К 1028 Тираж 404 Подписное ЦНИИПИ 1(омитета по делам изобретений н открытий при Совете Министров СССР Москва, Ж-З 5, Раушскаи наб., д. 415 ппографив, пр. Сапунова, 2 дов выполнены из алюминия, золота или никеля, отличающееся тем, что, с целью уменьшения напряжения электрических токов, необходимых для отсоединения диодов от матрицы, между контактными площадками и выводами диодов размещен промежуточный соединитель, выполненный из одного из элементов четвертой группы таблицы Менделеева, например германия, свинца, олова или легированного 5 кремния.

Смотреть

Заявка

1603773

Иностранна фирма РКА Корпорейшн Соединенные Штаты Америки

Иностранец Эдвард Джозеф Боулки Соединенные Штаты Америки

МПК / Метки

МПК: H05K 1/00

Метки: полупроводниковое

Опубликовано: 01.01.1973

Код ссылки

<a href="https://patents.su/2-362553-poluprovodnikovoe-ustrojjstvo.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое устройство</a>

Похожие патенты