Полупроводниковое управляющее устройство свч
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СП КСАН И Е ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТЬРСКЬМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 364050 Союз Соаетскиз Социалистическил РеспубликЗависимое от авт. свидетельства-Заявлено 28.И,1971 (М 1672382/26-9)с присоединением заявки-М.Кл. Н 01 р 1/10 Яомитет по делам аобретеиий и открытий при Совете Мииистрое СССРОпубликовано 25.Х 11.1972. БюДата опубликования описания Авторыизобретения В. Кириллов,Г, Иванов, Г, Ф, Половцев и А. М. Стари Заявитель ОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УПРАВЛЯЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО СВЧ е Изобретение относится к области СВЧ техники.Известно полупроводниковое управляюще устройство СВЧ, содержащее отрезок коаксиальной линии и параллельный короткозамкнутый коаксиальный шлейф, в разрыв центрального ступенчатого проводника которого включен полупроводниковый диод.Известное устройство имеет недостаточно высокий к, п. д,Цель изобретения - обеспечение минимальных потерь в режиме пропускания,Поставленная цель достигается тем, что перпендикулярно центральному проводнику основной линии включена индуктивная диафрагма, выполненная в виде короткозамкнутой на одном конце металлической трубки, соединенной с наружным проводником коаксиальной линии и проходящей открытым концом через центральный проводник, а внутрь трубки введен соединенный с наружным проводником металлический стержень, изолированный от трубки диэлектрической втулкой.На фиг, 1 и 2 схематически изображена кон. струкция предлагаемого устройства, в котором шунтирующая индуктивность образована индуктивно-емкостной диафрагмой.Полупроводниковый диод 1 включен между внутренним и наружным проводниками коаксиальной линии, причем один вывод диода через конусныи держатель 2 соединен с внутренним проводником 3 коаксиальной линии, второй вывод диода соединен с внутренним проводником 4 короткозамкнутого коаксиаль ного шлейфа 5. Внутренний проводник 4 шлейфа имеет переменшгй диаметр, причем диаметр части (втулки) б, обращенной к диоду, значительно больше диаметра части 7, обращенной в противоположную сторону. Часть б 10 выполнена в виде металлической трубки, окруженной диэлектрической втулкой 8, часть 7 - в виде металлического стержня, по которому движется короткозамыкатель 9.Перпендикулярно внутреннему проводнику 15 коаксиального шлейфа 5 введена индуктивноемкостная диафрагма, соединенная с внутренним проводником основного коаксиала. Диафрагма образована короткозамкнутой на одном конце металлической трубкой 10, соединенной 2 О с внешним проводником 11 и с внутреннимпроводником 3 и проходящей открытым концом через внутренний проводник. В последний входит металлический стержень 12, наружный диаметр которого меньше внутреннего диа метра трубки. При этом в указанной диафрагме индуктивность образована участком трубки, расположенным между внутренним и внешним проводниками коаксиальной линии и частью стержня вне упомянутой трубки 10, а 30 емкость - емкостным зазором между упомяЗо 35 40 45 3нутой трубкой и стержнем 12. Для увеличения емкости зазор может заполняться диэлектриком, например, в виде втулки 13.В короткозамкнутом коаксиальном шлейфе 5 емкость образована наружным проводником шлейфа 14 и втулкой б, а индуктивность - участком короткозамкнутого коаксиального шлейфа длиной О между втулкой б и короткозамыкателем 9.Для увеличения емкости применена диэлектрическая втулка 8.Собственная резонансная частота коротко- замкнутого шлейфа ниже средней рабочей частоты устройства, т. е. шлейф на частоте о эквивалентен некоторой регулируемой емкости, которая используется при настройке, Изменение величины этой емкости осуществляется перемещением корткозамыкателя 9,Собственная резонансная частота индуктивно-емкостной диафрагмы, наоборот, выше средней рабочей частоты устройства, т. е. диафрагма эквивалентна некоторой регулируемой индуктивности, причем изменение величины индуктивности осуществляется перемещением стержня 12, входящего внутрь трубки 10.Наличие в устройстве двух независимых настроек позволяет осуществить два резонансных состояния - параллельный и последовательный резонансы между реактивностями диода и элементами настройки устройства. Подача управляющего напряжения на диод, если это необходимо, например, в случае применения ра диода, может осуществляться через внутренний проводник либо основной коаксиальной линии, либо короткозамкнутого шлейфа обычным образом (цепь смещения на фиг. 1 и 2 не показана). Устройство работает следующим образом.При отсутствии управляющего напряжения на диоде (что соответствует слабому сигналу в случае использования ограничительного диода или отсутствию положительного смещения при применении ри диода) устройство эквивалентно параллельному резонансному колебательному контуру, включенному параллельно коаксиальной линии, где индуктивность 1. образована индуктивностью индуктивно-емко 5 15 20 25 4стной диафрагмы, а емкость С - емкостью диода с учетом влияния короткозамкяутого шлейфа. Настройка в резонанс осуществляется путем изменения индуктивности 1. диафрагмы указанным способом.При подаче управляющего напряжения на диод, (что соответствует сильному сигналу в случае использования ограничительного диода или подаче положительного смещения при применении ри диода) устройство эквивалентно последовательному резонансу колебательного контура, включенного параллельно коаксиальной линии, где емкость С образована емкостью короткозамкнутого шлейфа. Настройка в резонанс осуществляется путем изменения емкости С, т, е, путем перемещения короткозамыкателя 9, причем резонансные частоты в обоих случаях (параллельный и последовательный резонансы) одинаковы.Так как сопротивление параллельного резонансного колебательного контура намного больше волнового сопротивления коаксиальной линии, а сопротивление последовательного резонансного колебательного контура близко к нулю, то в режиме пропускания передаваемой СВЧ мощности вносятся малые потери, а в режиме запирания - большее затухание,Предмет изобретения Полупроводниковое управляющее устройство СВЧ, содержащее отрезок коаксиальной линии и параллельный короткозамкнутый коаксиальный шлейф, в разрыв центрального ступенчатого проводника которого включен полупроводниковый диод, отличающийся тем, что, с целью обеспечения минимальных потерь в режиме пропускания, перпендикулярно центральному проводнику основной линии включена индуктивная диафрагма, выполненная в виде короткозамкнутой на одном конце металлической трубки, соединенной с наружным проводником коаксиальной линии и проходящей открытым концом через центральный проводник, а внутрь трубки введен соединенный с наружным проводником металлический стержень, изолированный от трубки диэлектрической втулкой.364050 г Л. Мазуроио Корректор Т. Медведе еда горская типографы Заказ ЦНИ ставитель А. ГорбачеТехред Ю. Баранов 7 Изд.1080 Тираж 104 И Комитета по делам изобретений и открытий при Совете М Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное стров СССР
СмотретьЗаявка
1672382
А. В. Кириллов, Ю. Г. Иванов, Г. Ф. Половцев, А. М. Старик
МПК / Метки
МПК: H01P 1/15
Метки: полупроводниковое, свч, управляющее
Опубликовано: 01.01.1973
Код ссылки
<a href="https://patents.su/3-364050-poluprovodnikovoe-upravlyayushhee-ustrojjstvo-svch.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Полупроводниковое управляющее устройство свч</a>
Предыдущий патент: Многозондовое устройство
Следующий патент: Устройство для автоматического согласования
Случайный патент: Устройство для чистки и сушки изделий из волокнистого материала