Полупроводниковое устройство

Номер патента: 579242

Опубликовано: 05.11.1977

Авторы: Борисова, Панус

МПК: C03C 3/12

Метки: стекло, халькогенидное

...труда, снижаются затраты по технике безопасности при получении30 стекла и его дальнейшей эксплуатации,1Изобретение относится к составам халькогенидных стекол и может быть использовано в электронике и ИК-технике.Известно полупроводниковое халькогенидное стекло, содержащее мышьяк, теллур, таллий с удельным сопротивлением от 6 10 - 4,5 10 ом.см. 111Наиболее близким к изобретению является стекло, содержащее в ат.Т 6 -55- 90 р Аз - 7-33) Сц - 3-15 2Недостатком этих халькогенидных полупроводниковых стекол является то, что они включают мышьяк, который, во-первых, легко окисляется на воздухе и поэтому шихтование производят непосредственно перед плавкой или в инертной среде, во-вторых, продукты окисления мышьяка и соединений его, входящих...

Номер патента: 1720056

Опубликовано: 15.03.1992

Авторы: Десятник, Иванов, Исаев, Лойко, Шварц

МПК: G03C 5/02

Метки: границах, многослойного, освещенностей, относительных, слоев, фотоматериала

...образца, мм,Ся(Ьк)ц = ЕЬ)ц/Е 1)ц,Ст(Ьк)ц - Е 1(Ь 3 с)ц/Е(1)ц,10 где ЕЬк)ц и Е 1(Ьк)ц - значение светимости в.центре изображения щели, спроецированное на слой, при ширине щели в отсутствииобразца равной Ь)( в отраженном и прошедшем свете соответственно,Из полученных зависимостей Ф от гпц игц от п)ц, Вц от гпц и Тц от вц интерполяциейнаходят значения коэффициентов г 1 и 1, Ви Т, соответствующие составляющим слоям с заданными поверхностными концентрациями серебра а по формулам1 ц +1-сц1( тц +(п)1 - п 1 ц),п 1 ц +1-п 1 цг - гц+ (гп 1 - гпц), (5).гц +1 - гцп)ц +1 - п)ц25, Тц +1 - ТцТ= Тц + . 1 (пц - п 1,п 1 ц +1-пщВ 1 " Вц+ (пц - п)ц).Вц +1-Вцгпц +1 п 1 цНайденные значения т 1, г 1, В), Т) подставляют в следующие системы линейных...

Номер патента: 775760

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Кикиниши, Семак, Туряница

МПК: G11C 11/34, H01L 21/00

Метки: основе, регистрирующей, среды, стекла, халькогенидного

...будет быстро падать, практически до нуля.Целью изобре":ения является воэможность получения позитивной записи.Для достижения цели напыление проО изводится при температуре 600-800 С.В предложенном способе инициирующую роль в процессе Фотозаписи играют электронно-дырочные процессы с участием локализованных состояний в запрещенной зоне халькогенидного стекла. В результате определенных изменений связей происходит изменение о. и и стекла. Учитывая приготовление слоя в описываемом случае форсированным режимом напыления при высокой температуре, можно предположить связь начальной конфигурации связей, равновесного состояния электронов и дырок с характером записи и величиной измененийи п60 Формула изобретения Составитель Е,АртамоноваРедактор...

Номер патента: 1100253

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Аветисян, Баратов, Джавадян, Кандевосян, Костанян

МПК: C03C 3/12

Метки: стекло, фотополупроводников, халькогенидное

...4-17Указанное стекло используютдля оптической герметизации полупроводниковых приборов. Однако этисоставы не могут быть использованыв качестве фотопроводящего слоя вконструкциях фототермопластическихносителей информации (ФТПН) в связис тем, что имеют низкую температуруразмягчения 65-95 ОС.В настоящее время весьма перспективными бессеребрянными материаламиявляются фототермопластическиеносители информации (ФТПН), которыепредставляют собой многослойную конструкцию, состоящую из основы,электропроводящего фотопроводящегои термопластического слоев.Требования, предъявляемые к фотопроводящему слою, связаны главнымобразом с его достаточно высокимтемновым электрическим сопротивле,нием (, 10 Ом см) и высокой чувг 2ствительноствю, т.е....

Номер патента: 1567534

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Ананичев, Демидов, Смирнова

МПК: C03C 3/32

Метки: галогенсодержащее, жидкое, стекло, халькогенидное

...частот,ю;,зобретеция являетабочего диапазона чание прозрачности в инфракрасасти спектра.получения жидких стекол трех в ингредиентов, отлича кием германия, селена а компонентов шихты заг зоне Ц рактич личи ся расшистот и о сло ность увелич ной об уменьшил Высокоэрачность данно ет ль ого стекла по ов то состав содерж навеск о в качеств диапазоне ч остных элеме 470-4500 см руг объектов оглощающих и ств методом а. и о о следнее расширяет следования сильно меру, вакупомещалиечец ионнуюзировал реа ерме агре асВО сеивающих свет веще в ИК-области спектр али до 800 С в т дующим охлажден м в осл ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР 1) 4426529/23-332) 08.04,88(56) Авторское свц,четель693122, кл, С ОЗ Г 3/3Авторское...