Полупроводниковое запоминающее устройство

(45) Дата опубликования описания 30,03.78 Государственный иомите Совета Министров СССР УДК 681.327.66. Бастраков и Е. Б. Хайтм 1) Заявитель 4) ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙС следующим образом. ов 1 и строк 2 опра- Р элементов 6 памяти 3 на пересечении адтолбца (Р - коэффиементов; объединение 1Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении тракта воспроизведения информации запоминающих устройств, накопители которых имеют однопроводную разрядно-считывающую линию.Известны запоминающие устройства, содержащие накопитель, дешифраторы, формирователи, усилители 1,Наиболее близким техническим решением к изобретению является полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее накопитель, первые шины выборки которого подключены к соответствующим выходам дешифратора строк, вторые - к соответствующим выходам дешифратора столбцов, а нечетные. выходные, шины матричного накопителя подсоединены к первым входам дифференциальных усилителей 2.Недостатки известных устройств состоят в их низкой помехоустойчивости, заключающейся в том, что в таких устройствах не создается разностный сигнал на входах усилителей воспроизведения, а для предотвращения срабатывания усилителей от сигнала с полувыбранного блока необходимо введение индивидуальных схем автокоррекции порога срабатывания усилителей.Цель изобретения - повышение надежности устройства. 30 Это достигается тем, что в нем четные выходные шины матричного накопителя подключены к вторым входам дифференциальных усилителей.Схема предлагаемого устройства представлена на чертеже.Устройство содержит дешифраторы столбцов и строк 2, матричный накопитель 3, дифференциальные усилители 4, стробируемые по шине 5 дешифратором 2,Работает устройствоДешифраторы столбцшивают одновременноматричного накопителяреса т-й строки и 1-го сциент объединения элна чертеже не показано).С выходов 7, 8, и 9 на входы 10 и 11 усилителей 4 подаются сигналы, соответствующие хранимой информации.На одни входы поступают сигналы 1 или О с выбранного по обеим координатам 1 и 1 элемента 6 памяти, на другие - помехи с полувыбранного, т. е. опрошенного только по одной из координат.На первые входы 10 усилителей 4 попадает информация с элементов памяти нечетных строкна вторые входы 11 - с четных. Помехи с полувыбранных элементов памяти, равные пьедисталу сигналов 1 и О с вы600611 В, ФроловРыбкина Состави Техред орректоры: Н. Федорова и Л, ОрловаРедактор И. Грузова 1 зд.320 Тираж 7 одписно Заказ 258/ Типографии, пр. Сапунова бранных по обеим координатам элементов памяти и имеющие природу гальванической связи с потенциалами электродов питания, поступая на входы дифференциальных усилителей 4, создают разностные сигналы, несущие только полезную информацию, Соответственно происходит стробирование усилителей 4 для получения однополярного выходного сигнала: сигнал стробподается на усилитель при выборке информации с элементов нечетной строки, а сигнал строб 1+1 - с четной,Предложенное устройство имеет постоянный уровень отношения сигнал/помеха на входе усилителей независимо от условий эксплуатации, так как при считывании информации всегда на один из входов поступает сигнал 1 или О, а на другой - помеха, что позволяет точно установить порог срабатывания усилителей и, следовательно, повысить достоверность считывания информации, т. е. надежность устройства. Формула изобретения Полупроводниковое запоминающее устройство, содержащее матричный накопитель, 5 первые шины выборки которого подключенык соответствующим выходам дешифратора строк, вторые шины выборки подключены к соответствующим выходам дешифратора столбцов, нечетные выходные шины матрич ного накопителя подключены к первым входам дифференциальных усилителей, о т л ич а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения надежности устройства, в нем четные выходные шины матричного накопителя подключе ны к вторым входам дифференциальных усилителей. Источники информации,принятые во внимание при экспертизе 1, Авторское свидетельство СССР Мз 377875,20 кл. 6 11 С 11/02, 1973,2. Авторское свидетельство СССРХз 421045,кл. 6 11 С 11/40, 1974.