Патенты с меткой «пленках»

Номер патента: 1265851

Опубликовано: 23.10.1986

Авторы: Дробноход, Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 5/00

Метки: витков, запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, узел, формования, цилиндрических

...струнами 3 и 4 зев вводится челнок 5 с 5 10 15 20 25 30 35 40/ 45 50 55 проводом 6. При этом провод 6 укладывают так, чтобы он огибал регули-руемый фиксатор 7 петли. После введения в зев челнока 5 с проводом 6 в него помещают формующую пластину 8, расположенную горизонтально на уровне струн, путем перемещения в направлении технологических струн 3 и 4 штанги 9 (фиг. 1 и 2) . Затем с помощью ремизок 1 и 2 образуют зев противоположного знака. При смене знака зева технологические струны 3 и 4 опираются на формующую пластину 8, оставляя вплетаемый провод 6 в свободном состоянии. При этом ремизка 1 поворачивает рычаг 10 в направлении против часовой стрелки, перемещая ползун 12 вместе с фиксатором 7 петли вниз в пазу направляющей 13. В...

Номер патента: 1275327

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Гуревич, Гусев, Краснов, Наронович

МПК: G01R 27/04

Метки: волн, затухания, магнитостатических, пленках, ферритовых

...2, приобретают в процессе распространения на пути от входного преобразователя 2 до выходного преобразователя 3 некоторьп набег фазы. Кроме того, на этом же пути амплитуда магнитостатической волны уменьшается из-за потерь в исследуемой ферритовой пленке 5. Магнитостатические волны, принятые проводниками 7 входного преобразователя 3, имеют различные амплитуды и фазы, поэтому результатом сложения сигналов магнитостатических волк в диапазоне частот является периодическое затухающее колебание.По результату суммирования двух волн, зафиксированному индикатором 4, вычисляется коэффициент затухания на единицу времени распространения магнитостатических волн по формуле ьХ 1 п с ТЬ (5, 76 10 81 Ц (1) где цкоэффициент затухания на единицу...

Номер патента: 1280314

Опубликовано: 30.12.1986

Автор: Качер

МПК: G01B 11/16

Метки: внутренних, напряжений, пленках, тонких

...прозрачного измерительного экрана 4 в вакуумную камеру 12 на полупрозрачное плоское зеркало 8, которое отражает часть пучка излучения источника 2 света на эталонную подложку 1 О. Проходя через последнюю, это излучение регистрируется фотоприемником 9. Отраженную от поверхности эталонной подложки 10 часть излучения направляют полупрозрачным плоским зеркалом 8 на полупрозрачное выпуклое зеркало 3, отражающее это излучение на измерительный экран 4, Прошедшую через полупрозрачное плоское зеркало 8 часть излучения источ" ника 2 света направляют плоским зеркалом 5 на подложку 6 для пленки, Интенсивность прошедшего излучения регулируют оптическим клином 11 и регистрируют фотоприемником 7. Отраженную от поверхности подложки 6 с пленкой часть...

Номер патента: 1295348

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Бабенко, Горбаренко, Дмитриев, Евтихиев, Левинсон, Печко, Трубников

МПК: G01R 33/02, G11C 11/14

Метки: доменной, магнитных, периода, пленках, полосовой, структуры

...с помощьюпланарного переменного магнитногополя с убывающей амплитудой для достижения равновесного состояния доменов, На пути светового пучка устанавливается диафрагма (не показана)таким образом, чтобы на фотоприемник7 поступал световой сигнал толькоот одного домена, Амплитуда модуляции поляризации с помощью модулятора3 и генератора 9 выбирается близкой(но не превышающей) к величине Фарадеевского вращения плоскости поляризации, связанного с взаимодействи"ем светового пучка с доменами магнитной пленки, Сигнал с фотоприемника 7 поступает на вход фазовогодетектора 8, управляемого от генератора 9, а с выхода детектора 8 сигнал подается на вход 7 блока 1 визуализации Когда на пути световогопучка Заходится домен с положительной...

Номер патента: 1309079

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Виксман, Довбий, Тульчинский

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...изобретения - повышение качества и производительности изготовления матриц путем равномерной формовки провода, проложенного в зеве струн основы.На фиг. 1 и 2 приведена схема изготовления матриц,Между упорами 1 размещены технологические струны 2 основы, между которыми прокладывают провод 3. Под технологические струны 2 основы подведен упор 4 на равном расстоянии от ролика 5 с нижним упором 1 (фиг. 2). Роликом 5 под заданным углом по основе и проводу 3 производят прокатку в направлении к челноку, в результате чего провод принимает волнообразную форму. За счет вынесения упора 4 из зоны прокатки появляется возможность перемешения ролика по вертикали, что позволяет регулировать глубину прокатки а криволинейная форма ролика формует...

Номер патента: 1309083

Опубликовано: 07.05.1987

Авторы: Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...располагается в пазу направляющей 5 свободно и за счет того, что глубина паза превышает диаметр провода, он не зажимается технологическими струнами,Направляющую 5 вместе с проводником 6 перемещают к числовым обмоткам. Это позволяет осуществить формовку витков проводника 6 в непосредственной близости от числовых обмоток, что обеспечивает одинаковые условия формовки витков. За счет того, что проводник 6 располагается в пазу, он после перемещения направляющей 5 к числовым обмоткам остается не зажатым технологическими струнами 1 и 2. При извлечении ограничительной прокладки 4 и направляющей 5 в сторону свободного конца проводника технологические струны 1 и 2 осуществляют формовку витков. При этом проводник 6 остается не зажатым и свободно...

Номер патента: 1322373

Опубликовано: 07.07.1987

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман, Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...учдстк в ндсьпенно чонодоменное) состояние. В реультдте по крдям локального уча ткд Гб;11 уется лоченндя грани д, рд леляющдя 20 .61 чонолоче(нные области с протнвопо ,11 жЫЛ ДНД 5.5 ПЩ М НДМЗГПНЧЕННОСтн.,Ьтел полсч пс пня спичдк т, в резлльтз ЧЕГ РДЗВИВЗСЯ НЕУСтОйЧИПОСтЬ ЛОЧЕН- ной границы, сформированной по краям ,окольного участка. Это приволич к форчировдникч нз нес системы полосовых чз 1 ичпых лочено 5, улчинякцихсл по направ ;с. (1 к, и.рп плнку.ярночу границе лкдль.и го учдсткд о ск чднпи эгого процес СД Н ЛОКД.ЬНОЧ ) сДеть. 1 ЧС Л КаРтнНУ Р 1,ИДЛЬНОХОЛЯЦХСЯ ПО,ОВЫХ ЛОМЕНОВцентром строо середине локального (дсткд ри зли ии леректд нз иссле,счоч учасгк пленки после снятия по.чя смсщения перемдгпичивание пленки...

Номер патента: 1327184

Опубликовано: 30.07.1987

Авторы: Дробноход, Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в обратном зеве ка стороне, противоположной свободному концу проводника, становится большей, а на стороне свободного конца проводника .становится меньшей. Это приводит к тому, что глубина Формовки проводника по всей его длине становится равномерной,Сохранение угла наклона плоскостей технологических струн в обратном зеве равным углу наклона плоскостейтехнологических струн при прямом зеве обеспечивает одинаковые условияформовки проводника при плетении последующих витков адресных обмоток припрокладке проводника как слева направо, так и справа налево со сторонывершины угла, образованного плоскостями технологических струн. Сформированные проводники перемещают к адресным обмоткам, заливают компаундоми извлекают технологические...

Номер патента: 1341680

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...запоминающих устройств на цилиндрических магнит; ных пленках (ЦМП),Цель изобретения - повышение на- дежности изготовления накопителей путем исключения проникновения клея в каналы матриц соленоидов числовых обмоток при их склеивании в пакет.В соответствии с предложенным способом изготовления накопителей для запоминающих устройств на ЦИП осуществляют следующим образом.Растягивают технологические струны за противоположные концы и перемещают матрицы соленоидов числовых обмоток вдоль технологических струн, скрепляют матрицы соленоидов числовых обмоток между собой и закрепляют на основании, извлекают технологические струны после полимеризации клеевых швов между матрицами, устанавливают торцовые панели с металлизи- р" рованными отверстиями и...

Номер патента: 1345138

Опубликовано: 15.10.1987

Автор: Краснов

МПК: G01R 27/04

Метки: волн, затухания, магнитостатических, пленках, ферритовых

...Государственного комитета СССРделам изобретений и открытийМосква, Ж, Раушская наб., д. 4 113 о-полиграфическое предприятие, г. Ужгород ул. Проектная, 4 Производств Изобретение относится к измерительной технике, в частности к измерению параметров затухания магнитостатических волн (МСВ) в ферритовыхпленках, и является усовершенствова -нием изобретения по авт, св.У 1275327,Цель изобретения - увеличение точности измерения. 10На фиг.1 приведена конструкцияустройства для измерения затуханиямагнитостатических волн в ферритовыхпленках на фиг.2 - график зависимости изменения потерь от частоты. 15Устройство для измерения затуханиямагнитостатических волн в ферритовыхпленках содержит проводники 1 микрополосковые, диэлектрическую подложку 2, входные...

Номер патента: 1346977

Опубликовано: 23.10.1987

Авторы: Верченко, Колесниченко

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, металлических, пленках, примесей, тонких

...значение),где 0 55 по 1 134697Изобретение относится к исследованию физических свойств веществ и может быть использовано для определения коэффициента диффузии примесей5в тонких металлических пленках, атакже для изучения размерных явленийв проводимости тонких пленок.Целью изобретения является повышение точности определения путем исклю Очения влияния диффузионного рассеянияносителей тока на результаты измерений.П р и м е р. Определение коэффициента диффузии примесей золота в 15тонкой металлической пленке серебра,Пленку серебра толщиной й = 5 к1.0 см помещают в магнитное полекатушки так, что магнитное поле перпендикулярно поверхности пленки, 20Измеряют электропроводность пленкипри различных значениях напряженности Н магнитного поля и...

Номер патента: 1352533

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Дроздович, Сморж, Човнюк, Шутовский

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 1 135Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных пленках (ЦМП).Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц.В соответствии с предложенным способом изготовление запоминающих матриц на ЦМП осуществляют следующим. образом. Вместо, обычно применяемых в качестве технологических струн основы стальных проволок выбирают проволоку, изготовленную из материала, обладающего, эффектом памяти формы, например нитинола (50 никеля, 50 титана). Вначале нитиноловую проволоку нагреовают до 200 С, затем ее подвергают растяжению до тех пор, пока поперечный диаметр нитиноловой проволоки не...

Номер патента: 1364964

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Зюзин, Рябочкина

МПК: G01N 24/00

Метки: кристаллографических, методом, направлений, пленках, резонанса, феррит-гранатов, ферромагнитного

...100, являющегося осью 50 трудного намагничивания. В результате кривая азимутальной зависимости резонансного поля будет периодической с периодом 2 й/3, Проекции направлений внешнего магнитного поля, соот ветствующие максимумам зависимости Нр( Д, ца плоскость пленки будут, таким образом, совпадать с направлениями (2111121,(121, а соответствующие минимумам - с направлениями 2 111, 112 1, Г 121, Оси 1113 и 100 3 лежат в плоскостях Г 1101, перпендикулярных плоскости пленки, причем оси 11 1 , составляют угол 71 с нормалью к плоскости пленки, а оси 100- угол 55 , Таким образом, зная расположение осей Г 1121 и С 123 в плоскости пленки (111), легко определяются необходимые кристаллографические направления.П р и м е р. Для определения...

Номер патента: 1385038

Опубликовано: 30.03.1988

Авторы: Госьков, Губанов, Дьяченко, Михайлов, Михайлова, Рязанцев, Тараканов

МПК: G01N 21/41

Метки: дефектов, пленках, полимерных, прозрачных

...16средние и большие дефекты, компаратор 17 - малые и большие. Сигнал свыхода компараторов поступает на входарифметико-логического устройства18, где осуществляется сортировка ицифровая обработка сигнала и с помощью знаковых индикаторов 19, 20, 21высвечивается количество дефектовбольших, средних и малых за время контроля пленки,Устройство (фиг.2) содержит гелийнеоновый лазер 1, пластинку Д/4 22,полупрозрачное зеркало 23, Фотоприемник 24 опорного канала, фокусирующую линзу 2, сканирующее устройство 3, фотоприемники б дополнительного канала, собирающую линзу 5, ножФуко 7, цилиндрическую линзу 25, фотоприемник 8 основного канала, программируемый усилитель 9 основногоканала, программируемый усилитель 10дополнительного канала, усилитель...

Номер патента: 1387045

Опубликовано: 07.04.1988

Авторы: Абелян, Даниелян, Мириджанян, Чокекчян

МПК: G11C 29/00

Метки: информации, магнитных, матриц, неразрушающим, памяти, пленках, считыванием, цилиндрических

...в состояние О, а триггер 27 г устанавливается в состояние единицы, и аналогично происходят контроль и регистра 25 ция результатов контроля сигналов нулей Я бит второго разряда матрицы 4, так происходит до окончания контроля всех сигналов нулей первых Я бит Х-го разряда. При контроле сигналов этого последнего З 0 разряда на выходе 20 блока 11 устанавливается высокий потенциал, и приходящий вслед за контролем сигнала нуля последнего Я-го бита Х-го разряда сигнала с выхода счетчика 2 проходит через элементы И 13 ИЛИ в14 и переводит триггер 5 в нулевое состояние, т.е. запись, а триггер 7 - в единичное состояние. Ааналогично происходят запись-разрушение и контроль сигналов единиц первых Я)( Х бит первых М разрядов матрицы 4. После этого...

Номер патента: 1408356

Опубликовано: 07.07.1988

Авторы: Ревякин, Соломонов

МПК: G01N 29/04

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, пленках

...усилитель 4 и динамик 5, источник6 питания, генератор 7 импульсов напряжения с токоотводами 8 и 9, Токоотвод 9 соединен с мембраной 2, а натокоотвод 8 нанесен слой 10 гигроскопичного материала. Контролируемаяпленка 11 размещается на мембране 2. 25Натяжение мембраны 2 регулируетсярезьбовой втулкой 12,Устройство работает следующим образом. 30Исследуемую пленку 11 укладывают на поверхность мембраны 2. Включают питание генератора 7 импульсов напря;жения и усилитель 4, Пленка 11 генерирует звуковые колебания. Токоотвод 8 равномерно перемещают по поверхности пленки с перекрытием всех ее участков. Пьезоэлектрическии приемник 3 преобразует звуковые колебания в электрический сигнал, который усиливается усилителем 4 и воспроизводится...

Номер патента: 1474737

Опубликовано: 23.04.1989

Авторы: Ковалев, Никонец

МПК: G11C 11/14

Метки: дефектов, доменосодержащих, обнаружения, пленках, эпитаксиальных

...Раушская наб., д, 4/5 эоизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,11 тушки. Об этом можно судить по появлению в пленке системы радиально сходящихся к центру катушки полосовыкдоменов (при отсутствии других полейсмещения). Доменную структуру можнонаблюдать в поляризационный микроскоп, освещая пленку поляризованнымсветом. При подаче на эпитаксиальнуюпленку однородного постоянного полясмещения, направленного встречно вертикальной составляющей импульсного,неоднородного магнитного поля, вокруг дефекта образуется изолированный кольцевой домен, появляющийся вместе раздела двух систем доменов(радиально сходящейся полосовой ирадиально расходящейся из дефекта в.пленке гребешковой) в результате коллапса обеих доменных...

Номер патента: 1501159

Опубликовано: 15.08.1989

Авторы: Логинов, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: гиромагнитного, доменосодержащих, знака, отношения, пленках

...намагниченности показаны разным цветом). Области с разных сторон проводника имеют противоположное направление намагниченности, а граница 35 областей проходит под проводником (Фиг. 2). После окончания импульса тока намагничивающее поле исчезает и в результате изгибной неустойчивости доменной границы под проводником 40 начинается перемагничивание пленки путем роста полосовых доменов 3 в обе стороны от проводника (Фиг.3). Перемагничивание заканчивается Формированием полосовой доменной структу 45 ры со строго определенным углом сноса доменов(фиг.4) относительно перпендикуляра к проводнику. Такая доменная структура может быть легко зарегистрирована известными магнитооптическими методами. Если знак гиромагнитного отношения...

Номер патента: 1513518

Опубликовано: 07.10.1989

Авторы: Голузинский, Логинов, Логунов, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, импульса, компенсации, момента, пленках, температуры

...компенсации момента импульса доменосодержащей пленки,П р и м е р. В качестве доменосо-, 40 держащей пленки использовали моно- кристаллические пленки феррит-граната составов ( Сй, Тт, В 1 ) (Ре ,Са )О (Тш, Вз.)(Ре, Са ),О Рассматривается реализация способа на пленке первого состава, имеющей следующие параметры при 20 С: толщина Ь = 14,б мкм, намагниченность насыщения 4 пМ =- 150 Гс, характеристическая длина 1 = 1,25 мкм, поле одцоосной анизотропии 2100 Эгиромагнитное отношение 1 = 5,710" Э сДля реализации способа использовали поляризационный микроскоп, электромагнит, генератор импульсов и стабилизатор температуры, Пленку помещали в электромагнит, находящийся на предметном столике микроскопа, дамены в пленке наблюдали благодаря эф...

Номер патента: 1259848

Опубликовано: 23.10.1989

Авторы: Гаврилюк, Мансуров, Чудновский

МПК: G03C 1/74, G03G 5/04

Метки: адсорбированным, аморфных, высших, демитилформамидом, записи, информации, металлов, оксидов, оптической, переходных, пленках, поверхности, фотохромной

...нии паров воды большем 20 пленки оксидов переходных отслаиваются от подложки.1259848 Составитель В,АксеновТехред А.КравчукКорректор А.Обручар Редактор А.Бер,Заказ 6883 Тираж 412 ПодписноеВНИНПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, )К, Раушская наб., д. 4/5 ПроиЗводственко-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина, 101 на воздухе или в вакууме происходит быстрая десорбция паров воды с поверхности пленок оксидов.В результате адсорбции молекул воды и связывания их с молекулами диметилформамида посредством водородной связи происходит ослабление С-Н связей в молекулах диметилформамида. Ослабление С-Н связей приводит к тому, что молекулы диметилформамида ; более эффективно...

Номер патента: 1562955

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Линник, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: границ, доменных, насыщения, одноосных, пленках, скорости, ферритов-гранатов

...больше поля зрения микроскопа. Заштрихованный круг радиуса К отображает контрастное круговое пятно, возникающее в поле зрения при воздействии на пленку заданных магнитных полей,О Устройство работает следующим образом.Исследуемую пленку 5 (Фиг.1) осве щают поляризованным светом, и ее доменную сруктуру наблюдают в микроскопе 8. Током в катушке 6 создают перпендикулярное плоскости пленки постоянное магнитное поле смещения 25 Н , напряженность которого находится в области существования ЦИД для данной пленки (между полем коллапса ЦМД и полем эллиптической неустойс чивости). Током в кольцевой аппли кации(Фиг.1 и 2) периодически создают импульсыстирающего поля смещения Н 1 , направленного вдоль постоянного магнитного поля смещения Н сй,...

Номер патента: 1594601

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Гогин, Захаров, Пыхтина, Станина

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, накопителей, пленках, цилиндрических

...информации на цилиндрических магнитных пленках, основанный на изготовлении числовых соленоидов, установке в разрядные каналы соленоидов стержней с цилиндрической магнитной Составитель Ю, РозентальТехред М.дидык Корректор Т.Палий Редактор О.Головач Заказ 2833 Тираж 489 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г,ужгород, ул. Гагарина,101 Формула изобретения5 пленкой и распайке их в металлизированные отверстия торцовых панелей, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения надежно "ти изготовления накопителей, перед установкой стержней с цилиндрической маГнитной пленкой внутренние стороны торцовых панелей...

Номер патента: 1624523

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Андрианов, Жаркова, Полетаев

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, магнитных, накопитель, пленках, устройства, цилиндрических

...которой находятся прямые (обратные) провода числовой обмотки одного ряда, с другой - обратные (пр 1 мые) провода числовой обмотки другого ряда, 2 ил. ванной ленты и придания ей П-образной формы в плоскости, перпендикулярной Ф осям 6 ЦМП, прямые и обратные провода (Я числовых обмоток одного ряда расположе- Я ны соответственно над обратными и прямы- ( р ми пооводами числовых обмоток другого ряда. ЦМП нанесены на разрядные провода 7, используемые как при записи, так и при считывании. Запоминающим элементом в накопителе являются участки ЦМП, с одной стороны которой находятся прямые (обратные) провода числовой обмотки одного ряда, с другой - обратные (прямые) провода числовой обмотки другого ряда. Накопитель работает следующим обраом,1624523...

Номер патента: 1624525

Опубликовано: 30.01.1991

Авторы: Бегагоина, Волков, Селянина

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, накопителя, пленках, цилиндрических

...технике и может быть использовано приизготовлении накопителей информации нацилиндрических магнитных пленках (ЦМП),применяемых в электронных устройствах,Цель изобретения - повышение надежности накопителя информации.На фиг. 1 изображена форма для заливки компаундом матрицы накопителя информации на ЦМП, общий вид; на фиг. 2 - то же,вид сверху: на фиг. 3 - вид А на фиг. 2; нафиг, 4 - форма с изготовленной матрицейнакопителя информации с вырывом крышки, изометрическая проекция, горизонтальное положение.Предложенный способ осуществляетсяследующим образом,Для заливки матрицы 1 накопителя информации с технологическими струнами (непоказаны) используют разьемную форму 2, . 1624525 Аузкую зону со стороны выводов 6 матрицы 1, ограниченную...

Номер патента: 1635292

Опубликовано: 15.03.1991

Авторы: Блохин, Васильев, Квон, Селезнев, Шишкина

МПК: H05K 3/10

Метки: металлических, пленках, рисунка, формирования

...легколетучего соединения, 3 ил. 4 методом фотолитографии вытравливаютрисунок. обратный рисунку схемы (фиг,1).Шаблон 3 накладывают на основание 1.всю систему помещают в вакуумную камеру(фиг.2) и подвергают отжигу. Материал 0 с,пленки подбирают в соответствии с диаг- ( )раммой состояния: материалы металлических упленок шаблона и основания должны образовывать легоколетучие интерметаллические соединения. В процессе нагрева ввакууме в результате взаимной диффузии Эобразуются интерметаллические соединения, которые возгоняются в вакууме, чтоприводит к удалению реагирующих пленок дв местах их контакта (фиг.3),Примеры конкретного выполнения приведены в таблице,гаемый способ позволяет р менклатуру получаемых рис ысить их точность и да1635292...

Номер патента: 1636743

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Бажанов, Мизонов

МПК: G01N 21/88

Метки: дефектов, защитных, обнаружения, пленках, проволочных, тензорезисторов

...с пло щадью рабочей поверхности 10 х 25 мм. Максимальная толщина тензорезистора не превышает 0,1 мм. Данные размеры определяют размеры объема, заполняемого жидким кристаллом. Возникновение 30 электрооптического эффекта в жидком кристалле не зависит от толщины его слоя, но наиболее часто применяются электрооптические ячейки с толщиной слоя жидкого кристалла 5-100 мкм. Поскольку исследование производится с двух сторон, толщина ячейки (ширина заполняемого объема) выбирается 110-300 мкм (с учетом толщины самого .тензорезистора).40Установлено, что проявление электрооптического эффекта начинается при напряжении порядка 5 В, Верхняя граница подаваемого напряжения ограничивается пробивными свойствами исследуемого 45...

Номер патента: 1642381

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Миклина, Туманов, Шахверди

МПК: G01N 31/22

Метки: кремния, основе, пленках, силицидов, хрома

...нее 5 мкг. Растворение пленок длится 5-6 мин. Раствор количественнопереносят в полиэтиленовый стаканемкостью 45 мл, обьем в стакане доводят дистиллированной водой до30 мл и переменивают, устанавливаютрН раствора равным точно 1 при помощи НС 1 .(1:2), Затем содержимое стакана переносят в мерную колбу из молибденового стекла без притертойпробки объемом 50 мл, добавляют1,5 мл 5%-ного раствора молибдатааммония, а через 20 мин 7,5 мл концентрированной НС 1, Раствор охлажцаотдо комнатной температуры, приливают1642381 Опр еделя емыйминимум Используемакислота спользуемьеталл кремнияпробе, м 5Не опред.Мешают определениюИе опред.Мешает определениюНе опред,То же НС 1 НС 1 НС 1 НС 1 НС 1 НИО, Н ВО Н 3 РОФ Ре Жа ЛюбойТо же1 вестныи спосо...

Номер патента: 1645997

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Ивановский, Чендрикова

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, плетения, цилиндрических

...из зацепления с челноком 19 или 22 и продолжает перемещение лод склиэом5997 6 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 164 30 батана 14. Ролик 32 каретки 25 н это время находится на горизонтальном участке линейки 33, штырь 27 контактирует с отверстием 28 челнока 19 или 22 и ведет один из челноков 19 и 22 по склизу 30 батана 14 в раскрытом зеве 55 основы 3.Далее ролик 31 попадает на другой наклонный участок линейки 33, часть каретки 25 со штырем 26 поднимается, штырь 26 через паз 29 склиза 30 батана 14 снова входит в зацепление с отверстием 28 челнока 19 или 22 и начинает вести челнок 19 или 22 далее по склизу 30 батана 14. В это время ролик 32 каретки 25 проходит по наклонным участкам линейки 33 под склизом 30 батана 14 аналогично рслику 31. В...

Номер патента: 1646002

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Андрианов, Бушмелев, Вобленко

МПК: G11C 11/14, G11C 29/00

Метки: кубов, магнитных, матриц, памяти, пленках, цилиндрических

...2 в нулевое состояние, а триггер 3 - в единичное. В конце программы редима Нормализация происходит запись инФормации в проверяемый элемент памяти однократно.После установки триггера 3 в единичное состояние импульсы от генератора 1 запускают распределитель 6 импульсов. Распределитель 6 импульсов вырабатывает программу режима "Разрунение 1" - многократную запись разрушающей инФормации в соседние с проверяемым элементы памяти матрнцы, Счетчик 9 циклов считает количество6002 10 15 5 164 циклов записи н в конце последнего цикла устанавливает триггер 3 в нулевое состояние, прекращая тем самьи режим "Разрушение 1", а триггер 4 - в единичное, запуская распределитель 7 импульсов, Распределитель 7 импульсов вырабатывает программу режима...

Номер патента: 1664393

Опубликовано: 23.07.1991

Авторы: Громов, Иванов, Кондратов, Муров

МПК: B01J 13/02

Метки: жидкостей, капсулирования, пленках, фторполимерных

...МаОН, Получают капсулы с раствором НС/ и КаС. Размеры капсул около 50 мкм. Соотношение НС и МаС меняется при увеличении длительности кипячения пленки в сторону нейтрального раствора соли, Для фторопласта Фпосле кипячения в 10%-ном растворе МаОН в течение 10 ч в пленке капсулируется насыщенный раствор Ма С (350/,),1664393 расположение капсул в пленке Концентрация рема обработки ч Пример Фторопласт(толщина обСреднииразмеркапсул ремя доаэрущенияболочек,азца, мкм воде ишелочи в крупныкапсула 0(НО) Б п 2 Н(300) 5 32 Л (200) 1 40 (500) 2 Более 1 О Более 10 хностных слоя зо(н, о)5 о(н о)г(Н О)20(нго)зо(н о)10(нго) о ж Более 200 Более 200 Более 200 Более 150Более 100 Более 100 Более 100 Более 100 По вс бъему-40(3000) поверхностных слоя...