Патенты с меткой «пленках»

Номер патента: 942147

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Журавель, Косинов, Косинова, Човнюк

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...1 О Х-образного пересечения технологических струн в направлении свободного конца провода.Причем перемещение осуществляют путем ввода в зев винта с нарезкой, переходящей на конце в буравчик с шагом, равным удвоенному расстоянию между струнами, и его вращения вокруг продольной оси.На фиг. 1 показан схематически Про цесс расположения струн Х-образно и смещения Х-образного пересечения прк вращении винта вокруг продольной оси; на 4 вт. 2 - схема устройства дпя реализации предлагаемого способа, 25Устройство содержит зев, образованный взаимным смешением технологичеоких струн 1 и 2, в который вводится провод 3 и винт 4, имеющий нарезку 5 и буравчик 6, 30Устройство работает следующим образом.Струны 1 и 2 расходятся, образуя зев. При...

Номер патента: 942148

Опубликовано: 07.07.1982

Авторы: Журавель, Косинов, Косинова, Човнюк

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...вверз. Это щ:вводит к появлению фшахматки" и внутренних обрывов. Цель изобретения - повышение надежности запоминаюших матриц.Поставленная цель достигается тем, чго в способе изготовления запоминаюших матриц при пропускании проводов щсловых обмоток размещают начало каждой числовой обмотки в том же зеве, во и канщ предыдущей киперной обмоткиэНа чертеже изображено размещение числовых и киперных обмоток.. Составитель Ю. Розентальр С. Юско Техред А.Бабинец Корректор М. Демчик з 4853/46 Тираж 622 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам .изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб.,4/5 филиал ППП "Патент, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 Э 94214Способ осуществляют следующим образом.При плетении числовых 1 - 3 и...

Номер патента: 959160

Опубликовано: 15.09.1982

Авторы: Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...путем их разведения, формовке про водника технологическими струнами, перемещении .сформованного проводника к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, располагают плоскость разведенных технолс-ических струн под углом к плоскости неразведенных технологических струн при неизменном угле наклона между плоскостями зева, формовку проводника осуществляют в направлении от вершины угла, образованного плоскостями зева, посредством закрытия зева при неизменном угле наклона между плоскостями зева до полного завершения формовки, пос-, ле чего совмещают плоскости зева в зоне плетения.На фиг. 1 изображен проводник, положение в момент закрытия зева; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3 - последовательное...

Номер патента: 963096

Опубликовано: 30.09.1982

Авторы: Бегагоина, Диженков, Матросов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...в на" тяжении технологических струн, вплетении в них обмоток, заливке обмоток компаундом, сушке и извлечении технологических струн, на технологические струны при вплетении в них963096 4дотвращая тем самым нарушение изоляции обмоток матрицы и застревание те нологических струн в ее каналах. В отличие от жидкой смазки сухая смазка позволяет в дальнейшем при сборке матриц в пакет применять клеевые соединения без ухудшения качества клеевых швов. Составитель В. ВакарТехРед М.КоштУРа КоРРектоР Е. Рошко Редактор 8, Пилипенк аказ 7526/77 Тираж 622 ВНИИПИ Государственн по делам изобрет 113035, Москва, Ж, Подписноего комитета СССРний и открытийРаушская наб., д 4/ илиал ППП "Патент", г. Ужгор Проектна 3обмоток наносят сухую смазку, напри мер...

Номер патента: 964729

Опубликовано: 07.10.1982

Автор: Аревян

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...перемещения иглы вверх прижимают ветви петли к игле ограничителями до захвата петли челноком и расширяют ветви петли до заданного размера.На фиг. 1-7 схематически показаны последовательные операции при изготов. лении матрицИзготовление матриц для запоминающих устройств на ЦМП в соответствии с предложенным способом осуществляется следующим образом.Между прижимной лапкой 1 и иголь" ной пластинкой 2 размещают ЦМП или технологические струны 3, зафиксированные на раме 4 перпендикулярно направлению прошивки. Игла 5 проводитверхний провод,б между Цйп или технологическими струнами 3 через игольную. пластину 2 и ограничители 7 и 8, рас" положенные под игольной пластиной 2, в крайнее нижнее положение, верхнее ушко иглы 5 натягивает петлю (фиг....

Номер патента: 1016831

Опубликовано: 07.05.1983

Авторы: Баяндуров, Виксман, Довбий, Лысый

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...имипроводником. Это вызывает необходимость увеличения угла прокладыванияпровода и его длины в зеве и приводит к деформациям сформованных полувитков адресных обмоток при перемещении их по струнам в закрытомзеве, изменению их формы и размеров,отклонению магнитных и электричес- "ких параметров амплитуды магнитногополя, величины выходного сигнала,помех и др,1,Таким образом, этот способ необеспечивает достаточной точностиразмеров и качества плетения адресных обмоток матриц различных типоразмеров при их изготовлении.Наиболее близким к предлагаемомуявляется способ изготовления запоминающих матриц на ЦМП, который основан на натяжении технологическихструн, образовании между Струнамизева, укладывании в зев провода числовой обмотки под...

Номер патента: 1034072

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Бойко, Кузьменко, Максимец

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...числовых о обмоток проводниками экранирующих обмоток, так как последние являются более жесткими. Нарушение изоляции проводников числовых обмоток приводит к возникновению коротких замыканий проводников числовых и экранирующих обмоток друг с другом, которые проявляются как непосредственно при изготовлении матриц, так и нри их даль" нейших испытаниях, Короткие замыкания проводников числовых и экранирующих обмоток увеличивают влияние числовых обмоток друг на друга, что снижает уровень выходного сигнала и увеличивает уровень помехи матрицы, приводя к уменьшению выхода годных матриц.Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу изготовления...

Номер патента: 1042082

Опубликовано: 15.09.1983

Авторы: Епанчинцев, Силантьев, Шелухин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащих, периода, пленках, полосовой, структуры

...синхроимпульсов, первый выход которого подключен к формирователю сигналов измерительных визиров, а второй выход - к первому входу первого дополнительного эле-, 50 мента И, выхрд которого через первый дополнительный счетчик, дешифратор и первый Формирователь управляющих сиг,", .налою соединен с входом первого до"полнительного триггера, первый выход Ы которого соединен с первыми входами .второго и третьего дополнительных элементов И, а второй выход - с вто" 82 арым входом первого дополнительного элемента И, выход первого триггера подключен к второму входу второго дополнительного элемента И, -третьему входу первого дополнительного элемента И, входу второго формирователя управляющих сигналов и первому входу третьего формирователя...

Номер патента: 1051476

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Епанчинцев, Силантьев, Шелухин, Шихин

МПК: G01R 33/12

Метки: доменосодержащих, периода, пленках, страйп-структуры

...прямас полосовйх доменов, находящихся на измеряемом участке, и определяют период страйп-структуры путем деле ння величины линейного размера на количество полосовых доменов Ц .Однако известному способу свойственны низкие быстродействие и точность измерения. 35Цель изобретения - повьыение быстродействия и точности измерений.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измере О ния периода страйп-структуры в доменосодержащих пленках, заключающемуся в том, что пленку помещают в переменное магнитное поле, направление которого перпе"д"кулярно к пл кос ти пленки, плоскость пленки поворачивают параллельно направлению магнитного поля и уменьшают амплитуду переменного магнитного поля до нуля.Способ осуществляют следующим образом....

Номер патента: 1051583

Опубликовано: 30.10.1983

Авторы: Кононенко, Кузьменко

МПК: G11C 5/02

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...изготовления матриц для запоминающих устройств на ЦМП при последовательном формовании нитков числовых обмоток перемещают сформованные петли числовой обмотки к опушке сплетенного полотна при каждом шаге их формования, а несформованную часть проложенного в зев проводника числовой обмотки перемещают при этом паралелльно его первоначальному положению на величину перемещения сформованных петель числовой обмотки при каждом шаге их перемещения.Сущность предлагаемого способа заключается в том, что на специаль" ном устройстве натягивают в качестве основы технологические струны, разводят их для образонания зева, прокладывают в образонавшийся зев проводник числовой обмотки под углом к технологическим струнам, последователь-, но переводят...

Номер патента: 1057986

Опубликовано: 30.11.1983

Авторы: Кононенко, Кузьменко, Максимец, Самойлов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающего, магнитных, накопителя, пленках, устройства, цилиндрических

...ная технологическая торцовая панель с размещенными между ее отверстиями электрическими проводниками, общий вид, разрез А-А, на Фиг. 3 - участок соединения двух соседних стержнейНакопитель для ЗУ на ЦМП, изготовленный в соответствии с предлагаемым способом (Фиг. 1), содержитоснова" ние 1, плетеные полотна. 2 числовых обмоток, залитые, компаундом, прокладки 3, стержни 4, покрытые Ферромаг" нитной пленкой, с развальцованными на концах площадками 5, электрические проводники б и 7:, вспомогатель- ные технологические торцовые панели 8 с отверстиями 9 (фиг. 2), контакты 10 в местах соединения концов стерж" ней 4 с электрическими проводниками 6 и 7 (Фиг, 3),Изготовление накопителя по предла гаемому способу осуществляется следующим образом,На...

Номер патента: 1073797

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Диженков, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...из стеклотекстолита или заливки компаундом в процессе изготовления матриц. Кроме того, сборка пакета. из матриц с предварительно извлеченными технологическими струнами привоцит в процессе дальнейших технологических операций с полученным пакетом до заполнения соленоидов числовых обмоток стержнями с ферромагнитным покрытием к повреждению торцов полученных пакетов и засорению каналов, что делает невозможной операцию заполнения каналов стержнями и снижает процент выхода годных накопителей. 5 10 15 20 25 ЗО 35 0 50 55 60 Целью изобретения является повышение надежности изготовления накопителей.Поставленная цель достигаетсятем, что согласно способу изготовления накопителей для запоминающихустройств на цилиндрических магнитных...

Номер патента: 1088069

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...вместе с ограничительной прокладкой в зев, образованный технологическими струнами, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки, перенесении сформованных проводников к адресным обмоткам, заливке компаундом и извлечении технологических струн, увеличивают зев в начале зоны формовки каждого проводника, перемещают провод квплетенным проводникам до зажатия его крайними разведенными струнами в начале зоны формовки со стороны, противоположной свободноь.у концу провода, формируют возрастающий угол обратного зевообразования в направлении свободного конца провода поочередно каждой разведенной технологической струной, а перемещение сформованных проводников к адрес:- ным обмоткам производят при фиксированном обратном зеве.Плетение...

Номер патента: 1092565

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...матриц.Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц путем исключения обрывов технологических струн и числовых обмоток.Поставленная цель достигается те 1 что "огласно способу изготовления эапоьвающих матриц на ЦМП основанному на плетении числовых и киперных обмоток на технологических струнах путем пропускания провода вместе с ограничительной прокладкой через зев, регулировании зева, извлечении ограничительной прокладки заливке матриц компаундом и извлечении технологических струн, плетение числовых и киперных обмоток осуществляют с противоположных сторон технологических струи, устанавливают огра ничительную прокладку в зеве при плетении первого полувитка каждой киперной обмотки в положение, аналогичное...

Номер патента: 1093995

Опубликовано: 23.05.1984

Автор: Силантьев

МПК: G01R 33/02

Метки: анизотропии, доменосодержащих, магнитоодноосной, напряженности, пленках, поля

...преобразователя подключен к второму входу второго регистра, выход усилителя подключен к .второму входу усилителя мощности, второй выход второго аналого-цифрового преобразователя соединен с вторым входом четвертого регистра, выход формирователя импульсов подключен к вторым входам первого и второ-. го блоков И, первый и второй выходы блока управления - соответственно к входу генератора пилообразного напряжения и к входу генератора тока, первый и второй входы блока индикации соединены с выходаьы соответственно первого и второго блоков И, а первый и второй входи регистратора соответственно с выходом усилителя н выходом нормирующего усилителя,На чертеже приведена структурная схема, поясняющая работу устройстга.Устройство для...

Номер патента: 1095235

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Диженков, Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...обмотки выполняют незамкнутым, т.е. производят формовку одного полувитка киперной обмотки 3 для всех технологических струн 1 и 2, Затем регулируют зев и вводят в него провод числовой обмотки 5 вместе с ограничительной прокладкой 4 и производят плетение числовой обмотки. При этом, за счет того, что последний виток предыдущей киперной обмотки 3 выполнен незамкнутым, условия формовки последнего полувитка киперной обмотки 3 и первого полувитка очередной числовой обмотки 5 оказываются одик обрывам проводов и ухудшению характеристики стержней с ЦМП, что объясняется нарушением прямолинейности каналов, Все это снижает качество и надежность матриц5Цель изобретения - повышение надежности изготовления запоминающих матриц на ЦМП.Поставленная цель...

Номер патента: 1105941

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...каждой группы, имеющей наибольшее превьппение по высоте, и располагают их ниже уровня нейтрального положения технологических струн, а формование проложенного в зев проводника адреснойобмотки производят одновременно вгруппах технологических струн всеми одинаково расположенными технологическими струнами каждой группыдо полной ликвидации компенсирующихпетель.На Фиг. 1 изображено устройстводля изготовления запоминающих матрицна ЦМП по предлагаемому способу;на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1,на фиг, За - разрез Б-Б на фиг. 1 фна фиг; 386, - стадии формованияпроложенного в зев проводника.10Устройство для изготовления запоминающих матриц на ЦМП содержит технологические струны 1,2,3,4,5, 6.п , натянутые на раму станка 7 в качестве основы,...

Номер патента: 1119075

Опубликовано: 15.10.1984

Автор: Довбий

МПК: G11C 5/00

Метки: запоминающих, зева, изготовлении, магнитных, матриц, образования, пленках, цилиндрических

...стойку с пазами, корпус, закреп ленный на стойке, зевообразующие ремизные планки, размешенные в корпусе, и привод 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 ные штанги, взаимодействующие с зевообра.зующими ремизными планками, содержитнаправляющие гребенки, закрепленные накорпусе, в пазах которых размещены зевообразующие ремизные планки. При этом впоследних выполнены пазы, а приводныештанги выполнены в виде копира, средняя часть которого размещена в пазах зевообразующих ремизных планок, а концыв пазах стойки.На фиг, 1 показано устройство, общийвид; на фиг. 2 - сечение А - А на фиг. 1;на фиг. 3 - вид сверху; на фиг. 4 - направляющая гребенка.Устройство для образования зева приизготовлении запоминающих матриц наЦМП содержит корпус 1, в котором...

Номер патента: 1125653

Опубликовано: 23.11.1984

Авторы: Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, устройств, цилиндрических

...об"раэования зева их разведением, вплетения в технологические струны проводников числовых обмоток, перемещения сформованных витков чис-.ловых обмоток за зажим-разделитель,заливки полученных .обмоток послеокончания плетения компаундом иизвлечения технологических струн 13.Недостатком известного способа 15является низкий выход годных мат"риц, обусловленный различной величиной Формируемых,полуволн витковобмоток по длине матрицы.- минимальных в начале плетения матрицы и 2 Оувеличивающихся к концу плетенияматрицы.Цель изобретения - повышениевыхода годных матриц путем формотвания одинаковых витков числовых 25обмоток по всей длине матрицы,Поставленная цель достигаетсятем, что при способе изготовленияматриц запоминающих устройств на...

Номер патента: 1129557

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, намагниченности, насыщения, пленках, тонких, ферритов-гранатов

...полем смещения, перпендикулярным плоскости пленкиф 55 увеличение напряженности поля до момента исчезновения лабиринтной структуры, который фиксируют, наблюдая пленку в поляризованном свете, и регистрацию напряженности поля в этот момент,в ием после этого воз действуют на пленку импульсным неоднородным магнитным полем, направленным встречно однородному магнитному полю смещения, и увеличивают амплитуду импульсов до воэникнове ния изолированного полосового домена (ИПД), после чего воздействуютна него локальным импульсным неоднородным магнитным полем, равнонаправленным с однородныммагнитнымполем смещения до момента разрываИПД и регистрируют значение напряженности локального магнитного поля,а намагниченность насыщения определяют из...

Номер патента: 1133619

Опубликовано: 07.01.1985

Авторы: Бойко, Гомон, Косинов, Кузьменко, Парака

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, накопителей, пленках, устройств, цилиндрических

...накопителей для ЗУ на ЦМП.Поставленная цель достигаетсятем, нто согласно способу изготовления накопителей для ЗУ на ЦМП,основанному на устанбвке на основание плетеных полотен числовых обмо"ток, закреплении их между собойи на основании, установке на их боковые поверхности эластичных торцо-,вых панелей, установке стержней, покрытых ферромагнитной пленкой,в соленоиды числовых обмоток и формировании разрядных цейей путем соединения концов близлежащих стержней один с другим токопроводящими дорожками, нанесенными на эластичные торцовые панели накопителей, закрепляют эластичные торцовые панели перед установкой на боковые поверхности плетеных полотен числовых обмоток по периметру на жестких технологических рамках и освобождают их от...

Номер патента: 1147936

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Дроздов, Соломонов

МПК: G01M 3/24, G01N 29/04

Метки: дефектов, диэлектрических, обнаружения, пленках

...тем, что согласно способу обнаружения дефектов вдиэлектрических пленках, заключающе-,муся в том, что контролируемую пленку размещают между двумя электродами,подают на электроды напряжение ирегистрируют дефект пленки, передразмещением пленки между электрода- .ми на одном из них размещают слой, 55гигроскопичного материала, смоченного диэлектрической жидкостью, пода"ют на них напряжена в виде однопо 936 3пярных импульсов звуковой частоты самплитудой, выбираемой из условиясохранения диэлектрических свойствпленки, и регистрируют дефект позвуковым колебаниям, генерируемымпленкой.Способ осуществляется следующимобразом,Контролируемую диэлектрическуюпленку размещают между двумя электродами, в качестве одного нз которыхиспользуется плоский...

Номер патента: 1164786

Опубликовано: 30.06.1985

Авторы: Бавыкин, Лысый, Парасюк, Шаповалов

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...устройстве или станке, имеющем зевообразующий механизм.На фиг. 1 схематически показана 5 операция введения в эев провода и ограничительного стержня на фиг.2- операция регулирования основного зева и образования обратного зева; на фиг.3 - операция введения в обратный О зев дополнительного ограничительного стержня с переменным сечением по длине; на фиг.4 - операция расположения дополнительного ограничительного стержня относительно основ ного и эащемления его струнами; на фиг.5 - операция извлечения из зева основного ограничительного стержня и формования струнами провода; на фиг,6 - операция извлечения из 20 обратного зева дополнительного ограничительного стержня.Устройство для осуществления предложенного способа содержит...

Номер патента: 1180972

Опубликовано: 23.09.1985

Авторы: Баяндуров, Виксман, Довбий, Тульчинский

МПК: G11C 5/12

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, обмоток, пленках, плетения, цилиндрических

...в неподвижный упор 35, а верхним плечом, захватьвая провод 22, досылает его до сплетенных ранее обмоток и укладьвает под углом к основе 70-75 , что создает запас провода при формовке полувитков во время подбивки и обеспечивает безобрывыость ихплетения, Процесс укладки провода производится до полного закрытий зева. Толкатель 34 воздействует только на выводы обмо.ток.При закрывании зева перемещениемремизных планок 12 в противоположном направлении образования зева нити основы 10 формуют проложенный между ними провод 22, который затем выравниваетсяи подбивается причдльного вращения (по часовой сострелке) на 180 , заканчивает обводку провода 22 вокруг конусной голойки 25 и занимает исходное положе,ние (фиг. 2 и 3). Кулачковая муфта 28...

Номер патента: 1198567

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Косинов, Кузьменко

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...угол зева для всех разведенных технологических струн 1 и 2, располагая прокладку 4 перпендикулярно технологическим струнам 1 и 2. Провод 3 перемещают в увеличенном зеве в направлении вершины угла зева до касания им разведенных технологических струн 1 и 2 в вершине угла зева. Перемещение провода до касания им технологических струн в вершине зева максимально приближа" ет зону формовки провода к полотну 5 1 О 15 20 25 30 35 40 45 50 55 и исключает в то же время зажатиепровода в момент его формовки, чтоне препятствует перемещению проводав зону формовки для создания необходимого избытка провода при придании ему зигзагообразной формы. Такая укладка провода обеспечиваетодинаковые условия формовки первыхвитков обмотки, что является...

Номер патента: 1226048

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Качер, Онопко

МПК: G01B 11/16

Метки: внутренних, напряжений, пленках, тонких

...лучасвета от поверхности подложки 3 спленкой 4.Чувствительность устройства М.вследствие кривизны поверхности полу 50прозрачного выпуклого сферическогозеркала 5 возрастает по сравнениюс чувствительностью известного устройства и составляет Р 55"г=о.гс з 1( - +1) 5 ФЧ 1 Г, (ъ) где- угол между падающим и отражающимся от подложки с пленкой лучами света;1 - расстояние от подложки спленкой до полупрозрачноговыпуклого зеркала;К - радиус зеркала;Я - расстояние от выпуклого зеркала до измерительного экрана;Ь - величина перемещения светового луча в предлагаемомустройстве;а - величина перемещения лучав известном устройстве,Величина внутренних механических напряжений пленок определяется по формуле- модуль Юнга подложки; - толщина подложки;-...

Номер патента: 1242888

Опубликовано: 07.07.1986

Авторы: Ануфриев, Кожухарь, Летюк, Петровичев

МПК: G01N 24/10

Метки: возбуждений, затухания, магнитных, параметров, пленках, спин-волновых

...возбуждения; на фиг. 3 - импульс отклика дополйительного контура (при 10-кратном усилении).Устройство содержит контур 1 импульсов возбуждения, исследуемую магнитную пленку 2, дополнительный согласованный контур 3, кабель 4 контура возбуждения, кабель 5 дополнительного контура, соленоид 6, Стрелками отмечено направленйе воэбужцающего знакопеременного импульса,"Последовательность действий при осуществлении способа следующая.В соленоиде 6 дополнительного контура 3 размещается исследуемая магнитная пленка 2 и создается подмагничивающее поле аниэотропии О, 1- 0,9 Нп, где.Нп - напряженйость маг 15 П р и м е р. Способ реализованпри определении параметров затуханияспин-волновых возбуждений в пленках железо-иттриевого граната (ЖИГ)с полем...

Номер патента: 1244721

Опубликовано: 15.07.1986

Авторы: Косинов, Кузьменко, Лисица

МПК: G11C 11/14

Метки: запоминающих, магнитных, матриц, пленках, цилиндрических

...1 натягивают в качестве основы на ткацкомстанке. Затем путем поднятия ремиэок2 разводят технологические струны 1,образуя зев 3. Линия 4 расположениямест поднятия технологических струнрасполагается под углом к технологическим струнам за счет того, что ремизки для каждой последующей технологической струны располагают со смещением вдоль технологических струнна заданный шаг. Поднятие ремиэок 2осуществляют на одинаковую высоту.Путем пропускания челнока 5 с проводом 6 в эев 3 располагают проводникчисловой обмотки 7 фпо линии, параллельной линии 4 расположения местподнятия технологических струн 1, Вэев помещают ограничительную прокладку 8. Путем перемещения ремиэок 2разводят технологические струны 1 впротивоположное от их нейтральногоположения...

Номер патента: 1245978

Опубликовано: 23.07.1986

Авторы: Турышев, Турышева

МПК: G01N 27/20

Метки: дефектов, локальных, обнаружения, пленках, полимерных

...резкое возрастание тока,отмечают место дефекта. Использование в качестве жидкости воды или водных растворов солей, как показываютэкспериментальные данные, ограничивают производительность способа,обусловленную большим временем затеканияжидкости в дефектное место.Это время зависит от соотношения Физикохимических параметров материала плен-ки и смачивающей ее жидкости и,напри-,мер,для пленки из поливинилиценфтори,да (ПВДФ),контактирующей с водой,составляет более 10 с. Это ограничивает скорость протягивания пленки0,1 мм/с.Кроме того, ряд полимерных пленокспециального назначения набухаетпри контакте с водой и водными растворами электролитов, что увеличивает время затекания жидкости. Такимобразом, исключается воэможностьанализа...

Номер патента: 1251177

Опубликовано: 15.08.1986

Авторы: Власов, Мальцев

МПК: G11C 11/14

Метки: информации, магнитных, накопитель, пленках, цилиндрических

...работает следующим образом.Запись и считывание информации взапоминающих элементах 3 устройствапроисходят путем изменения направления (перемагничивания) в них векторанамагниченности. Изменение направления вектора в каждом запоминающем элементе 3 осуществляется под влияниемдвух электромагнитньгх полей, одно изкоторых создается при протеканииэлектрического тока в ЦМП 4, а другоеполе образуется как результирующеепри протекании электрического тока вадресных шинах 5, соответствующихданному запоминающему элементу 3, инаведении вихревых токов и полосе 7фолвгированного токопроводящего экрана 6.Поскольку результирующее поле вобласти запоминающего элемента 3обратно пропорционально расстояниюмежду проводниками, то выполнениеадресных шин 5 и...