Способ обнаружения дефектов в защитных пленках проволочных тензорезисторов и устройство для его осуществления

СОЮЗ СОВЕТСНИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) (11) С 01 М 21/88 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМПРИ ГКНТ СССР ЗОБРЕТЕНИТЕЛЬСТВУ(54) СПОСОБ ОБНАРУЖЕНИЯ ДЕФЕКТОВ ВЗАЩИТНЫХ ПЛЕНКАХ ПРОВОЛОЧНИХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГООСУЕСТВЛЕНИЯ(57) Изобретение относится к исследованию и контролю материалов с помощью электрооптических средств и может быть использовано для технологического контроля и диагностики впроцессе производства, эксплуатациии анализа отказов проволочных тензорезисторов из-за наличия дефектов в Изобретение относится к иссл нию и контролю материалов с пом электрооптических средств и мож быть использовано для техноло кого контроля и диагностики в цессе производства, эксплуатаци анализа отказов проволочных тен зисторов из-за наличия дефектов защитных пленках.Цель изобретения - обеспечен можности одновременного исследо защитных пленок по всей их пове ности в ощьюет гиче при оре х ие возваниярхОПИСАНИЕ И К АВТОРСКОМУ СВИД их защитных пленках. Цель изобретения состоит в обеспечении возможности одновременного исследования обеих защитных пленок по всей поверхности. Исследуемый тензорезистор вводят по специальным прорезям в диэлектрической прокладке в объем, заполненный жидким кристаллом. При проверке наличия дефектов в защитных пленках над тенэорезистивным проводом подают напряжение на сам провод (один полюс), который выполняет роль электрода, и одновременно на оба прозрачных электрода (второй полюс). При проверке наличия дефектов в защитных пленках в областях без тензорезистивного провода разные полюса напряжения подключа- Е ют на прозрачные электроды, В обоих случаях после подключения напряжения с помощью микроскопа через прозрачные электроды ведут наблюдение электрооптического эффекта над деФектами и фиксируют их координаты по координатной сетке. 2 с.п.ф-лы, 1 ил., 1 табл. На чертеже дано устройство реализующее способ, общий вид.Устройство состоит из прозрачных электродов 1 с координатной сеткой, диэлектрической прокладки 2, жидкого кристалла 3, микроскопа 4, коммутационного переключателя 5. Для предотвращения самовытекания жидкого кристалла электроды 1 герметично соединены с прокладкой 2 по всей плоскости прилегания.Способ реализуют следующим об 1636743Исследуемый тенэорезистор вводят по специальным прорезям в диэлектри" ческой прокладке 2 в объем, запол- ненньЙ жидким кристаллом 3 При про верке наличия дефектов в защитных пленках над тензорезистивным проводом подают напряжение на сам провод (один полюс), который выполняет роль электрода, и одновременно на оба прозрачных электрода 1 (второй полюс), При проверке наличия дефектов в защитных пленках в областях без тензореэистивного провода разные полюса напряжения подключают на прозрачные электроды. 15 В обоих случаях после подключения напряжения с помощью микроскопа 4 через прозрачные электроды 1 ведут наблюдения электрооптического эффекта над дефектами и Фиксируют их координаты по координатной сетке.П р и м е рИсследованию подвергался проволочный тензорезистор с полиамидными защитными пленками с пло щадью рабочей поверхности 10 х 25 мм. Максимальная толщина тензорезистора не превышает 0,1 мм. Данные размеры определяют размеры объема, заполняемого жидким кристаллом. Возникновение 30 электрооптического эффекта в жидком кристалле не зависит от толщины его слоя, но наиболее часто применяются электрооптические ячейки с толщиной слоя жидкого кристалла 5-100 мкм. Поскольку исследование производится с двух сторон, толщина ячейки (ширина заполняемого объема) выбирается 110-300 мкм (с учетом толщины самого .тензорезистора).40Установлено, что проявление электрооптического эффекта начинается при напряжении порядка 5 В, Верхняя граница подаваемого напряжения ограничивается пробивными свойствами исследуемого 45 диэлектрика.Использование предлагаемого способа позволяет выявить локальные дефекты в диэлектрических защитных пленках типа сквозных отверстий,50 трещин, царапин, пор, проводящихвключений и т.п. размером да 0,5 мкм.Были получены следующие результаты, характеризующие зависимость размеров выявленных дефектов от подаваемого напряжения при использовании нематического жидкого кристалла Н, которые приведены в таблице.Подаваемое нап- Минимальные размеры ряжение, В выявляемых дефектов,мкм До 10 20 До 3 До 1 До 0,5Пробой диэлектрика 50 Более 50 Таким образом, значение подаваемого напряжения прямо,пропорционально размерам дефектов, которые необходимо выявить, и зависит от конкретного типа жидкого кристалла.Таким образом, использование изобретения позволяет одновременно исследовать обе поверхности пленки,имеющие одинаковую диэлектрическуюпроницаемость, между которыми имеется проводящий материал, Это позволяет упростить процесс отысканиядефектов в защитных пленках проволочных тензореэисторов и исключить возможность попадания в эксплуатациюдефектной продукции,формула изобретения 1. Способ обнаружения дефектов в защитных пленках проволочных тензорезисторов, заключающийся в наблюдении электрооптического эффекта в жидком кристалле над дефектными участками при подаче напряжения на электроды, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью обеспечения возможности одновременного исследования защитных пленок по всей их поверхности, помещают тензорезистор в объем, ограниченный прозрачными электродами и заполненный жидким кристаллом, подают на электроды постоянное напряжение, а напряжение противоположной полярности подают на по крайней мере один из выводов тензорезистора, Фиксируют координаты дефектов над тензорезисторным проводом по координатной сетке, нанесенной на прозрачные электроды, а затем подают на электроды разнополярное напряжение и фиксируют координаты дефектов на участках без провода по координатной сетке.2. Устройство для обнаружения дефектов в защитных пленках проволоч51636743 6ных тензорезисторов, состоящее из ис- родов, расположенную между электродаточника постоянного напряжения, сое- ми и герметично соединенную с электдиненного с двумя электродами, и родами по всей поверхности прилегаслоя жидкого кристалла, о т л и ч аю щ е е с я тем, что, с целью обес 5иия, при этом электроды выполнены прозрачньии, на их поверхность нане-. печения воэможности одновременного сена координатная сетка, обьем, обраисследования защитных пленок по всей зованный прокладкой и электродами . их поверхности, устройство дополни- заполнен жидким кристаллом, а источтельно содержит диэлектрическую прок 1 О ник постоянного напряжения соединен ладку с продольным вырезом, парал- с электродами через коммутационный лельным плоскости поверхности элект- переключатель. Составитель В.Калеайцева Техред М.Дидык Редактор рректор М.Самборск аказ 811 ВНИИПИ Г Тираж 407 Подписноеарственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ ССС113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 оизводственно-издательский комбинат "Патент", г.ужг л. Гагарина,1