Патенты с меткой «ферритов-гранатов»

Номер патента: 253955

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Василенко, Пухова, Семикозов

МПК: B22F 1/00, H01F 1/00

Метки: ферритов-гранатов

...5 дующему часовому помолу, а зраствор поливинилового спирт пластификатора, прессуют и ок ткигают. Предварительный об производят на воздухе, изделий О лорода. В таблице приведены сравнительные характеристики физических и магнитных свойств иттрийалюминиевого феррита-граната состава УЕез, А 1 01 е, где Х=1,35, полученного известным и предложенным способами. В качестве кохспонента железа бы.пи использованы рас творы его сернокислых и азотнокислых солей. Температура раствора соли железа 20+2 С, раствора осадителя 50 - 96 С. Предварительные обжиги порошков осуществляли на воздухе при температуре 1180 С в течение 8 час. Обжиг изделий проводили прп разных температурах в течение 12 час в кислородной среде при скорости подачи кислорода 50...

Номер патента: 1129557

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Барьяхтар, Вайсман, Дорман

МПК: G01N 27/72

Метки: магнитных, намагниченности, насыщения, пленках, тонких, ферритов-гранатов

...полем смещения, перпендикулярным плоскости пленкиф 55 увеличение напряженности поля до момента исчезновения лабиринтной структуры, который фиксируют, наблюдая пленку в поляризованном свете, и регистрацию напряженности поля в этот момент,в ием после этого воз действуют на пленку импульсным неоднородным магнитным полем, направленным встречно однородному магнитному полю смещения, и увеличивают амплитуду импульсов до воэникнове ния изолированного полосового домена (ИПД), после чего воздействуютна него локальным импульсным неоднородным магнитным полем, равнонаправленным с однородныммагнитнымполем смещения до момента разрываИПД и регистрируют значение напряженности локального магнитного поля,а намагниченность насыщения определяют из...

Номер патента: 1562955

Опубликовано: 07.05.1990

Авторы: Линник, Прудников

МПК: G11C 11/14

Метки: границ, доменных, насыщения, одноосных, пленках, скорости, ферритов-гранатов

...больше поля зрения микроскопа. Заштрихованный круг радиуса К отображает контрастное круговое пятно, возникающее в поле зрения при воздействии на пленку заданных магнитных полей,О Устройство работает следующим образом.Исследуемую пленку 5 (Фиг.1) осве щают поляризованным светом, и ее доменную сруктуру наблюдают в микроскопе 8. Током в катушке 6 создают перпендикулярное плоскости пленки постоянное магнитное поле смещения 25 Н , напряженность которого находится в области существования ЦИД для данной пленки (между полем коллапса ЦМД и полем эллиптической неустойс чивости). Током в кольцевой аппли кации(Фиг.1 и 2) периодически создают импульсыстирающего поля смещения Н 1 , направленного вдоль постоянного магнитного поля смещения Н сй,...