Патенты с меткой «пленках»

Номер патента: 1684760

Опубликовано: 15.10.1991

Авторы: Куликов, Прокушкин

МПК: G01R 33/05

Метки: волн, диссипации, магнитостатических, параметра, пленках, ферритовых

...волны (ООМСВ) распространяющиеся в обе стороны от сси МПЛ вдоль силовых линий внешнего магнитного поля, За счет того, что пленка феррита поднята над плоскостью МПЛ на расстояние 0,2-0,5 мм, эффективно возбуждаются ОПМСВ только с малыми значениями волнового числа Е и соответственно на частоте, близкой к частоте поперечного ферромагнитного резонанса. При рас- пространении вдоль силовых линий статического магнитного поля в обе стороны от оси МПЛ ООМСВ доходят до той области ферритовой пленки, которая расположена над магнитными шунтами, Благодаря эффекту нвтягивания 11 силовых линий магнитного поля в ферромагнетик, магнитное поле над шунтом уменьшается.Дойдя до этой области пониженного статического магнитного поля, ООМСВ испытывает...

Номер патента: 1698856

Опубликовано: 15.12.1991

Автор: Прокушкин

МПК: G01R 33/05

Метки: линии, пленках, резонанса, свч, феррита, ферромагнитного, ширины

...линии;ширина микрополосковой ли 5 нии;инструментальная константа. Формула и з обре т е н и яСпособ определения ширины линии ферромагнитного резонанса в пленках меррита на СВЧ, включающий воздействие постоянного магнитного поля в плоскости пленки и импульсного . СВЧ магнитного поля, измерении выодной мощности СВЧ-сигнала с пленки, Изменение величины импульсного СВЧ магнитного поля, о т л и ч а ю щ и й" с я тем, что, с целью расширениядиапазона измеряемых пленок, измерение выходной мощности имйульсногоСВЧ магнитного поля производят на .частоте, равное половине частоты импульсного СВЧ магнитного поля, а ширину линии ферромагнитного резонанса определяют по формуле Н= К,Р /2 /2 и, - пороговый уровень мощности; - волновое...

Номер патента: 1712861

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Абелев, Карамова, Кучер, Панкратьева, Тюрин, Цимаркина

МПК: G01N 27/453

Метки: аппарат, изотахофореза, пленках

...образцов,Корпус сверху закрыт крышкой 18, на которой фиксированно размещены перфо 9 ТОр 19 С Цириковым фиксатором 20 и форнажатием на подпружиненный пуансон 23 совмещают выступ 30 с пазом 29 матрицы 22. При этом в пленке 8 образуется карман 10, Перемещая рамку 7 вдоль поперечного паза 25 на необходимое расстояние, Формируют аналогичным образом карман 11.После извлечения рамки 7 из формирователя 21 карманов ее поворачивают на 180 и устанавливают в формирователь 21 карманов, совмещал выступ 15 с поперечным пазом 25, Нажатием на подпружиненный пуансон 23 формируют карман 9,8 результате получается с одного конца пленки один по всей ширине рамки карман 9, с другого - несколько карманов 11 для нанесения исследуемых Образцов, разделенных...

Номер патента: 1718162

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Ваньков, Зюзин

МПК: G01R 33/05

Метки: анизотропией, кристаллографических, магнитных, методом, направлений, орторомбической, пленках, резонанса, ферромагнитного

...симметрии кристаллографической, Данное устройство имеет следующее объяснение.Известно, что интенсивность линии ФМР пропорциональна мощности СВЧ-поля, поглощаемой при резонансе, которая определяется антиэрмитовыми компонентами тензора ЯЧ-восприимчивости. В случае линейно поляризованного СВЧ-поля можно показать, не теряя общности, что указанная интенсивность определяется мнимой частью соответствующей диагональной компоненты тензора ВЧ-восприимчивости. Если принять, что ВЧ-поле совпадает с осью Х локальной системы координат, ось Е направлена вдоль вектора намагниченности М, совпадающего с внешним магнитным полем и нормалью к плоскости пленки, то отмеченная мнимая часть будет иметь вид- + + (1) где у- гирамагнитное отнош е,а- параметр...

Номер патента: 1822954

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Алиев, Исмаилов, Султанов, Шафизаде

МПК: G01N 23/20

Метки: исследования, кинетики, переходов, пленках, тонких, фазовых, электронографического

...подводится к неподвижной щели датчика с фотоэлектронным мнО- жителем и фиксируется на ней, При этом размер щели датчика устанавливается больше ширины дифрвкционной линии с уче 1 ом смещения линии в процессе нагрева исследуемого объекта, исключая попадание дру- ф гих линий спектра в данную щель. После 00 установления необходимой для фазового пе- срехода в исследуемом объекте температуры запускается регистрирующая стойка электронографа и производится запись кривой 1 у зависимости интенсивности линии от температуры, т. е. основной экспериментальный +ф материал, с помощью которой строятся кинетические кривые фазовых превращений.Тем самым отпадает необходимость получения серии кинематических элекгронограмм с фоторегистрацией и их...

Номер патента: 1795649

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Ляпунов, Миславский

МПК: B29D 9/00, B32B 27/28, C08J 7/04 ...

Метки: пленках, покрытия, полиимидных, фторопластового

...затем нагревают до температуры 120 - 380 С,.а водную дисперсию сополимера тетрафторэтилена с гексафторпропиленом наносят путем распыления срасходом не более О;2 мл/см мин,Изобретение иллюстрируется следующими примерами: Используемые материалы: пленка полиимидная ПМ марки - ТУ 6-19-121-85; суспензия фторопласта - 4 МД марки ФМДБ,- ТУ 6-05-201-86, фторопласт 4 МД - соло 5 лимер тетрафторэтилена с гексафторпропиленом, полученный водоэмульсионнойполимеризацией,П р и м е р 1. Полиимидную пленку -основу,полипиромеллитимид, толщина10 пленки 40 мкм, величина предела текучестипри комнатной температуре и 3-ном удлинении составляет 7 МПа) натягивают с усилением 0,1 предела ее текучести, нагреваютдо температуры 120 С, на поверхность15 пленки...

Номер патента: 1442012

Опубликовано: 09.08.1995

Автор: Прохоров

МПК: H01L 21/66

Метки: внутренних, механических, напряжений, пленках, тонких

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ВНУТРЕННИХ МЕХАНИЧЕСКИХ НАПРЯЖЕНИЙ В ТОНКИХ ПЛЕНКАХ путем вытравливания в подложке окон и измерения геометрических размеров деформированной пленки, по которым судят о величине механических напряжений, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения процесса измерений, после травления подложку скрайбируют по лицевой стороне через выбранные для исследования структуры так, чтобы излом прошел параллельно свободно висящему краю пленки, отламывают часть пластины и вновь скрайбируют ее параллельно полученному ранее излому с шагом, обеспечивающим прохождение излома через исследуемые структуры, вновь отламывают часть структуры подложки и располагают ее под углом

Номер патента: 659018

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Казаков, Лизин, Преображенский

МПК: H01L 21/66

Метки: микродефектов, пленках, прозрачных

СПОСОБ КОНТРОЛЯ МИКРОДЕФЕКТОВ В ПРОЗРАЧНЫХ ПЛЕНКАХ, основанный на ионно-плазменном распылении, включающий создание плазмы, бомбардировку пленки положительными ионами плазмы и наблюдение микродефектов, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности контроля, в постоянном электрическом поле ведут ионно-плазменное распыление диэлектрика, а о наличии микродефектов судят по появлению вокруг них цветовых ореолов.

Номер патента: 1280999

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Жарковский, Плотников, Сахаров

МПК: G01N 21/77, G01N 31/22

Метки: кислорода, кремния, пленках

1. Способ определения кислорода в пленках кремния, включающий нанесение пленки кремния, определение количества материала пленки и последующую количественную регистрацию, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, параллельно наносят контрольную пленку на подложку, не реагирующую со щелочами, весовым методом регистрируют количество нанесенной пленки, обрабатывают раствором щелочи, определяют в ней кремний спектрофотометрическим методом и по разности веса пленки и количества кремния судят о количестве кислорода.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что кремний переводят в молибденокремниевый комплекс с последующим его восстановлением.

Номер патента: 635789

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Гершинский, Фомин, Черепов

МПК: G01N 27/48

Метки: алюминия, количества, кремния, пленках

Способ определения количества кремния в пленках алюминия путем электрохимического анодного растворения контролируемой пленки с последующим определением количества электричества, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и чувствительности при определении до 0,1 вес.% количества кремния в пленке алюминия, контролируемую пленку предварительно наносят на подложку - свидетель из кремния n-типа, затем производят нагрев системы до температуры 500-550oC с последующим охлаждением со скоростью 10-15 град/мин.

Номер патента: 511755

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильева, Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/205

Метки: n+-слоев, арсенида, галлия, кристаллах, пленках

Способ получения n+-слоев на кристаллах и пленках арсенида галлия в кварцевом реакторе при выращивании из газовой фазы или при отжиге пластин, отличающийся тем, что, с целью получения поверхностных слоев с концентрацией носителей до 1019 см-3, в газовую фазу вводят треххлористый алюминий в концентрации, большей, чем содержание кислорода и кислородсодержащих соединений, например при содержании в газовой фазе паров воды ~ 2 10-5 атм, концентрация вводимого треххлористого алюминия составляет 3,5 10-4 атм.