Патенты с меткой «плазменного»

Номер патента: 1661877

Опубликовано: 07.07.1991

Авторы: Бочек, Зильберберг, Киркун, Мамыкин, Павленко, Рутковский

МПК: C04B 35/10, C22C 29/12, C23C 4/10 ...

Метки: алюминия, материал, напыления, окиси, основе, плазменного, полупроводниковых, порошковый, приборов, теплостоков

...основе окисидля плазменного напыленияполупроводниковых прибороэлектроизолирующих теплослоев на теплопередающих илдящих поверхностях полупроприборов.Целью изобретения являение электрического сопротивлепроводности и снижениематериала,Порошковмас, : окись карид алюминиятальное,В качезуют поро(ГОСТ 6912магния (ТУриллия маралюминиячастиц 30 зованием ипри 120 вчерез ситовают навес е р . Для экспериментальной путем смешения в конусном готовят составы предлагаемоного порошковых материалов ым соотношением компоненУдельное Удельн алектринеское солрстналенне,1 Ом ся онентоа, час.Окись ал миння алю- Окись оери з В 7 Т8 10 льное 1,2 101,1,0 а1,7 10 а1,25 10"-35, Раушская наб 4/5 роизводственно-издательский комбинат "Патент", г. Уж ул Гагарина 10...

Номер патента: 1556401

Опубликовано: 15.08.1991

Авторы: Алферов, Баратов, Волков, Петренко, Фокин, Языков

МПК: G21B 1/00

Метки: витков, плазменного, положением, полоидальных, установки, шнура

...полоидальныевитки 11, 1556401После установки полоидалькых витков 11 и юстировки путем геометриче ских измерений положения их относительно камеры 6 витки 11 закрепляют, на опорной раме 10. Затем вводят токив полоидальные витки 11 и индуктор 9и с помощью тензодатчиков 5 измералтсилы, действующие на симметричные.;,пары витков 11 в мериадиальных плос. костях в местах крепления витков копорной раме 10. Сигналы. напряжениятензодатчиков 5 поступают на тензоусилитель и затем на блок обработки сигналов, где они преобразуются в сиг .палы тока н после обработки направляются в ЭВИ, Для получения данных обабсолютных величинах сил тенэодатчики 8 с трактом измерений предварительно калибруют.Операция сравнения сигналов сил,действующих на симметричные...

Номер патента: 670080

Опубликовано: 23.09.1991

Авторы: Иванов, Мальцев, Нафтулин, Трубецкой

МПК: H05H 1/00

Метки: автоматическая, плазменного, удержания, шнура

...надежным разрядником в цепи ЕС и позволяет .получатьтоки полусинусоидальной формы, порядка десятка килоампер. После включения, эа время прохождения прямоготока, тиристор не управляется. Способы принудительной емкостчой коммутации тиристоров довольно сложны, поэтому, выбран режим естественноговыключения тока, когда прямой токспадает до нуля, а затем происходитвосстановление запирающих свойствтиристора. Амплитуда тока постоянная,длительность полупериода импульса тока тоже постоянная, определяемая параметрами цепи 1.С, поэтому регулирование среднего значения управляющего магнитного поля производится изменением скважности импульсов запускаинверторов.Применение импульсов тока в обмотке управления полусинусоидальной формы по сравнению с...

Номер патента: 1680456

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Блохин, Киселев, Нетисов, Сафронов

МПК: B23K 7/10

Метки: вентиляционная, напыления, плазменного, установкам

...камеры.На Фиг. 1 изображена предлагаемая система; на фиг. 2 - узел на фиг. 1.Система состоит из камеры 1, корпус 2которой закреплен на суппорте 3 токарного 15станка 4. В корпусе 2 со стороны переднейстенки выполнено смотровое окно 5, а состороны верхней стенки корпуса выполненлюк 6 для загрузки и выгрузки напыляемыхдеталей 7. Со стороны задней стенки смонтировано вытяжное вентиляционное устройство 8, Стенки камеры выполнены спокрытием из высоко эффективного звукоизоляционного материала 9,Корпус камеры при помощи гофрированных ячеек 10, выполненных в виде трубпрямоугольного сечения, соединен с торцовыми стенками 11 и 12 системы, первая изкоторых выполнена заодно с передней бабкой 13 станка, а вторая - с задней бабкой 14...

Номер патента: 1736774

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Лысак, Михеев, Раевский, Свешников

МПК: B60L 5/00

Метки: исследования, плазменного, токосъема

...диска 11 с источником 25 питания и задает скорость и направление вращения диску 10, Диски могут вращаться 0 с равной или разной скоростью, в одном илипротивоположном направлении, Один из дисков в процессе исследования может оставаться неподвижным. От источника 22 электрической энергии силовой дуги через 5 поглотитель 23 электрической энергии и щеточные контакты 21 и 24 на электроды 8 и 9 подаютсяпотенциалы различной величины. Генератор 16 плазмы, блок 18 регулирования его угла наклона и линейного перемещения по сигналу с блока 19 управления подводит под заданным углом к торцам дисков 7 и 10 и по команде с блока 20 поджига начинает работать в импульсном режиме, ионизируя межэлектродный промежуток, до момента зажигания силовой дуги...

Номер патента: 1746048

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Калашников, Федоров, Шпади

МПК: F02P 3/10

Метки: зажигания, плазменного

...опорный диод 10 переходит в проводящее состояние в момент максимальной скорости нарастания этого напряжения, которое поступает на подвижную пластину емкостного распределителя 6, перемещающуюся распредвалом синхронно с кулачком 5 прерывателя 3. Этот импульс напряжения через соответствующую неподвижную пластину распределителя 6 и калибровочный резистор 15 поступает на затвор одного из полевых транзисторов 13, вызывая смещение его рабочей точки за напряжение отсечки, что приводит к резкому возрастанию тока через его балансный резистор 14 и светодиод оптронного динистора разрядного элемента 7, который открывается, При этом накопительный конденсатор 9 оказывается заряженным до напряжения, равного примерно половине максимально...

Номер патента: 888363

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Меркин, Остиловский, Педенко, Щербак

МПК: B05B 13/02, B05B 7/22

Метки: напыления, плазменного

...плазматрона 7, который закреплен на кронштейне 8.фУстройство координатных перемецений 6 служит для выполнения заданныхперемещений плазматрона и представляет собой механизм горизонтальныхперемещений 9 с приводом 10, на под"вижном ползуне 11 которого укрепленмеханизм вертикального перемещения12 с приводом 13, который приводитво вращение винт 14, Последний, взаимодействуя с гайкой подвижного ползуна 15, перемещает ползун по направляюцим скалкам 16, Для установки и регулирования положения устройства 6 служат лапы 17,Звукоизолирующая камера выполненаа входным и выходным шлюзами, образованными центральной цилиндрическойэвукоизолирующей панелью 18 с окном19 для отсоса продуктов сгорания ипорошка, расположенной соосно со столом, боковыми...

Номер патента: 788509

Опубликовано: 30.10.1992

Авторы: Гнатенко, Гутман, Меркин

МПК: B05B 7/22, B05D 1/12

Метки: напыления, плазменного

...с источником высокого напряжения 5 В плазмотроне 3 соосно установлены катод-электрод 6, узел подачи порошка 7 с ограницительной втулкой 8 и сопло 10 анод 9.Плазмотрон снабжен системой каналов для охлаждения водой и подачи плазмообразующего газа. Плазмотрон полсоелиняется к источнику постоянного элек трического тока (на чертеже не пока-.: зан). Плазмотрон имеет изолирующие прокладки 10 и 11.Установка работает следующим образом. 20Между концом электрода 6 и соплом 9 горит электрическая дуга, Дуга проходит через осевое отверстие ограничительной втулки 8.ПлазмооЬразующий газ, проходя це реэ электрическую дугу, образует поток плазмы, истекающий через осевое отверстие в аноде 9.Напыляемый порошок из питателя порошка 1 по трубопроводу 2 при...

Номер патента: 1775508

Опубликовано: 15.11.1992

Авторы: Кособуцкий, Паршуто, Семененко, Слепнев, Станишевский, Хлебцевич

МПК: C25F 3/16

Метки: плазменного, полирования, сложной, формы, электролитно

...Продолжительность обработки во всех случаях одинаковая 6 мин, Данные для других значений углов а приведены в табл, 2-5. Сравнительные данные равномерности обработки при переменной скорости кача- тельного движения и равномерного качания с постоянной скоростью(сл 1. табл. 6) показывают преимущества первого способа.Для количественного и качественно О сравнения введем параметр равномерности обработки К, равный отношению минимальной шероховатости к минимальнойЙв пЙвэхВ случае полной равномерносвсей поверхности изделия К =1775508 30 Таблица 1 Таблица 2 Таблица 3 Таблица 4 Таблица б экспериментальные результаты, построен график (фиг. 2) зависимости параметра К = =К (оь). Как видно из результатов табл, 1 - 6 К/а=О ==0250,10,4К/а=180 = 1...

Номер патента: 1781314

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Бабинцев, Фалалеев

МПК: C23C 4/00

Метки: напыления, плазменного

...лыжами 49. Высцепления 18, ключатель цикла 50 срабатывает от лыжи,20 30 45 закрепленной на диске распредвэла 15 (со стороны сменного кулачка 16). На верху камеры 1 расположен привод 51 подачи порошка через гибкую трубку (условно не показано) к плэзмотрону 12. .Щиток 52 со светофильтрами 53 по движный и может перекрывать смотровое окно 3. Пульт управления 54 и вентиляционный короб 55 расположены с левой стороныкамеры 1. В зависимости от типа обрабатываемой 10 детали осуществляется соответствующая. настройка и последовзтел ьность работы установки.Приобработке внутренней цилиндрической и внутренней торцовой фасонной поверхности детали (см.фиг.8,а) установка работает следующйм образом,При установке детали дверь 2 камеры 1 открыта,...

Номер патента: 1807085

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Блохин, Киселев, Нетисов

МПК: C23C 4/12

Метки: напыления, плазменного

...периферийных частиц из-за экранированных зон. В связи с этим качество покрытия ухудшается, в снижаются плотность, стойкость покрытия к износу. Установлено также, что сечение газоотводящего потока 32 должно составлять 0,25-0,5 площади сечения 51 струи плазменного потока, при этом сечение 52 должно быть расположено от напыляемой детали на расстоянии, которое задают равным или меньшим дистанции напыления и.Установлено, что при 320,5 51 происходит рассеивание напыляемых частиц, увеличивается разбрызгивание исоответственно расход напыляемого материала. При 320,25 Я 1 увеличивается шумовой эффект. При расположении 32 нарасстоянии, большем Ни, от детали 2ухудшается качество покрытия, особенно вначале процесса напыления, так как поток.02 + 01...

Номер патента: 1807533

Опубликовано: 07.04.1993

Авторы: Терентьев, Яфаров

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, окисным, плазменного, слоем, собственным, травления

...бездефектную обработку поверхности баде, В реалзных случаях знертии ионов е условиях деФицита ) а химического реагента при низких давлениях недостаточно для травления, так как поверхность покрыта слоем собственного окисла, Для его удаления необходимо или увеличивать энергию ионов для физического распыления окисла, или вводить в рабочий газ восстановитель.Состав газа для травления бэАз и егоокисла различается. Скорость травлениябаАз коррелирует с содержанием в плазмеатомарного хлора, тода кэк удаление собственного окисла зависит от содержания вос 5становителя, например, в виде углерода,Восстановление окисного слоя углеродомуменьшает порог энергетичного травлениябаАз, однако скорость травления может снизиться при неправильном...

Номер патента: 1815716

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Колесниченко, Сидоров, Тимофеев, Шпади

МПК: H01T 13/52

Метки: внутреннего, двигателя, зажигания, плазменного, сгорания, смеси, топливной

...и заряжает накопительный конденсатор 8. При этом блокировочный триггер 15 находится в исходном состоянии, запрещающем работу одновибраторэ 13, После некогорого поворота распределительного вала 19 импульс датчика положения 14 поршня первого цилиндра вблизи ВМТ на такте сжатия, генерируемый только при прохождении магнитного шунта 18, устанавливает электронный распределитель 12 зажигания в первое состояние 1, а так же перебрасывает блокировочный триггер 15 в состояние, при котором одновибратор 13 разблокирован, При дальнейшем вращении распредвала 20 импульс датчика 17 положения поршней на такте сжатия за 60 до верхней мертвой точки, генерируемый при прохождении всех магнитных шунтов 18 и 19, поступает на вход электронного регулятора 16 угла...

Номер патента: 1493078

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Волокитин, Дедюхин, Старченко, Чибирков, Шишковский

МПК: H05H 1/00

Метки: плазменного, покрытия, электропроводных

...условия Г 7,)/21 уосси вр охлаждеууия материала до темпе плавления (крисалли 3 ау)ии ). Для большинства металлов ве 1 уичина частоты сканирования дуги по поверхности лежит в диапазоне )0-20 Гц,з.п. матер зла изделия пу"ем сканирования по поверхности плазменной дуги с частс;той )0-200 Гц, а частицы покрытия внедряют в зону расплава плазмотроном косвенного действия,Сканирование плазменной дуги по поверхности электропроводноуо изделия вызывает ее расплавление и поддержание необходимой температуры расплава. Обеспечивая куирокую зону расплава поверхисусти, а также необходимый запас кинетическсуй эуус ргии час лицам напьууунслссгсу матс риала за с чет гил вязкости и линвлсуучс.с уссу с 1 усвпорв плазменного уусу 1 ока у с усс р гс рсу когвс...

Номер патента: 1825819

Опубликовано: 07.07.1993

Авторы: Ермаков, Клубникин, Скворцов, Соснин

МПК: C23C 4/12

Метки: газотермического, напыления, плазменного, покрытий, преимущественно

...использовали шликеры на основе порошка исвязки, состав которых приведен в табл.1.Шликер на основе ВаТ 10 з экструдировали в плазму со скоростью 1,4 и 2,8 г/ч,Удовлетворительное качество покрытийполучается при скорости подачи экструдата1,4 г/ч и диаметре экструдата О,З мм, Придиаметре 0,1 мм экструдирование происходило неравномерно, а при диаметре 1 ммкачество покрытия не удовлетворительно -пористое, с крупными частицами. При скорости подачи 2,8 г/ч в покрытие наблюдались крупные частицы и поры. Толщинапокрытия 20 мкм была получена в б проходов при скорости перемещения плазмотрона 1 см/с.. Шликер на основе никеля экструдировали в плазму в подогретом до 70-80 С со. стоянии со скоростью 1,4; 2,8 и 3,2 г/ч.Удовлетворительное качество...

Номер патента: 2000465

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Герасичкин, Домнин, Пузеев

МПК: F02P 15/10

Метки: внутреннего, двигателей, зажигания, плазменного, сгорания

...выводом блока 8 накопления заряда.Первый и второй выходы блока 1 управления соединены с коммутирующими входами ключей напряжения питания 6 и искрообразования 9 соответственно. вход напряжения питания системы соединен с коммутируемым входом ключа 6 напряжения питания, выход которого соединен с входом преобразователя 7 напряжения, первый и второй выводы которого соединены с первым и вторым выводами блока 8 накопления заряда соответственно, первый вывод которого соединен с первыми выводами первичной 12 и вторичной 13 обмоток катушки 11 зажигания, второй вывод вторичной обмотки 13 которой соединен с входом распределителя 14, выходы которого соединены с выводами центрального электрода соответствующих свечей 15 зажигания группы, второй вывод...

Номер патента: 2002337

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Зорина, Иванов, Кудрявцева, Кулик

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, плазменного, подложек, полупроводниковых

...требованием получения равномерной воронки в зоне слияния плазменных струй. Примесь в газообразном состоянии по трубе вводится в зону слияния струй. В среде плазмы, нагретой до температуры 10 К, осуществляется полная диссоциация, активация и частичная ионизация газов плазменного потока и материала примеси. При соударении этого потока с поверхностью подложки под действием температурных и ионизационных факторов происходит одновременное осаждение и внедрение легирующей примеси в подложку с образованием тонкого легированного слоя. Затем прекращают подачу примеси и продолжают обрабатывать подложку при пересечении ей плазменного потока по меньшей мере один Раз, осуществляя тем самым дальнейшее внедрение примеси и плазменный отжиг. В...

Номер патента: 2003731

Опубликовано: 30.11.1993

Автор: Домбровский

МПК: C21D 1/09, C23C 10/00, C23C 8/00 ...

Метки: плазмахим, плазменного, поверхностного, упрочнения

...поверхности иэделил.Возникшие в результате диассациации при растворении в наде ионы легирующего. элемента, попадал о поток плазменнайдуги пад влиянием перечисленных выше факто.ров, егнедрягатся н поверхность изделия, на.- сыщают ее с образованием новых фаз в загзисимасти ат природы и состава аснавнога и лагирующага материалов и температурного градиента па глубине упрачняемаго сг 1 ая. При необходимости насыщение может носить комплексный характер и выполнятьсл из раствора химсаединений нескольких элсмецтан, либо.с получением многослойного легираоания путам последовательного гасыщения каждым элементом о отдельноти, Рчноидна, при прочих равных условиях., 2003731степень насыщения зависит от концентрации водного раствора химсоединения...

Номер патента: 1069451

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Селифанов, Станкевич, Точицкий

МПК: C23C 14/46

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, покрытий

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ В ВАКУУМЕ, включающий генерирование встречных потоков плазм исходных материалов, смешивание их в зоне взаимодействия потоков, направление электрическим полем в сторону подложки и их осаждение, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности путем увеличения коэффициента использования массы исходных материалов, при смешивании потоки плазм исходных материалов тормозят в зоне взаимодействия температурным полем на время 101 - 104 мкс.

Номер патента: 1163656

Опубликовано: 15.07.1994

Авторы: Колесов, Сейдман

МПК: C23C 14/32

Метки: вакууме, нанесения, плазменного, пленок, реактивного

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОГО РЕАКТИВНОГО НАНЕСЕНИЯ ПЛЕНОК В ВАКУУМЕ, включающий напуск потоков инертного и реактивного газов при содержании реактивного газа более 10%, регулирование тока разряда путем изменения напряжения разряда и потоков газов, распыление мишени ионами из плазмы разряда с наложением магнитного поля и осаждение материала на подложку, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок от процесса к процессу, при регулировании тока разряда сначала определяют экстремальные значения тока изменением напряжения, после чего устанавливают минимальное значение тока путем изменения потока реактивного газа и максимальное значение тока путем изменения потока инертного газа.

Номер патента: 1805677

Опубликовано: 20.05.1995

Авторы: Ахматов, Гриц

МПК: C23C 4/12

Метки: напыления, плазменного, покрытий

...струи, Недостаткам известного способа является сильное окисление материала покрытия при проведении процесса в 10 неконтролируемой атмосфере и, как следствие низкий уровень свойств.Ближайшим техническим решением к предлагаемому изобретению является способ плазменного напыления, включающий: 15 использование двух плазмообраэующих газов. В этом способе снижается окисление наносимого материала, однако покрытия характеризуются низкой прочностью сцепления и высокой пористостью, что обуслов лено неудовлетворительной теплофизикой процесса.Цель изобретения - повышение прочности сцепления и снижение пористости покрытий. 25Поставленная цель достигается тем, что при плазменном напылении с использованием двух плаэмообраэующих газов, осуществляют...

Номер патента: 1805824

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Распутин, Чесноков

МПК: H05H 1/54

Метки: плазменного, потока, ускорения

...способе осуществляют импульсный заряд, при этом геометрические характеристики разрядного промежутка, давление в разрядном промежутке и параметры источника электропитания подбирают таким образом, чтобы скорость нарастания тока разряда была выше 10 А/с,На фиг, 1 показана одна из возможных принципиальных схем питания ускорителя плазмы, работающего по предлагаемому способу, и схемы измерения скорости разлета плазмы и ее состава; на фиг. 2 приведены результаты расчета скорости разлета плазмы в зависимости от скорости ростатока для медного и алюминиевого катодов;на фиг. 3 - масс-спектрограммы составаплазмы по предлагаемому способу б/й = 2 х5 х 10 А/с, Схема содержит катод 1, поджигаю 8щий электрод-анод 2, керамику 3, экспандер4, отверстие 5...

Номер патента: 1163655

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Бобров, Богачкин, Таран

МПК: C23C 14/32

Метки: нанесения, плазменного, покрытий

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ ПОКРЫТИЙ, содержащее плазмотрон с механизмом перемещения, держатель обрабатываемых изделий, соединенный с механизмом вращения, и источник электропитания, соединенный отрицательной клеммой с держателем изделий, отличающееся тем, что, с целью повышения производительности, оно снабжено полым цилиндрическим электродом, размещенным соосно с держателем изделий, и блоком коммутации, вход которого соединен с положительной клеммой источника электропитания, а независимые выходы с соплом плазмотрона и полым электродом, причем полый электрод выполнен с возможностью возвратно-поступательного перемещения.

Номер патента: 1734382

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Архипкин, Витвицкий, Костюк, Ломоносов, Селиванов, Устимова, Чепыжев, Шепелев

МПК: C21D 9/30

Метки: валов, модуль, плазменного, распределительных, упрочнения

МОДУЛЬ ДЛЯ ПЛАЗМЕННОГО УПРОЧНЕНИЯ РАСПРЕДЕЛИТЕЛЬНЫХ ВАЛОВ, содержащий станину с направляющими, соосно установленными на станине, механизм вращения распределительных валов со шпинделем и приводным валом с жестким центром, механизм перемещения со шпинделем, копирный вал, плазмотроны и механизм их перемещения в виде траверсы и пневмопривода, отличающийся тем, что,с целью расширения типоразмеров распределительных валов и повышения качества обработки, он снабжен размещенной на станине с возможностью продольного перемещения плитой, тележкой, один конец которой жестко закреплен на шпинделе механизма перемещения, а другой установлен на направляющих через ролик, призматическими токоотводами, расположенными на тележке, механизмом поворота...

Номер патента: 1829774

Опубликовано: 10.06.1996

Авторы: Грушецкий, Достанко

МПК: H01L 21/306

Метки: алюминия, плазменного, травления

...более реакционноспособную плазму, что способствует увеличению скорости травления алюминия.4При уменьшении давления ниже 10 Па происходит постепенное уменьшение скорости травления, хотя она во всех диапазонах, остается выше чем в способе реактивного ионно-плазменного или ионно-лучевого травления.5При повышении давлении выше 10 Па также происходит уменьшение скорости травления и увеличивается нагрев обрабатываемых объектов, а также необходимо увеличивать мощность импульсного источника,Расход рабочего газа, проходящего через зону разряда, зависит от давления в реакторе, его геометрических размеров и скорости откачки насосов (их производительности). Любой расход газа, при которомустанавливается рабочее давление и существует поток газа,...

Номер патента: 1819030

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Гуляев, Левков, Ноткин

МПК: G21B 1/00

Метки: плазменного, предстоящего, разряда, термоядерных, установках, устойчивости

...Поэтому в качестве источника дополнительной информации добавляется еще один параметр плазмы. Для этой области значений давления Римеет место уменьшение скорости роста тока плазмы при пробое; чем больше величина Р, тем мень скорость роста тока плазмы при пробое. Поэтому зоне неустойчивых значений давления Р, (при величинах Рзначительно больших устойчивых) соответствует уменьшение скорости роста тока плазмы при пробое. И наоборот, если скорость роста тока при пробое соответствует номинальной, то возможно проведение устойчивого разряда для данных начальных условий. При соблюдении подобия диагностического разряда пробою в основном разряде по уменьшению скорости роста тока плазмы в диагностическом разряде (Й 1/й) можно предсказать...

Номер патента: 1378414

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Аржакин, Денисов, Латынин, Махлай, Пащенко, Пирожков

МПК: C23C 4/12

Метки: композиционный, материал, напыления, плазменного, покрытий

1. Композиционный материал для плазменного напыления покрытий на основе никеля и графита, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента использования материала, адгезии и эрозионной стойкости покрытий, он дополнительно содержит силикат натрия при следующем соотношении компонентов, мас.Никель 60 80Графит 15 30Силикат натрия 5 102. Способ получения композиционного материала для плазменного напыления покрытий на основе никеля и графита, включающий смешение компонентов, грануляцию, конвективную обработку в кипящем слое и дробление с выделением фракции гранул, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента использования материала адгезии и эрозионной стойкости покрытия, сначала готовят смесь графита и...

Номер патента: 1744865

Опубликовано: 10.02.1997

Авторы: Алисин, Качалин

МПК: B22F 9/08, C23C 4/12

Метки: нанесения, плазменного, покрытий

Способ плазменного нанесения покрытий, включающий создание разности потенциалов между электродами плазмотрона, инициирование электрического разряда между ними и нанесение на подложку напыляемого материала при помощи высокоскоростной плазменной струи за счет дугового электрического разряда между электродами, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезионной прочности и качества покрытий, электроды плазмотрона располагают по нормали к подложке, напыляемый материал используют в виде порошка и подают его дискретными порциями на торец катода, а перед нанесением на подложку напыляемого материала на нее воздействуют лучом лазера с образованием факела паров материала подложки и одновременным инициированием электрического разряда между...

Номер патента: 1828734

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Давыдов, Мешков, Невмержицкий, Попов

МПК: H05H 1/00

Метки: взрывного, генератора, плазменного, плазмы, помощью

Способ получения плазмы с помощью взрывного плазменного генератора, включающий адиабатическое сжатие рабочего газа в камере взрывного плазменного генератора с помощью плоского лайнера до образования плазмы, отличающийся тем, что, с целью повышения плотности энергии плазмы, в качестве рабочего газа используют газ, способный к химическому взрывчатому превращению при воздействии на него ударной волной.