Способ плазменного покрытия электропроводных материалов
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1493078
Авторы: Волокитин, Дедюхин, Старченко, Чибирков, Шишковский
Текст
(56) Герас технология рения, Л.,Донской Электропла ки в машин имов А,И. ПлазменнаяОпыт разработки и внедЛениздат, 1980, с.72-78. А.В Клубникин Р.С, менные процессы и установстроении. Л., Машино, с.80-8.ПЛАЭМЕННОГО ПОКРТИЯ ОДН)у)Х МАТЕРИАЛОВтение относится к области технологии, а более конпособам нанесения поКрытроиронодньуе материалы. тения - обеспечение выо дейдуги ется из еууя с ратуры строение, (54) СПОСО ЭЛЕКТРОПРО (57) Иэобр плазменной кретно, к тий на эле Вель иэобр уИзобретение относится к плазмен ной технологии, а конкретно к способам нанесения покрытий на электропроводные материалы с целью полученипрочных и жаропрочных материалов,Целью изобретения является обеспечение высокой прочности сцеплениячастиц материала покрытия с овой электропроводного материала,увеличение коэффициент использования материала покрытия,Изобретение заключается в точто на поверхности иэделия создаютжидкую ванну с температурой на )00 о300 выше температуры плавления я сном,ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯ)су) ОПИСАНИЕ К АВТОРСКОМУ СВ 07,07,93, Бюп, )в 254091638/2526,05.86Томский инженерно-стутВ.К.Чнбиркдв, Г.Г.Вишковский, Р.О,Дедю.Старченко прочности сцеплешуя чястициала покрытия с основой электроироводного материала, а также увеличение коэффициента использования материала покрытия. Новый способ покрытия электропроводньух материалов заключается н том, что поверхность изделия расплавляют скаууируюуууей цлаз менной дугой, до температуры на )00 су300 , превышающей температуру плавления а затем внедряют в зону расплава частицы покрытия, ускоряя их в струе плаэмотрона к усвенног ствия. Частота сканирования по поверхности иэделия вьубира условия Г 7,)/21 уосси вр охлаждеууия материала до темпе плавления (крисалли 3 ау)ии ). Для большинства металлов ве 1 уичина частоты сканирования дуги по поверхности лежит в диапазоне )0-20 Гц,з.п. матер зла изделия пу"ем сканирования по поверхности плазменной дуги с частс;той )0-200 Гц, а частицы покрытия внедряют в зону расплава плазмотроном косвенного действия,Сканирование плазменной дуги по поверхности электропроводноуо изделия вызывает ее расплавление и поддержание необходимой температуры расплава. Обеспечивая куирокую зону расплава поверхисусти, а также необходимый запас кинетическсуй эуус ргии час лицам напьууунслссгсу матс риала за с чет гил вязкости и линвлсуучс.с уссу с 1 усвпорв плазменного уусу 1 ока у с усс р гс рсу когвс ууного1493078 Составитель А.Рудиков Корректор А.Коэориэ Заказ 2832 Тирах ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Иосква, Ж, Раушская наб д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.уагород, ул. Гагарина, 101 действия, увелнчивают коэффициент использования иапыпяеиого порошка, представляющим отношение веса покрытия к весу введенного в плазмотрон порошка. Сканирование плазменной дуги с частотой аюйнего предела Г 10 Гц1связано с максимальным значением величины времени охлаздения 1 охл расплава до температуры плавления (кристаллиэацйи), при этой долшно быть выполнено"условие й Ф р. Верхний предел частоты сканирования Е 200 Гц с минимальным значениемЪИ величины времени В и обусловлен необходимостью изменения свойств расплава 1 температуры, поверхностного натяаения, вязкости.Формула и з о б р е т е н и я1Способ плазменного покрытия электропроводных материалов, включаюРедактор С,Титова Техред Л.Сердюкова ший расплавление поверхности иэделияплазменной дугой и нанесение Нв расплавленную поверхность частиц покрытия с энергией 10 ф - 10 ф Да, о тл и ч а ю щ и й с я тем, что, сЦелью обеспечения высокой прочностисцепления материала покрытия с основой изделия и увеличения коэффициентаиспользования материала покрытия,расплавление поверхности проводят доотемпературы на 100-300 С выше температуры плавления материала изделияпутем сканирования плазменной дугис частотой 10-200 Гц по поверхности,а частицы покрытия наносят на зонурасплава.2, Способ по п.1, о т л и ч а ю -щ и й с я тем, чо частицы покрытиянаносят иа расплавленную поверхностьпрн помощи плаэмотрона косвенногодействия,
СмотретьЗаявка
4091638, 26.05.1986
ТОМСКИЙ ИНЖЕНЕРНО-СТРОИТЕЛЬНЫЙ ИНСТИТУТ
ЧИБИРКОВ В. К, ВОЛОКИТИН Г. Г, ШИШКОВСКИЙ В. И, ДЕДЮХИН Р. О, СТАРЧЕНКО В. З
МПК / Метки
МПК: H05H 1/00
Метки: плазменного, покрытия, электропроводных
Опубликовано: 07.07.1993
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1493078-sposob-plazmennogo-pokrytiya-ehlektroprovodnykh-materialov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ плазменного покрытия электропроводных материалов</a>
Предыдущий патент: Устройство для выполнения петель на концах электрических проводов
Следующий патент: Способ лечения отравлений фосфорорганическими соединениями
Случайный патент: Поточная линия для производства стеклянных труб