Патенты с меткой «кристаллического»

Номер патента: 1804461

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Леонардо

МПК: C07D 501/22

Метки: кристаллического, моногидрата, цефадроксила

...добавляют 370 -ную хлористоводородную кислоту в течение 60 мин допостоянного рН 1,8. Прибавляют 175 мл метиленхлорида и смесь перемешивают 15мин, Верхний слой разбавляют 170 мл диме 5 тилацетамида и 70 мл ацетона, рН устанавливают до 6,5 при 0 С посредствомтриэтиламина. Смесь перемешивают при0 С 2 часа. Сольват промываютдиметилацетамидом с водой 2:1, затем ацетоном, что10 после высушивания при 40 С дает 40,5 указанного в заголовке соединенияК.Р 0,63%Анализ, проведенный высокоэффектив-ной жидкостной хроматографией (НР С):15 69,15% нэ сухое основание,П р и м е р 3, Цефадроксил монометилформамид сод ьват.ЗО г 7-АОСА вносят в 450 мл метиленхлорида, добавляют 28,8 г триметилхлорси 20 лана и смесь перемешивают 10 мин. Затемдобавляют...

Номер патента: 1804467

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Александров, Бабаев, Гусева, Евсюков, Калашникова, Кудрявцев

МПК: C08F 8/26

Метки: карбина, кристаллического

...растворяют в 100 мл диметилформамида, наносят получаемый растворна свежий скол монокристалла КВг. Препарат прогревают в термическом шкафу при150"С в течение 1 ч, Полученная пленка,оимеющая толщину 400 А, обрабатываемая10-ным этанольным раствором алкоголята калия в присутствии ацетона при молярном соотношении раствора алкоголята иацетона 10.90 при 20 С в течение 15 мин,отжигается в вакууме при 380 С в течение 5мин, При этом образуется монокристаллическая пленка. Анализ картины электронной дифракции пленок карбина показалналичие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа спериодом кристаллической решетки.а = 5,05А, Цепочки карабина располагаются вдольгексагональной оси С перпендикулярно поверхности...

Номер патента: 1809847

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Антонов, Булеков, Косушкин, Савельев

МПК: C30B 15/00, C30B 29/40

Метки: арсенида, галлия, кристаллического

...кристаллизацией.При скорости охлаждения менее 300град/ч эффективность очистки ниже, чем в предлагаемом оптимальном диапазоне, скорость охлаждения более 320 град/ч труднодостижима технически и не повышает эффективность ояистки по таким примесям как кремний и марганец,Охлаждение расплава с целью кристаллйзации со скоростью менее 70 град/ч снижает чистоту арсенида галлия и производительность процесса, а охлаждение со скоростью выше 100 град/ч приводит к мелкокристаллической структуре слитков и большей вероятности спонтанной кристаллизации со снижением степени чистоты арсенида галлия.Полнота окисления примесей влагой определяется концентрацией остаточной воды в оксиде бора и его массой, температурой расплава, временем контакта расплава...

Номер патента: 1810523

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Гвоздев, Давыдов, Макаренко

МПК: E21B 47/10

Метки: вод, водоносного, горизонта, кристаллического, опробования, трещинных, фундамента

...ЛБТ 1, воздуходувную трубку 2 зонта трещйнных вод кристаллического эрлифта, пакер 2, форсунку-распылитель фундамента, включающий вскрытие сквавоздуха 4, перфорированный патрубокбко- жинами исследуемого горизонта, изолиро. лонны 1, 15 вание исследуемого горизонта отУстройство работает следующим абра- вышележащих горизонтов, эрлифтную отэом. качку трещинных вод, измерение уровня воНа опущенную в скважину колонну 1 с ды в скважине дебита скважины и отбор помощью гидравлики буровой установки со- проб, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью здается осевое давление на забой величи повышения качества опробования, изолироной до 1 тонны, при этом пакер 3 ваниеисследуемогогоризонтапроводятпоразжимается и достигается изоляция иссле-...

Номер патента: 1812471

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Коваль, Притула

МПК: G01M 9/00

Метки: аэродинамической, имитации, кристаллического, облака, трубе

...в потоккрупных частичек льда, а в нижней суживающейся части в направляющих расположена решетка 16 с отверстиями регулируемогосечения, соединенная посредством тяг 17 скривошипно-шатунным механизмом 18 и стретьим двигателем постоянного тока 19,. установленным нэ горизонтальной платформе 20 с внешней стороны нижней частибункера-распылителя 13,Установка для имитации кристалличе, ского облака в аэродинамической трубе работает следующим образом.Предварительно заготовленный в льдоформе блок льда загружается в лоток 2. Гриподаче напряжения к первому двигателюпостоянного тока 6 винтовая пара 3 с толкателем 4 с регулируемым усилием поджимает:блок льда к пакету дисковых пил 7, насаженных на вал 8, который соединен эластичноймуфтой 10 с...

Номер патента: 1818302

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баки-Бородов, Козлова

МПК: C01B 33/34

Метки: кремнезема, кристаллического, пористого

...промывают и высушивают. Фазовую чистоту контролируют с помощью рентгенофазового анализа. Молярное соотношение компонентов составляет Н 20 ИЮ 2 = 15 - 50; ЕДАИ 102 = 0,1 - 0,4. 3 табл.В табл. 1 приведены данные РФА, доказывающие идентичность кристаллической структуры прототипа и продукта, полученного заявляемым способом.В табл. 2 приведено обоснование заявленных интервалов, где состав й 1 является примером конкретного выполнения,В табл. 3 приведены результаты испытаний способа получения кристаллического пористого кремнезема Х 2 и его адсорбционной емкости по НО и СНОН.Как видно из таблиц, в интервалах, указанных в заявке, реализуется продукт, идентичный Х 2.Преимуществом предлагаемого способа является исключение стадии приготовления...

Номер патента: 1825365

Опубликовано: 30.06.1993

Автор: Ральф

МПК: C07D 487/04

Метки: гидрохлорида, карбацефалоспорина, кристаллического

...1-карбацефалоспорина формулыЯн Н 25 Составитель И. БочароваТехред М, Моргентал Корректор П. Гереши Редактор 3. Ходакова Заказ 2232 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101 5,86 ,125,56 ,535,26 ,104,83 ,074,37 ,124,00 ,103,77 ,643,68 1,003,60 ,583,47 ,923,13 ,25Дифракционная стоуктура была получена на излучение меди, очищенной от никеля,ос длиной волны.А 1,5405 А. Интервал сканирования - от 4 до 35 градусов два тета.П р и м е р 2. Кристаллический гидрохлорид соединенияУ 163892.Концентрированная соляная кислота (1,5 мл) добавлялась к суспензии, содержащей 5,7 г У 163892 -...

Номер патента: 2002754

Опубликовано: 15.11.1993

Авторы: Даниэл, Мартин, Фридрих, Ханс, Ясуиуки

МПК: A61K 9/00, C07K 7/64

Метки: кристаллического, несольватированной, орторомбической, форме, циклоспорина

...растворения в большинстве случаев должна составлять 70 С, например, приблизительно 75-130 С, Соответствующим образом полученный раствор должен включать5 предпочтительно 10 ф 6, например, вплоть до примерно 40- 60=,ь, предпочтительно вплоть до максимального 20 мас,о Циклоспоринэ в расчете на общую массу раствора. Затем оставляют10 15 . жет быть легко инициировано при темпера 35 40 50 55 20 25 30 протекать кристаллизации циклоспорина с охлаждением в течение относительно продолжительного периода времени, например, порядка 10-35 мин или более в зависимости от желательного роста кри. сталлов.Если необходимо могут быть использованы приемы создания центров кристаллизации, например, ультразвуком или затравкой. Когда применяются содержащие...

Номер патента: 2003652

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Мухоян, Петрановский

МПК: C01B 33/34

Метки: кристаллического, типа, фожазита, цеолита

...цеолитов йаХ или йаА,включающем смешение алюминатного и силикатного растворов с получением геля иего кристаллизацию путем нагрева, согласно изобретению, процесс образования геляосуществляют путем смешения растворовпри температуре 0-30 С и скорости смешения более 105 л/мз мин, а процесс кристаллизации проводят при 65-100 С.Повышение скорости смешения растворов позволяет расширить диапазон температур смешения от О до 30 С, что даетвозможность исключить необходимость стабилизации температуры растворов. Увеличение температуры кристаллизацииприводит к сокращению времени кристаллизации без снижения размеров кристаллов.Таким образом,. изобретение позволяетсократить время синтеза цеолитов эа счетполучения структурно-совершенного упругого и...

Номер патента: 1586380

Опубликовано: 27.08.1995

Авторы: Абросимов, Блюмин, Шука

МПК: G01K 13/00, G01K 13/02

Метки: измерителя, кристаллического, лопатке, потока, температуры, турбомашины, установки

СПОСОБ УСТАНОВКИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ИЗМЕРИТЕЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ПОТОКА В ЛОПАТКЕ ТУРБОМАШИНЫ, заключающийся в том, что державку с закрепленным на одном из ее торцов кристаллическим измерителем температуры устанавливают в теле лопатки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности установки измерителя температуры потока в радиальных каналах охлаждения лопаток трубомашины, в качестве державки используют гибкую нить из термостойкого материала, а установку державки осуществляют в каналах лопатки с движением потока охладителя в направлении от центра колеса турбомашины к периферии лопаток со стороны спинки лопатки, а в каналах лопаток с движением потока охладителя в направлении от периферии лопаток к центру колеса со стороны корыта лопаток.

Номер патента: 1251507

Опубликовано: 20.02.1999

Авторы: Васильев, Костенко, Кравченко, Попов

МПК: C07D 301/28, C07D 303/00

Метки: 4-диоксидифенилсульфона, диглицидилового, кристаллического, эфира

Способ получения кристаллического диглицидилового эфира 4,4'-диоксидифенилсульфона путем конденсации 4,4'-диоксидифенилсульфона с эпихлоргидрином при температуре кипения и дегидрохлорирования водным раствором гидроокиси натрия при повышенной температуре, отличающийся тем, что, с целью ускорения и упрощения процесса, конденсацию ведут в присутствии катализатора - насыщенного водного раствора солянокислого триметиламина, затем к реакционной массе добавляют изопропиловый спирт и проводят дегидрохлорирование при 60 - 80oC.

Номер патента: 1658661

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Вакарин, Комаров, Хрустова

МПК: C25B 1/00

Метки: кристаллического, оксида, урана, формулы

Способ получения кристаллического оксида урана формулы U4O9, включающий электролиз расплава, содержащего соединение урана, в потенциостатическом режиме с использованием анода из платины, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и улучшения условий труда, в качестве соединения урана используют сульфат уранила и электролиз ведут в расплаве, содержащем 2 - 51 мас. % сульфата уранила и 49 - 98 мас.% эвтектической смеси сульфатов лития, натрия и калия или эвтектической смеси сульфатов лития и калия, или сульфата натрия, или сульфата калия при потенциале катода - 0,27 ... -0,70 В относительно платинокислородного электрода.

Номер патента: 1380274

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Вакарин, Комаров, Хрустова

МПК: C25B 1/00

Метки: кристаллического, оксида, урана, формулы

Способ получения кристаллического оксида урана формулы U3O8, включающий электролиз расплава, содержащего соединение урана, в потенциостатическом режиме с использованием платинового анода при 650 - 800oC, отличающийся тем, что, с целью повышения степени чистоты продукта и интенсификации процесса, электролиз ведут при потенциале катода 0,0 - (-1,0) В относительно платинокислородного электрода сравнения в расплаве, содержащем 14 - 75 мас.% сульфата уранила и 25 - 86 мас.% эвтектической смеси сульфатов щелочных металлов.

Номер патента: 976715

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Вакарин, Комаров, Кондратюк, Мартемьянова, Смоленский

МПК: C25B 1/00

Метки: кристаллического, окисла, урана, формулы

Способ получения кристаллического окисла урана формулы U4O9, отличающийся тем, что, с целью упрощения и интенсификации процесса, получение ведут путем электролиза при потенциале катода (-0,6) - 1,0 В относительно кислородного электрода сравнения и температуре 750 - 900oC в расплаве электролита следующего состава, мас.%:Триоксид урана - 1 - 15Триоксид молибдена - 4 - 41Молибдат лития - Остальное

Номер патента: 1074150

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Вакарин, Комаров, Кондратюк, Мартемьянова, Смоленский

МПК: C25B 1/00

Метки: кристаллического, окисла, урана, формулы

1. Способ получения кристаллического окисла урана формулы U3O8, включающий электролиз расплава, содержащего соединение урана, в потенциостатическом режиме с использованием платинового анода, отличающийся тем, что, с целью повышения чистоты продукта и улучшения условий труда, электролиз ведут в атмосфере воздуха при потенциале катода -0,3 ... -0,6 В относительно кислородного электрода сравнения в расплаве, содержащем 24 - 60% вольфрамата уранила и 40 - 76% вольфрамата лития, при 700 - 900oC.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что электролиз ведут с использованием катода из карбида кремния, серебра или платины.

Номер патента: 1127329

Опубликовано: 27.03.1999

Авторы: Афоничкин, Вакарин, Комаров, Кондратюк, Смоленский

МПК: C25B 1/00

Метки: кристаллического, оксида, урана

Способ получения кристаллического оксида урана путем электролиза расплава, содержащего вольфрамат уранила и вольфрамат лития, в потенциостатическом режиме при температуре 700 - 900oC, отличающийся тем, что, с целью получения оксида урана формулы U1-xO2, где x = 0,17 - 0,24, отвечающему природному оксиду урана, и удешевления процесса, электролиз ведут с использованием анода из карбида кремния при потенциале катода -0,4 ... -0,7 В относительно кислородного электрода сравнения в расплаве, содержащем 18 - 23 мас.% вольфрамата уранила и 77 - 82 мас.% вольфрамата лития.

Номер патента: 1462707

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Антипов, Гурвич, Ильин, Рябов, Симулина

МПК: C01F 7/58

Метки: алюминия, кристаллического, хлорида

Способ получения кристаллического хлорида алюминия, включающий подведение его паров к охлаждаемой поверхности с температурой 40 - 120oC, отличающийся тем, что, с целью повышения качества продукта за счет получения гранул правильной формы с размером 2 - 5 мм, в качестве охлаждаемой поверхности используют полимерный или металлокерамический материал, на охлаждаемой поверхности образуют равномерно расположенные центры кристаллизации с площадью 0,2 - 5 мм2 и температурой на 3 - 15oC ниже температуры охлаждаемой поверхности.

Номер патента: 738425

Опубликовано: 10.09.1999

Авторы: Лузин, Мендрин, Соколова, Худяков

МПК: C23C 14/28

Метки: кристаллического

1. Способ получения кристаллического материала, включающий напыление ионов материала на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры плавления материала и повышения диффузионной подвижности атомов, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эФ.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.

Номер патента: 1624952

Опубликовано: 10.12.1999

Авторы: Арутюнян, Горчаков, Казарян, Кудинова, Кунщикова

МПК: C07C 403/02

Метки: каротина, кристаллического

Способ получения кристаллического -каротина путем извлечения его из мицеллярной биомассы неполярным органическим растворителем, отделения полученного экстракта, кристаллизации из него -каротина, отделения суспензии кристаллов -каротина с последующей очисткой с использованием промывки кристаллов этиловым спиртом и сушкой, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь -каротина, повышения качества целевого продукта и удешевления...