Способ получения кристаллического карбина

СОК)З СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИК 9) .ъЖ ю)з С 08 Р ОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИРИ ГКНТ СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИК ПАТЕНТУ Е А ктронике в эисторов и я; получетем дегид 18-20 С ки толщих соеди- МГУ им,Б.Гусева икова и мин обранольного она при их последую С.Зил,соеди и МГУ, Кудряв- Кристалфикации ,М 2,с. толщиной 300-500 А, те при 150-200 С в течение дегидрофторирование пл при 18-20 С в течение 1 кой 5 - 15 -ным растворо в этаноле и ацетона при шении алкоголята калия мас. с последующим о при 380-400 С в течение рмообра 0,5-1 ч,енок на г 0 - 20 мин м алкогол массово и ацето тжигом в 5 - 10 минботанные проводят одложке обработята калия м соотнона 10:90 вакууме Й- СН 2 - СР 2)п -ОС 2 Н 5 С 2 Н 5 ОН СНз(56) Касаточкин В,И., Сладков А.Мцев Ю.ППопов Н.М., Коршак В.Влические формы линейной модиуглерода, ДАН СССР, 1967, т. 177358. Изобретение относится к технической химии, а именно к получению пленок карбина с монокристаллической структурой, и наиболее эффективно может быть использовано в микроэлектронике с применением монокристаллических пленок карбина в качестве материала для фоторезисторов и сенсоров (чувствительных датчиков).Цель изобретения - повышение технологичности способа, повышение выхода кристаллической фазы карбина в виде пленок,Поставленная цель достигается тем, что в качестве углеродного материала при получении кристаллов карбина используют нанесенные на кристаллическую подложку пленки поливинилиденфторида (ПВДФ)(54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИССКОГО КАРБИНА(57) Использование: в микроэлекачестве материала для фоторесенсоров. Сущность изобретениние кристаллического карбина пурофторирования приполивинилиденфторидной пленоной 300-500 А в течение 10-20боткой смесью 5- 5этараствора алкоголята калия и ацетмассовом соотношении 10:90 сщим отжигом в вакууме при 380-41804467 Формула изобретен ия Составитель Т.КуркинаТехред М.Моргентал Корректор Редактор Заказ 3029 Тираж . Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035,. Москва, Ж, Рэушскэя нэб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, ужгород, ул.;,11;, 1 Идентификация монокристаллов карбина проводилась с помощью электронноймикроскопии. Методом электронной дифракции определяли тип кристаллов и их выход,П р и м е р 1. 0,9 г порошка поливинилиденфторида растворяют в 100 мл диметилформамида, наносят получаемый растворна свежий скол монокристалла КВг. Препарат прогревают в термическом шкафу при150"С в течение 1 ч, Полученная пленка,оимеющая толщину 400 А, обрабатываемая10-ным этанольным раствором алкоголята калия в присутствии ацетона при молярном соотношении раствора алкоголята иацетона 10.90 при 20 С в течение 15 мин,отжигается в вакууме при 380 С в течение 5мин, При этом образуется монокристаллическая пленка. Анализ картины электронной дифракции пленок карбина показалналичие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа спериодом кристаллической решетки.а = 5,05А, Цепочки карабина располагаются вдольгексагональной оси С перпендикулярно поверхности (100) подложки КВг. Степень монокристалличности соответствует 99,9.П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1, но препарат прогревают при200 С в течение 30 мин. Полученная пленка,оимеющая толщину 500 А, обрабатываемая15-ным этанольным раствором алкоголята калия в присутствии ацетона в массовомсоотношении 10;90 при 18 ОС в течение 10мин, отжигается при 390 С в течение 5 мин,Анализ картины электронной дифрэкциипленок показал наличие эпитаксиальноймонокристаллической фазы карбина гексагонального типа с периодом решетки во5,05 А. Цепочки карбина располагаютсявдоль гексагональной оси С перпендикулярно поверхности 100) подложки КВг. Степень монокристалличности соответствует99,57 Совершенство эпитаксиальной пленки несколько хуже, чем в примере 1, о чем свидетельствует размытие дифрэкционных.максимумов.П р и м е р 3. Процесс проводят по 5 примеру 1, но препарат прогревают при175 ОС в течение 45 мин, Полученная пленка, имеющая толщину 300 А, обрабатываемая 5-ным раствором. алкоголятэ калия в этаноле в присутствии ацетона в массовом со отношении 10:90 при 20 С в течение 20 мин,отжигэется в вакууме при 400 С в течение 10 мин. Анализ картины электронной дифракции пленок показал наличие эпитаксиальной монокристаллической фазы карбина гексагонального типа с периодом решетки ао- 5,05 А. Цепочки карбина располагаются вдоль гексагональной оси С перпендикулярно поверхности (100) подложки КВг. Сте пень монокристалличности соответствует99,2. Полученная эпитаксиальная пленка несколько хуже, чем в примерах 1, 2, о чем свидетельствует размытие дифракционных максимумов.25 Способ получения кристаллическогокарбина. с использованием реакции дегидрирования углеродсодержащего материала,о т л и ч а ю щ и й с я тем, что, с цельюповышения технологичности способа и выхода монокристаллической фазы карбина в35 виде пленок, в качестве углеродосодержа.щего материала используют нанесенные накристаллическую подложку пленки поливионилиденфторида толщиной 300-500 А, тер 40 мообработанные при 150-200 С в течение0,5-1 ч, проводят дегидрофторированиепленок на подложке, при 18-20 С в течение10-20 мин путем обработки смесью 5-15 о - ного этанольного раствора элкоголята ка 45 лия и ацетона при массовом соотношенииалкоголята калия и ацетона 10:90 с последующим отжигом в вакууме при 380-400 С втечение 5-10 мин,