Способ получения кристаллического материала
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.
Заявка
2580077/21, 01.02.1978
Новосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии, Институт химии Дальневосточного научного центра АН СССР
Худяков А. В, Лузин А. Н, Мендрин Л. Л, Соколова Е. И
МПК / Метки
МПК: C23C 14/28
Метки: кристаллического
Опубликовано: 10.09.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-738425-sposob-polucheniya-kristallicheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллического материала</a>
Предыдущий патент: Антиванадиевая многофункциональная присадка к углеводородным топливам “нимб-2″
Следующий патент: Способ гидрометаллургической переработки свинцовых концентратов
Случайный патент: Электрическая конвективная печь