Способ получения кристаллического материала

Номер патента: 738425

Авторы: Лузин, Мендрин, Соколова, Худяков

Описание

1. Способ получения кристаллического материала, включающий напыление ионов материала на холодную подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры плавления материала и повышения диффузионной подвижности атомов, напыление проводят с энергией 0,1 - 1000 эВ с одновременным облучением поверхности растущей пленки атомами гелия с энергией 50 - 1000 эФ.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что температуру подложки поддерживают от 4,2 К до 0,3 температуры плавления металла.

Заявка

2580077/21, 01.02.1978

Новосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии, Институт химии Дальневосточного научного центра АН СССР

Худяков А. В, Лузин А. Н, Мендрин Л. Л, Соколова Е. И

МПК / Метки

МПК: C23C 14/28

Метки: кристаллического

Опубликовано: 10.09.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-738425-sposob-polucheniya-kristallicheskogo-materiala.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ получения кристаллического материала</a>

Похожие патенты