Патенты с меткой «концентрации»
Датчик предельной концентрации водорода
Номер патента: 1362254
Опубликовано: 27.07.1999
МПК: G01N 27/16
Метки: водорода, датчик, концентрации, предельной
Датчик предельной концентрации водорода, состоящий из корпуса и размещенных в нем чувствительного и компенсационного элементов, выполненных в виде биметаллических пластин, на одной из которых нанесен катализатор, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности в работе путем исключения влияния тепла, выделяемого на чувствительном элементе на компенсационный элемент, в корпусе датчика установлен теплоотражающий экран, разделяющий корпус на две камеры, в одной из них размещен чувствительный элемент, а во второй - компенсационный, каждая пластина снабжена электроконтактом, причем электроконтакт одной из пластин выведен через сквозную прорезь экрана во вторую камеру.
Устройство для измерения расходной концентрации частиц в потоке газа
Номер патента: 1363971
Опубликовано: 10.09.1999
Авторы: Индурский, Мотро, Ржезников, Эткин
МПК: G01N 21/85
Метки: газа, концентрации, потоке, расходной, частиц
1. Устройство для измерения расходной концентрации частиц в потоке газа, содержащее излучатель пучка направленного электромагнитного излучения, оптически связанный с приемником излучения, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения путем уменьшения влияния фракционного состава частиц, оно содержит локальное препятствие, размер лобового сечения которого в направлении, перпендикулярном направлению пучка, превышает половинный размер поперечного сечения этого пучка, а излучатель установлен так, что пучок излучения проходит на расстоянии 1 от препятствия, определяемом соотношениемгде rмакс,...
Способ измерения концентрации кислорода в газовых смесях, содержащих горючие компоненты
Номер патента: 1679861
Опубликовано: 20.10.1999
МПК: G01N 27/416
Метки: газовых, горючие, кислорода, компоненты, концентрации, смесях, содержащих
Способ измерения концентрации кислорода в газовых смесях, содержащих горючие компоненты, заключающийся в измерении ЭДС между по меньшей мере одним стандартным и двумя измерительными электродами, разделенными твердым электролитом и омываемым эталонным и анализируемым газами, с учетом разности потенциалов между измерительными электродами, отличающийся тем, что, с целью исключения недостоверной информации из-за неравновесности электродных процессов при концентрациях горючих компонентов, соизмеримых с концентрацией кислорода, измерения проводят при температуре не менее 700oC с использованием измерительных электродов, обладающих каталитической окислительной активностью, выполненных...
Способ определения расходной концентрации взвешенных частиц в потоке газа
Номер патента: 1459420
Опубликовано: 20.10.1999
Авторы: Индурский, Мотро, Ржезников, Эткин
МПК: G01N 15/02
Метки: взвешенных, газа, концентрации, потоке, расходной, частиц
Способ определения расходной концентрации взвешенных частиц в потоке газа, включающий зондирование газового потока с исследуемыми взвешенными частицами пучком электромагнитного излучения, измерение ослабления интенсивности зондирующего пучка электромагнитного излучения и суждение по этому ослаблению о расходной концентрации взвешенных частиц, отличающийся тем, что, с целью повышения точности за счет снижения влияния частиц мельчайших размерных фракций, осуществляют газодинамическое ускорение исследуемых частиц потоком газа, а измерение ослабления интенсивности зондирующего пучка электромагнитного излучения осуществляют в зоне газодинамического ускорения исследуемых частиц.
Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках
Номер патента: 1616341
Опубликовано: 10.11.1999
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля
Устройство для измерения профиля концентрации примесей в полупроводниках, содержащее генератор, первый выход которого подключен к опорным входам первого и второго синхронных детекторов, причем первый выход первого синхронного детектора соединен с выходом первого избирательного усилителя, выход второго синхронного детектора подключен к первому входу блока сравнения, второй выход генератора соединен с первым входом первого сумматора, выход которого подключен к первому входу модулятора, выход которого соединен с входами выходного усилителя и первого фильтра, первый и второй выходы которого подключены соответственно к первому входу смесителя и сигнальному входу первого синхронного детектора,...
Способ определения концентрации азота
Номер патента: 1618122
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Каренина, Лесунова, Пальгуев
МПК: G01N 27/02
Метки: азота, концентрации
Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС при температуре 1100-1400oC, по величине судят о концентрации азота, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения экспрессности способа, на оба электрода подают анализируемый газ, нагревают до температуры измерения, затем на электрод сравнения подают газ сравнения, содержащий водород или азот, имеющий концентрацию азота выше, чем в анализируемом газе.
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках
Номер патента: 1570561
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Добровольский, Небрат, Усик
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, включающее высокочастотный генератор, выход которого подключен к первым входам первого и второго синхронных детекторов и к первому входу первого сумматора, выход которого через первый регулируемый усилитель и второй фильтр соединен с первым входом второго сумматора, второй вход которого соединен с блоком смещения, выход которого соединен с первой выходной клеммой для подключения внешнего регистратора, первый выход второго сумматора соединен с первой клеммой для подключения исследуемой структуры и через первый фильтр с вторым входом первого синхронного детектора, выход которого соединен с второй выходной клеммой,...
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках
Номер патента: 1353124
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Добровольский, Севастьянов, Талышев, Усик
МПК: G01R 31/26
Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей
Устройство для измерения концентрации легирующих примесей в полупроводниках, содержащее смеситель, входы которого соединены соответственно с выходами первого и второго высокочастотных генераторов и входами сумматора, выход которого подключен к входу регулируемого усилителя, первый и второй синхронные детекторы, первые входы которых подключены к выходу первого высокочастотного генератора, первый селективный усилитель, выход которого соединен с вторым входом второго синхронного детектора, выход которого соединен с первым входом блока сравнения, второй вход которого подключен к выходу источника опорного напряжения, выход блока сравнения подключен к управляющему входу первого регулируемого...
Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках и устройство для его осуществления
Номер патента: 1646390
Опубликовано: 10.11.1999
Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля
1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...
Способ определения концентрации азота
Номер патента: 1179774
Опубликовано: 10.11.1999
МПК: G01N 27/417
Метки: азота, концентрации
Способ определения концентрации азота с помощью электрохимической ячейки с твердым электролитом путем измерения ЭДС, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения и повышения экспрессности, на оба электрода ячейки подают газ сравнения, содержание азота в котором составляет 102-105 Па, а кислорода не превышает 10-16-10-20 Па, нагревают до температуры 1100-1400oC, затем на измерительный электрод подают исследуемый газ.
Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках и устройство для его осуществления
Номер патента: 1426252
Опубликовано: 20.11.1999
Авторы: Добровольский, Усик, Фарносов
МПК: G01R 31/26
Метки: концентрации, полупроводниках, примеси, профиля
1. Способ определения профиля концентрации примеси в полупроводниках по авт.св.N 689423, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, освещают полупроводниковый образец со стороны прозрачного электрода немодулированным световым потоком с интенсивностью, равной сумме средних интенсивностей обоих модулированных световых потоков, и измеряют переменное напряжение фотоЭДС на тех же частотах, а при определении профиля концентрации примеси по переменному напряжению фотоЭДС из переменного напряжения фотоЭДС, измеренного при освещении образца модулированным световым потоком, вычитают переменное напряжение фотоЭДС, измеренное при освещении немодулированным световым потоком.2. Устройство...
Индуктивно-частотный датчик концентрации взвесей
Номер патента: 1589747
Опубликовано: 10.12.1999
МПК: G01N 15/06
Метки: взвесей, датчик, индуктивно-частотный, концентрации
Индуктивно-частотный датчик концентрации взвесей, содержащий трубопровод для анализируемой среды, катушку индуктивности, размещенную на трубопроводе, генератор, соединенный с катушкой индуктивности, и вспомогательный генератор, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения концентрации взвесей за счет учета и компенсации дестабилизирующих факторов, датчик содержит второй трубопровод для анализируемой среды, фильтр, установленный перед этим трубопроводом, катушку индуктивности, соединенную со вспомогательным генератором и размещенную на втором трубопроводе аналогично катушке индуктивности основного генератора, две дополнительные катушки связи, размещенные над катушками...
Устройство для контроля концентрации хлористого магния в расплаве электролита магниевого электролизера
Номер патента: 1302738
Опубликовано: 27.01.2000
Авторы: Башкатов, Гончаренко, Кушнин, Лидерман, Митюшов, Сабуров, Ходыко
МПК: C25C 7/06
Метки: концентрации, магниевого, магния, расплаве, хлористого, электролизера, электролита
Устройство для контроля концентрации хлористого магния в расплаве электролита магниевого электролизера, содержащее последовательно соединенные датчик уровня расплава, дифференциатор, первый релейный элемент и первый коммутатор, блок деления, задатчик исходной концентрации, регистратор, соединенные последовательно элемент сравнения, второй релейный элемент и второй коммутатор с двумя интеграторами на выходах, соединенными своими выходами с входами блоков сложения, выходы которых подсоединены к блоку деления, причем второй вход первого блока сложения соединен с датчиком уровня, а выход дифференциатора дополнительно подсоединен к коммутируемому входу первого коммутатора, выход которого...
Способ контроля концентрации гафния в цирконии катодного продукта
Номер патента: 1741477
Опубликовано: 27.02.2000
МПК: C25C 3/26
Метки: гафния, катодного, концентрации, продукта, цирконии
Способ контроля концентрации гафния в цирконии катодного продукта, включающий электролиз из фторидно-хлористых расплавов, содержащих цирконийсодержащую соль с молярно-долевым отношением фтора к цирконию более 10, измерение температуры расплава, концентрации циркония в электролите, проведение расчета степени разделения циркония от гафния при переходе его из электролита в катодный продукт по формулеKsHf= 10(-7,8+8900/T)и последующий расчет концентрации гафния в цирконии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения концентрации гафния в цирконии, дополнительно измеряют концентрацию гафния в цирконийсодержащей соли,...
Способ определения концентрации частиц в жидкостях
Номер патента: 1322786
Опубликовано: 27.03.2000
Авторы: Беккауер, Загоруйко, Китаев
МПК: G01N 15/06
Метки: жидкостях, концентрации, частиц
Способ определения концентрации частиц в жидкостях, заключающийся в том, что анализируемую загрязненную жидкость пропускают через измерительную камеру и воздействуют на нее электромагнитным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения, в качестве электромагнитного излучения используют сверхвысокочастотное электромагнитное излучение, а концентрацию дисперсной фазы анализируемой жидкости определяют по изменению скорости истечения струи жидкости из измерительной камеры до и после воздействия сверхвысокочастотного электромагнитного излучения, при этом обеспечивают совпадение направления вектора электрической составляющей сверхвысокочастотного измерения с...
Способ определения концентрации двумерного электронного газа
Номер патента: 1618224
Опубликовано: 20.05.2000
Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Усик
МПК: H01L 21/66
Метки: газа, двумерного, концентрации, электронного
Способ определения концентрации двумерного электронного газа в квантовых ямах, включающий создание поверхностно-барьерного контакта и планарного прижимного контакта к остальной открытой поверхности полупроводниковой структуры, являющегося вторым электродом для приложения напряжения постоянного смещения и высокочастотного напряжения тестирующего сигнала, измерение вольт-фарадной характеристики структуры, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, повышения экспрессности измерений, увеличения достоверности и наглядности метода, по вольт-фарадной характеристике определяют значение напряжения отсечки Vотс, при котором емкость структуры равна нулю, и значение емкости...
Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале
Номер патента: 631015
Опубликовано: 10.11.2001
Авторы: Коршунов, Постников, Тихонов
МПК: H01L 21/66
Метки: концентрации, материале, полупроводниковом, электронов
Способ определения концентрации электронов в полупроводниковом материале по сдвигу края полосы собственного поглощения вырожденного полупроводника, отличающийся тем, что, с целью возможности измерений в приповерхностных слоях толщиной порядка нескольких микрон и ускорения измерений, измеряют минимальное значение эллипсометрического параметра ( min) соответствующую ему длину волны кр, отвечающую энергетическому положению красной границы полосы собственного поглощения...
Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия п-типа
Номер патента: 708792
Опубликовано: 10.11.2001
Авторы: Коршунов, Морозов, Тихонов
МПК: G01N 21/21
Метки: антимонида, вырожденного, индия, концентрации, п-типа, приповерхностном, слое, электронов
Способ определения концентрации электронов в приповерхностном слое вырожденного антимонида индия, n-типа, включающий освещение монохроматическим поляризованным светом образцов исследуемого и взятого в качестве эталона невырожденного полупроводника, многократное измерение эллипсометрического параметра и соответствующих ему длин волн, определение энергетического сдвига края полосы собственного поглощения, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа перенесением измерений в видимую область спектра, перед освещением поверхности исследуемого образца и эталона аморфизируют с сохранением исходной концентрации электронов, при...
Способ измерения концентрации оксида, гидрида и гидроксида натрия в жидком натрии
Номер патента: 1344044
Опубликовано: 27.11.2001
Авторы: Бочарин, Василевич, Привалов
МПК: G01N 25/00
Метки: гидрида, гидроксида, жидком, концентрации, натрии, натрия, оксида
Способ измерения концентрации оксида, гидрида и гидроксида натрия в жидком натрии, заключающийся в том, что поток жидкого металла разделяют на два потока, доводят каждый из них до определенной температуры, при которой выдерживают в течение 50 - 60 с, затем проводят измерение концентрации одного из компонентов в каждом из потоков и по результатам измерений рассчитывают концентрации остальных двух компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений и расширения нижнего предела измеряемых концентраций, один поток доводят до 140 - 150oC, другой - до 575 - 600oC.
Авторадиографический способ определения распределения концентрации вещества
Номер патента: 1285875
Опубликовано: 20.12.2001
Авторы: Верхуша, Клочков, Кривошеев, Логинов, Смирнов, Шипилов
МПК: G01T 5/10
Метки: авторадиографический, вещества, концентрации, распределения
Авторадиографический способ определения распределения концентрации вещества на поверхности шлифов, преимущественно составляющих топливо твэлов ядерных реакторов, при котором изготавливают исследуемый и образцовый шлифы, устанавливают шлифы на трековые детекторы, проявляют детекторы, определяют их оптическую плотность и по ней определяют распределение концентрации контролируемого вещества на поверхности шлифов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерений при сохранении производительности, устанавливают образцовый и исследуемый шлифы на детекторы одновременно, выдерживают их одинаковое время и проявляют в одинаковых условиях, а после определения оптической плотности...
Способ определения концентрации пульпы
Номер патента: 1507030
Опубликовано: 27.05.2003
Авторы: Амельянец, Дымшиц, Пчельников, Яворский
МПК: G01N 22/00
Метки: концентрации, пульпы
Способ определения концентрации пульпы, заключающийся в воздействии на исследуемую пульпу высокочастотным электромагнитным полем и измерении его параметров, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем измерения распределения концентрации пульпы в поперечном сечении круглого металлического трубопровода, высокочастотное электромагнитное поле возбуждают в круглом металлическом трубопроводе в виде линейно поляризованной волны типа Н11 с вращающейся плоскостью поляризации, в качестве измеряемого параметра выбирают коэффициент затухания линейно поляризованной волны, измеряют зависимость коэффициента затухания линейно поляризованной волны от положения...
Способ калибровки полупроводникового чувствительного элемента на основе оксида металла, предназначенного для определения концентрации микропримеси в атмосфере неизмеряемого компонента
Номер патента: 1825125
Опубликовано: 27.12.2005
Авторы: Гутман, Казаков, Менжук, Мясников, Руженцев
МПК: G01N 27/02
Метки: атмосфере, калибровки, компонента, концентрации, металла, микропримеси, неизмеряемого, оксида, основе, полупроводникового, предназначенного, чувствительного, элемента
Способ калибровки полупроводникового чувствительного элемента на основе оксида металла, предназначенного для определения концентрации микропримеси в атмосфере неизмеряемого компонента, заключающийся в подаче на чувствительный элемент эталонной газовой смеси с последующим измерением электрофизического параметра и определением калибровочных постоянных чувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения точности определения калибровочных характеристик, находят стационарное значение электрофизического параметра чувствительного элемента в атмосфере газа с постоянной концентрацией микропримеси, после чего заменяют среду на калибровочную газовую смесь с другим содержанием...
Фазовый способ измерения интегральной электронной концентрации в ионосфере
Номер патента: 1840572
Опубликовано: 20.08.2007
МПК: G01R 23/175, G01S 13/95
Метки: интегральной, ионосфере, концентрации, фазовый, электронной
Способ измерения интегральной электронной концентрации в ионосфере вдоль траектории луча до произвольной цели, основанный на измерении различных фазовых задержек сигналов на нескольких частотах, отличающийся тем, что, с целью осуществления высокоточного измерения интегральной электронной концентрации вдоль траектории луча без использования дополнительной информации об истинной дальности до цели, производят одновременно измерения разности фазовых задержек сигналов на двух парах частот, имеющих одинаковый разнос, и по разности полученных разностей фазовых задержек определяют интегральную электронную концентрацию.
Устройство для измерения электронной концентрации в ионосфере
Номер патента: 1840573
Опубликовано: 20.08.2007
Авторы: Артамонов, Васильев, Королев, Фролов-Багреев
МПК: G01S 13/95, G01S 3/08
Метки: ионосфере, концентрации, электронной
Устройство для измерения электронной концентрации в ионосфере, состоящее из двух идентичных каналов, каждый из которых содержит передатчик, антенну и амплитудно-фазовый преобразователь, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения углов поворота плоскости поляризации, непосредственно к антенне в каждом канале подключен сумматор, к другому входу которого через фазовращатель на /2 подключен канал приема сигнала противоположной поляризации, при этом выходы сумматоров через приемно-преобразующее устройство подключены к фазометру.
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках
Номер патента: 893092
Опубликовано: 27.05.2012
Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов
МПК: G01N 27/22, H01L 21/66
Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля
Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .
Способ определения концентрации -стабилизирующих элементов внедрения в твердых растворах титановых сплавов
Номер патента: 1462981
Опубликовано: 27.11.2013
Авторы: Беляева, Бодяко, Гордиенко, Дымовский, Шатый, Шипко
МПК: G01N 13/00
Метки: внедрения, концентрации, растворах, сплавов, стабилизирующих, твердых, титановых, элементов
Способ определения концентрации -стабилизирующих элементов внедрения в твердых растворах титановых сплавов по глубине диффузионной зоны, включающий нагрев и охлаждение образца с диффузионной зоной, приготовление микрошлифа, послойный анализ, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса определения путем исключения операций послойного химического анализа, нагрев ведут в защитной атмосфере до температуры, превышающей температуру полного полиморфного превращения, и охлаждают со скоростью, обеспечивающей формирование пластинчатой -превращенной структуры...