Патенты с меткой «электрофизических»

Номер патента: 1103139

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Красиков, Шабес

МПК: G01N 27/46

Метки: исследования, полимерных, процессов, разложении, термическом, электрофизических

...электрод, причем прорези образуют канал для прохода газа, а штуцер подвода соединен с внутренней полостью герметичной цилиндрической емкости.На чертеже представлена принципиальная схема устройства.Образец 1 с установленной в ней термопарой 2 расположен в держателе 3 образца и помещен в измерительную ячейку, Держатель электродов выполнен в виде герметичной цилиндрической емкости с двойными боковыми стенками, образуемой тремя коаксиальными трубками - внутренней 4, разделительной 5 и внешней 6. Внутренняя 4 и разделительная 5 трубки имеют продоль ные прорези по периметру. Трубки 5, б и 4 закреплены соосно и герметизированы сторцов заглушками 7, а держатель 3 образца установлен и закреплен во внутренней трубке 4 через подвижное,...

Номер патента: 1109612

Опубликовано: 23.08.1984

Авторы: Григулис, Пориньш, Силиньш

МПК: G01N 22/00

Метки: измеритель, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...параметров по 33 уцро 33 опцико 3333 х мате -РИаЛОВ, СОДЕРжаЩЕМ ЩЕЛЕБОЙ ИЗЛУЧатсгПсоедцненг 3 ь 3 с СВЧ гецг ратором ц иг 3 ди-,Окатором, щелевой излучатець выполненв виде отрезка цссцм.3 г 3 т 3 цчцо 3 полос -КОБОЙ лиц 3 пгр 33 эСрац 3333 у 3 де 3 Пластинекоторой прореза 3 о це менее двух из -лучаю 3 ццх еле Ряс цело":ец.ь 3 Х друот друга на расстоянии Л /2, приэтом дл 3 гца каждой 33 злучающей щелиравна 3, а ширина (0,1-0,0)Л,Где 3 длина г 3 олцы 3 отрезке цесимметричной полоског 3 ой пицци.бНа Фиг. 1 приведена конструкцияизмерителя электрофизических параметро 3 полупроиодциковь 3 Х материалов, на Фиг.2 - разрез Л-Л ца Фиг.1;на Фцг.3 - разрез В-В ца Фиг.1.55ИзморТе 3 эпектрофизическцх параметров г 3 ог 3 прг 333 одццког 33 х...

Номер патента: 1116398

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Иванов, Хаханин

МПК: G01R 27/26

Метки: датчик, образцов, параметров, цилиндрических, электрофизических

...нагреве,Цель изобретения - измерениеэлектрофизических параметров цилиндрических образцов при их радиационномнагреве и улучшение фокусировки лучистой энергии на цилиндрическом образце.Поставленная цель достигается 25тем, что в датчик для измерения электрофизических параметров цилиндричес,ких образцов,содержащий коаксиальныйрезонатор, внутренний проводник которого имеет осевое отверстие и снабжен зазором, расположенным в среднейчасти внутреннего провоцника, введенисточник лучистой энергии, размещенныйнапротив осевого отверстия, диаметркоторого в месте расположения зазораявляется запредельным для рабочейчастоты коаксиального резонатора,При этом диаметр осевого отверстиявыполнен увеличивающимся по гиперболическому закону по мере...

Номер патента: 1126864

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Лазарев, Федосенко, Шатерников

МПК: G01N 27/90

Метки: геометрических, параметров, электрофизических

...генератор, связанный с ним первичный преобразователь, два канала для раздельного выделения активиой и реактивной составляющих сигнала, подключенные к выходу первичного преобразователя, и индикатор, каждый из каналов выполнен в виде последовательно соединенных 64 2амплитудно-фаз ового детектора, накопителя импульсов, порогового элемента и счетчика импульсов, подключенных к соответствующему входу индикатора, фаэосдвигающей цепочки и блокаумножения, выхоцы которых подключены соответственно ко вторым входамамплитудно-фазового детектора и порогового элемента, а входы - к выходу высокочастотного генератора ивторому входу счетчика импульсов.На чертеже изображена блок-схемапредлагаемого устройства.Устройство для контроля...

Номер патента: 1053597

Опубликовано: 30.12.1984

Автор: Лошкарев

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, электрофизических

...выполненного в виде двухвстречно включенных источников 1 и2 тока, образца 3 полупроводника,переменного резистора 4, первой схемы 5 деления, схемы 6 извлеченияквадратного корня, второй и третьейсхем 7 и 8 деления соответственно,регистраторов 9 и 10, подвижностии концентрации основных носителейзаряда соответственно и магнита 11.Устройство работает следующим образом.Источники тока 1 и 2 создают падения напряжения на образце 3 и переменном резисторе 4, противоположные по знаку. В отсутствие магнитного поля с помощью переменного резистора 4 в точке Я устанавливаетсянапряжение, равное нулю относительно общей шины. При этом падение напряжения Од на образце 3 и переменном резисторе 4 будет одинаковым повеличине. На регистратор 9...

Номер патента: 1148006

Опубликовано: 30.03.1985

Авторы: Катанухин, Медведев, Петров, Скрыльников

МПК: G01N 22/00, H01L 21/66

Метки: датчик, параметров, полупроводников, электрофизических

...носителей заряда.Целью изобретения является измерение подвижности свободных носителей заряда.Поставленная цель достигается тем, что в датчик электрофизических параметров полупроводников, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор,на одной.из торцовых стенок которого расположен индуктивный штырь, а на другой выполнено измерительное отверстие, в которое введен свободный конец индуктивного штыря, а также элементы связи цилиндрического СВЧ- резонатора, с СВЧ-генератором и индикатором, введен соленоид, который охватывает ципиндрический СВЧ-резонатор в области измерительного отверстия и установлен соосно с индуктивным штырем.Торец соленоида расположен в плоскости наружной поверхности торцовой стенки с измерительным отверстием.Торцовая...

Номер патента: 1221615

Опубликовано: 30.03.1986

Авторы: Буров, Евсигнеев, Меледин, Шишкин

МПК: G01R 27/00

Метки: геометрических, неферромагнитных, параметров, проводящих, электрофизических

...1. Изменяя усиление усилителя 8 переменного напряжения, подключенного к измерительной катушке 4, добиваются равенства напряжений, снимаемых с амплитудных детекторов 9 и 10. При этом на выходе индикатора 12 нулевое напряжение (стрелочный индикатор покажет ноль, а при использовании светового индикатора загорится соответствующего цвета лампочка). Устройство готово к работе.При установке вихретокового преобразователя 1 на контролируемое изделие напряжение на измерительных катушках 3 и 4 изменяется на различные величины, причем относительные изменения напряжения на измери-. тельной катушке 4 меньшего диаметра оказываются больше, чем на измерительной катушке 3 большего диаметра, если катушки расположены в одной1.221 плоскости. В свободном...

Номер патента: 1226239

Опубликовано: 23.04.1986

Авторы: Денисов, Ляшенко, Петров

МПК: G01N 25/32

Метки: свойств, электрофизических

...виде выводится на регистратор 11. Устройство позволяет проводить определение электрофизических свойств оксидных материалов в двух режимах; изотермическом и изо. барическом.Б изотермическом режиме устройство работает следующим образом.Все параметры процесса заложены в программе, подцерживаются и измеряются автоматически при выполнении заданных в программе условий. С заданной в программе скоростью программатор 1 О через интерфейс 8 осущестзияет разогрев снлитового нагревателя 7, а также исследуемого образца 4 до температуры изотермической выдержки, заложенной в программе. После достижения температуры эксперимента программатора 10 через интерфейс 8 механизмом б дискретных перемещений, который соединен с корпусом 1, передвижением...

Номер патента: 1229672

Опубликовано: 07.05.1986

Авторы: Родин, Улитин

МПК: G01N 27/90

Метки: вихретоковое, параметров, электрофизических

...и сумматор 11, второйвхоц которого является входом управляемого компенсатора 4, а выход -его выходом.Опорный вход управляемого блока 5обработки сигналов подключен к управляемому генератору 1, а входы управления управляемого генераторауправляемого синтезатора 6 частоты,управляемого делителя 10 напряженияи управляемого блока 5 обработки сигналов предназначены для подключенияк управляющей системе (не показана).Устройство работает следующимобразом. 9672 2По входам управления управляемогогенератора 1 (фиг. 1) задаются частота Я и амплитуда тока возбуждениявихретокового преобразователя 2, апо входам управления преобразователя3 частоты - частота,= Я-Г . Сиг"онал С внутретокового преобразователя 2 поступает на один вход балансного...

Номер патента: 1402912

Опубликовано: 15.06.1988

Авторы: Левитова, Пугачев, Секанов

МПК: G01N 27/22

Метки: волокнистых, исследования, свойств, электрофизических

...и станиной установки расположен датчик 11 давления, фиксирующий усилие, действующее на объект измерения, С помощью .гибкой трубки 12, заполненной силеконовым маслом, давление передается на образцовый манометр 13, На станине прибора расположены коаксиальные разъемы 14, позволяющие производить подключение разных пар электродов к измерительному прибору. Первичный преобразователь окружен экраном 15,Установка работает следующим образом.Измеряемый волокнистый матерйал помещают между плоскими электродами 2 первичного преобразователя 1 и сжимают подвижной верхней гранью 3, которая перемещается с помощью враще - ния микрометрического винта 4 маховиком 10. Усилие контролируется по образцовому манометру 13. При достижении фиксированной...

Номер патента: 1497593

Опубликовано: 30.07.1989

Авторы: Аношин, Базин, Кабак, Сагинов

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводниковых, электрофизических

...легированными слоями толщиной0,5 мкм,д расположен в зазоре .равном толщине с структуры б, ",.ежду внешней поверхностью резонатора 1 и металлической пластиной 7 (диском), перекрывающей в плане отверстис 4 связи4 эПри измерении электрофизических параметров (удельного и слоеного сопротивления) двухслойной структуры с субмикронным легированным слоем методом малых возмущений для определе 5 О ния удельного сопротивленияподложки толщиной о и слоеного сопротивле- ния К легированного слоя используются следующие Формульп(1: А 1 (1/, - 1/Р,)-", (1)К,= В 1 (1 Ка/О,), .(2) где А,В,К (2 ( К( 3) - постоянныг для данного резонатора диаметра отверстия связи и материала подложки,измеряемые при калибровке резонатора 1 по эталонным образцам;Я -...

Номер патента: 1187650

Опубликовано: 23.08.1989

Авторы: Братишко, Огурцова, Филиппов

МПК: H01L 21/66

Метки: арсенида, галлия, параметров, слоев, электрофизических

...параметров А, К, Чг, входящих в (2), определяют экспериментально при анодировании в электролите, состоящем из этиленгликоля и ЗХ- ного водного раствора лимонной кислоты, смешанных в соотношении 2:1.Этот электролит обеспечивает хорошую воспроизводимость параметров А и К, слабо растворяет анодный оксид арсенида галлия.При анодировании О рассчитыва-. ют по формуле (1), а Й,определяют 4 п по измеренной на микроинтерферометре МИИвысоте ступеньки, покрытой отражающим слоем алюминия. На каждой ступеньке производится по 20 измерений. Дисперсия результатов не превышает 2,2 ф 10"мкм. Путем обработки экспериментальных данных методом наименьших квадратов было получено значение А= (20 + 1) К/В, 50Толщину йс, также определяют на ИИИпо высоте...

Номер патента: 1578770

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Борисов, Дюков, Кибалов, Файфер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...квантов 1,3 эВ. Свет модулирован частотой 1 к Гц, Ге гистрируемое п ространственное разрешение сигнала 0,1 мкм, Коэффициент усиления выбирался равным 20, Далее понижали 1 ок зонда и его энергию до выхода регистрируемОго сигнала в насыщение, Для пластины КДБэто 0,1 нА и 15 кВ соотвутственно, Для пластины КДБ,1 насыщейие достигалось при токе 50 пАи энергии 2 кэВ., Далее изменяли частоту модуляции в диапазоне 0,1 - 10 Гц. Уменьшение сигнала фотоЭДС наблюдалось при частотах выше 5 кГц, При частоте 1 кГц в полосе 3 Гц снимали зависимость сигнала фотоЭДС от интенсивности освещения (кривая 11 на фиг, 2). По значению насыщения сигнала определяли поверхностные потенциальные барьеры участков поверхности, т,е. наведенной фотоЭДС. Измеренные...

Номер патента: 1507138

Опубликовано: 30.04.1991

Авторы: Байрамов, Веденеев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: ганице, диэлектрик, каналов, проводящих, раздела, характеристик, электрофизических, —полупроводник

...Б- падение напряжения между потенциальными 45контактами к каналу и ЭДС Холла Н.По измеренным величинам рассчитываюткоэФфициент Холла К и электропроводИность проводящего канала МДП-транэистора .1 С- 6= - , - (1)н 1 Вф = Н Ьгде 4 - электролроводность каналаьВ - величина магнитной индукциис 55- отношение расстояния с межЬду потенциальными контактами к ширине Ь проводящегоканала.электрическая емкость единичной площади диэлектрика;заряд электрона. где С,Используемая при измерениях экспериментальная установка обеспечивает воэможности автоматического измерения Ки программного изменения 0 , что необходимо для реализации условия КсопзС. Неравновесное заполнение ЭС создают следующим образом,На затвор подают напряжение +30 В,отвечающее...

Номер патента: 1659820

Опубликовано: 30.06.1991

Авторы: Богданов, Легкобыт, Рябцев

МПК: G01N 27/02

Метки: параметров, сред, токопроводящих, электрофизических

...входе фазового детектора 4 отличную от 9 ОО, При этом на выходе фазового детектора 4 формируется сигнал, равный произведению сигналов на обоих его входах, Этот сигнал поступает на вход интегратора 6, где происходит его интегрирование, На выходе интегратора 6 формируется сигнал определенной полярности, в зависимости от разности фаз на первом и втором входах фазового детектора 4. Сигнал с выхода интегратора 6 поступает науправляющий вход генератора 1 переменной частоты и изменяет частоту генератора таким образом, чтобы его частота стала равна частоте резонанса контураС вихретокового преобразователя 2.В режиме изменения прикладывают катушку вихретокового преобразователя 2 к поверхности исследуемой среды, например к поверхности металла,...

Номер патента: 1666994

Опубликовано: 30.07.1991

Автор: Солоухин

МПК: G01R 33/05

Метки: магнитных, неразрушающего, пленок, характеристик, электрофизических

...кассет разной длины позволяет осуществить регистрацию ферромагнитного резонанса на двух частотах с последующим расчетом эффективного поля анизотропии Нфф и гиромагнитного отношения у по формулам1666994 И( йб 2 т 1Н 2 - Нгде б, Ь - частота СВЧ;Н 1, Н 2 - величина полей ФМР на частотах соответственно б и 12.На фиг. 1, 3 представлена конструктивная схема предлагаемого устройства; на фиг. 2, 4 - конструкция кассеты.Устройство содержит цилиндрический резонатор 1, размещенный между полюсами 2 источника постоянного магнитного поля так, что ось цилиндра совпадает с направлением постоянного магнитного поля. Резонатор 1 состоит из цилиндрического корпуса 3, к которому по направляющим 4 с одной стороны устанавливается кассета 5 для подложки, а...

Номер патента: 1686280

Опубликовано: 23.10.1991

Авторы: Мазов, Нечунеев, Пятов

МПК: F25D 3/10

Метки: исследования, криостат, полупроводниковых, свойств, электрофизических

...насосом, охлаждают жидким азотом и опускают в сосуд Дьюара. Охлаждение объектодержателя осуществляется через хвостовой элемент 5. Установку температуры осуществляют с помощью нагревателя 8. Температуру измеряют термометром 9,Предлагаемый криостат позволяет регулировать температуру по линейному, квадратичному, ступенчатому законам. Мини. мальная рабочая температура 4,5 К,Цилиндрическая обечайка 12, установленная между стенкой и объектодержателем,обеспечивает экранировку образца 6 от колебаний температуры газообразного гелия за счет равновесности ее температуры, обусловленной постоянством температуры верхней и нижней частей. Колебания температуры газообразного гелия происходят из-за испарения жидкого гелия, попадания воздуха через...

Номер патента: 1705914

Опубликовано: 15.01.1992

Авторы: Артамонов, Самарин, Яковлев

МПК: G01N 21/66, H01J 37/252

Метки: параметров, электрофизических

...СЧИКРОНЦОс ОДс.тектора 10 на 0 ор.й о;Гсвреец - НО ПОДЯЕТСЯ О,ОРЦОЕ ГЯПРГЕНИЕ С ГЕНСг - ратора 15, В 1 Ячсгст;е син:.рониого де тектоРа 10 и 13 О;ет гс г хпс 111,30- ван дете;Гор "181 - 2. 1 остоГ:Гсигнял С дЕ 01;Тора Г;,с.Тс.".саг.т ца кодрс Г"- Стр" -Ора - гс:сопс Г гЕГО ГдтдГ 1 ОМЕТра(типа ЛЕЦ 4-003)а вкод . Подается 40НапрЖЗНИЕ . -г 3 ЗЕРТЕ б 10 К;г,П р и 1 е р 1. Изгосцли эыпптиЧЕСКОЕ ЗЕ 1 г,ас-О ИЗ ОПТИЧЕСКОГО СтЕКЛа Кс отр-:;3.;им по.;рьтГе из Ялюц - ниеной пен;1 покрТс:"Г пленкой фто-45 р,СОГО Г ц1 Гдс,0 ЬГ, ПЛя предо,раСи 5 от ст)еГГя, В спектральной поз.120-120 н: коз 11 ГГсиецт страж.зсия тз:с Иос.р:ности составлне 0,8;исие" Р ЗОР;азЯ 160 .ГГ. 50 Расстояне с,т сер 55 и зеркала (от):ерс - т;1 г дис НГСд .:с ГСОПО 1) дО...

Номер патента: 1744631

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Себко, Сиренко

МПК: G01N 27/90

Метки: параметров, проводящих, цилиндрических, электрофизических

...нихретоковых преобразователя 1 - 3 с первичными(возбуждающими) 4 - 6 и вторичными (измерительными) 7 - 9 обмотками, перестралваемый генератор 10 синусоидальныхколебаний, амперметр 11, частотомер 12,измеритель 13 разности фаз, два вольтметра 14, 15 переменного тока, переключатель16. фун кцио и ал ьн ый прео ар аэонател ь 17функции нп, де итель 18, перемножитель19, вольтмегр 20 постоянногс тока, Преобраэонаталь 2 выполнен с переменным регулируемым числом витков вторичнойобмотки 8;н виде вариометра) и содержитрегулятор 21 числа витков, Возбуждающиеобмотки 4 - 6 соединены последовательносогласно и подключены к ныходам генератора 10 через амперметр 11. Частотомер 12подключен к выходам генератора 10. Вторичные обмотки 7 и 8 соединены...

Номер патента: 1805512

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ильичев, Масалов, Подшивалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...потока через соленоид.Способ реализуется следующим образом, Контролируемая полупроводниковаяпластина 10 помещается около торца соленоида 1. Светодиод 5 через световод 4 освещает небольшую часть площади пластины10, находящуюся в рабочей области соленоида 1, прерывистым излучением, Частота прерываний определяется генератором 6. Под действием излучения периодически изменяется эффективная магнитная проницаемость освещаемой части полупроводника. Это приводит к периодическому изменению магнитного потока через соленоид и появлению на его выводах напряжения, которое регистрируется регистрирующим прибором 2, Переменная емкость 9 используется для подстройки резонансной частоты контура на частоту генератора 6, Параметры выходного сигнала...

Номер патента: 1338752

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Исэров, Калнини, Орлов, Шарапов

МПК: H02K 44/08

Метки: двухнагрузочного, мгд-генератора, параметров, электрофизических

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ДВУХНАГРУЗОЧНОГО МГД-ГЕНЕРАТОРА, заключающийся в том, что измеряют значения тока и напряжения каждого подключенного к МГД-генератору инверторного моста и вычисляют матрицу внутренних сопротивлений, величины ЭДС, токов короткого замыкания, коэффициенты нагрузки частей МГД-генератора, отличающийся тем, что, с целью упрощения в процессе стационарной работы МГД-генератора, непрерывно измеряют мгновенные значения тока и напряжений каждого инверторного моста, определяют средние значения тока и напряжений, а также амплитуды и фазы токов и напряжений по крайней мере одной из гармоник каждого инверторного моста, например несущей.

Номер патента: 1212156

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ахманаев, Данилов, Медведев, Петров

МПК: G01N 22/00

Метки: датчик, параметров, полупроводниковых, электрофизических

ДАТЧИК ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ, содержащий цилиндрический СВЧ-резонатор квазистатического типа, на одной из торцевых стенок которого закреплен один конец индуктивного штыря, другой конец которого размещен в соосном с ним отверстии, выполненном в другой торцевой стенке, а также элементы связи цилиндрического резонатора с источником СВЧ-энергии и индикатором и механизм осевого перемещения индуктивного штыря, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности измерений, торцевая стенка, на которой закреплен индуктивный штырь, выполнена в виде концентрически гофрированной металлической диафрагмы, а механизм осевого перемещения индуктивного штыря - в виде катушки индуктивности с соосно...

Номер патента: 1538827

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Божевольнов, Яфясов

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, межфазовой, параметров, электролит, электрофизических, —полупроводник

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЫ ЭЛЕКТРОЛИТ - ПОЛУПРОВОДНИК, включающий пропускание через границу основного импульса тока, измерение приращения напряжения на границе, пропускание дополнительного импульса тока противоположной полярности, длительность и амплитуду которого выбирают из условия обеспечения равенства нулю суммарного заряда, вносимого основным и дополнительным импульсами тока, и определение искомых величин электрофизических параметров по калибровочным зависимостям, отличающийся тем, что, с целью повышения точности, измерение приращения напряжения на межфазовой границе производят в интервале между началом основного и концом дополнительного импульсов, определяют величину интеграла приращения...

Номер патента: 822705

Опубликовано: 27.08.1996

Автор: Федосов

МПК: H01L 21/70

Метки: параметров, полупроводников, реализации, электрофизических

1. Способ измерения электрофизических параметров полупроводников, основанный на приложении к одной поверхности полупроводникового элемента постоянного и модулированного электрического поля изменяющегося вдоль поверхности, измерении поперечного электрического напряжения имеющего частоту модуляции, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона измерений, поддерживая пространственный период переменного электрического поля постоянным, измеряют зависимость поперечного электрического напряжения от частоты модулированного электрического поля, по которой судят о параметрах поверхности полупроводника.2. Устройство для реализации способа по п.1, содержащее полупроводниковую пластину с диэлектрическим слоем,...

Номер патента: 1818981

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Варданян, Гуюмджян, Рштуни

МПК: G01R 31/26

Метки: базе, заряда, неосновных, носителей, параметров, транзистора, электрофизических

...в зависимости от магнитного поля, а 1, поддерживаетсяпостоянным):в 21. 1гг фВсоя (и В),ст г К(Г)(4)Из отношения выражений (1) и (3)получают подвижность ННЗ1 ви = - агссоя(В В ).гВ ст ст(5)а из выражений (2) и (4) - время жизниННЗ в базе транзисторав вВ В И - Уст ст т ттв вВ -В ы ыст ст т т(6)Имея значения,и и г, рассчитывают диффузионную длину ННЗ по формуле-- итгде 1. - диффузионная длина ННЗ.На чертеже представлена структура контролируемого транзистора в магнитном поле.П р и м е р, Измерения времени жизни, подвижности и диффузионной длины ННЗ в базе проводились для мощных транзисторов ТК-63, ТК-100 и ТК-63, Результаты измерений сведены в таблице. Там же приведены значения ти и Е, рассчитанные по формулам (6),(5) и (7)...