Хаханин
Датчик отклонения подвижного объекта от индукционной трассы
Номер патента: 1661564
Опубликовано: 07.07.1991
Авторы: Капитонов, Хаханин
МПК: G01B 7/00
Метки: датчик, индукционной, объекта, отклонения, подвижного, трассы
...датчика. Цель изобретения достигается за счет использования двух резонансных контуров, расположенных симметрично относительно продольной оси, двух разнополярных выпрямителей и сумматора. 1 ил,2 индуктивности и вторым входом сумматора 6. Датчик работает следующим образом. При равенстве расстояний от катушек 1 и 2 до индукционного провода в них возбуждаются сигналы одинаковой амплитуды, После вцпрямления в блоках 7 и 8 сигналы одинаковой амплитуды, но разных знаков О" поступают на входы сумматора 6. Таким об- О разом, на выходе фильтра 5 нижних частот - ф будет иметь место сигнал с первой постоян- (Я ной составляющей, соответствующей нуле- О вому отклонению от индукционной трассы. ф В то же время на выходе сумматора 6 будет иметь...
Антенная решетка (ее варианты)
Номер патента: 1282245
Опубликовано: 07.01.1987
Авторы: Ефимов, Хаханин
МПК: H01Q 21/00
Метки: антенная, варианты, ее, решетка
...покрытии 2 возбуждаются поверхностные волны, приводящие к потерям мощности. Для уменьшения амплитуды поверхностных волн в защитном диэлектрическом покрытии антенной решетки на параметры защитного диэлектрического покрытия накладываются следующие условия: толщина защитного диэлектрического покрытия для достижения минимума амплитуды магнитной поверхностной волны (сканирование в плоскости вектора Н) должна быть равной где с - относительная диэлектрическаякая проницаемость;Л - рабочая длина волны; Ро=0/Л,Э - попеРечный РазмеР РаскРываволноводного излучателя 1 вплоскости сканирования;и - номер типа (магнитной) поверхностной волны, возбуждаемой взащитном диэлектрическом покрытии 2,а для достижения минимума электрической поверхностной волны...
Устройство для измерения параметров диэлектриков
Номер патента: 1264108
Опубликовано: 15.10.1986
Автор: Хаханин
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектриков, параметров
...диэлектриком 7. Расстояние между излуча 1телями 3 и 4 равно Г , а между излучателями 3 и 5 - 1 . В каналы излучателей 4 и 5 включены коммутаторы 8 и 9 и управляемые фазовращатели10 и 11, а в канал излучателя 3 включен циркулятор 12, соединенный через детектор 13 с измерителем 14,Устройство для измерения параметров диэлектриков работает следующимобразом,Сигнал непрерывной генерации сгенератора 1, поступая на делитель2, делится поровну между каналамиизлучателей 3-5. В первый моментвремени один из коммутаторов 8 илиа(или 11), в который проходит сигнал через коммутатор 8 (или 9), выставляется такое значение фазовогосдвига Ч, , при котором сигнал с циркулятора 12 имеет максимальную амплитуду, что фиксируется с помощьюизмерителя 14. Во...
Усилитель-ограничитель
Номер патента: 1252799
Опубликовано: 23.08.1986
Авторы: Ефимов, Зарукин, Хаханин
МПК: G06G 7/25
Метки: усилитель-ограничитель
...- к его ицвертирующему вхо ду, между которым и шиной нулевого потенциала включены последовательно ограничивающий резистор 13 и источник 14 напряжения ограничения, а неицвертцрующий вход подключен к выхо 35 ду операционного усилителя 1 и выходу 3 усилителя-ограничителя.Полярность Включеция полупроводциконых элементов соответствует ограничению положительного выходного цапряжеция сверху. При ограничении ,отрицательного напряжения снизу по.1 ярцость вк;1 ючеция всех элементов изменяется ца прот рвоположцую.В случае Отрицате 111 НОГО цапряже 45 ния сверху стаб 1 ьрпггроц исключается из схемы, а при ограничении положительного напряжения снизу полярность Врлючения диодов изменяется. масштабных резисторов 2 и 8). Это приводит к появлению на...
Способ измерения диэлектрической проницаемости плоскопараллельных диэлектриков
Номер патента: 1185269
Опубликовано: 15.10.1985
Авторы: Иванов, Хаханин
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектриков, диэлектрической, плоскопараллельных, проницаемости
...В.ВасильевРедактор К.Волощук Техред О,Неце Корректор В,Синицкая Заказ 6360/42 Тираж 747 Подписное ЬНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Б, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к радиотехническим измерениям в диапазоне СВЧи может быть использовано для измерения диэлектрической проницаемостиплоскопараллельных диэлектрикоВ и 5для контроля ее неоднородностей.Цель изобретения - обеспечениелокальности измерений и контроль неод"нородностей диэлектрической проницаемости плоскопараллельных диэлектриков,На чертеже гщедставлена функциональная схема устройства, реализующего предлагаемый способ измерения диэлектрической проницаемости...
Устройство для измерения распределения напряженности электромагнитного поля резонаторов
Номер патента: 1174880
Опубликовано: 23.08.1985
Авторы: Иванов, Хаханин
МПК: G01R 29/08
Метки: напряженности, поля, распределения, резонаторов, электромагнитного
...измерения, в него вв дены генератор ультразвуковой част ты и электрически соединенный с ни пьезоэлектрический преобра ь установленный на стенке ис о резонатора с возможностния по ее поверхности.1174880датчик 6, генератор 7 ультразвуковойчастоты.Устройство работает следующим образом. Составитель В.ВасильевРедактор А,Шишкина Техред М.Надь Корректор Е.Рошко Заказ 5182/48 Тираж 748 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Подписное Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4 Изобретение относится к области радиотехнических измерений СВЧ и может использоваться для измерения рас пределения электромагнитного поля в резонаторе. 5Цель изобретения - упрощение...
Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков
Номер патента: 1166012
Опубликовано: 07.07.1985
Авторы: Иванов, Хаханин
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектриков, параметров, плоскопараллельных
...поверхностных волн в диэлектрике, а по ширине резонансной кривой зависимости амплитуды отраженной волны от частоты определяют тангенс угла диэлектрических потерь.1166012 Х, -К2 2 :-1 Х.-ГК Составитель В. ВасильевТехред И.Асталош Корректор А. Тяско Редактор П. Коссей Заказ 4305/39 Тираж 748ВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5 Подписное филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к технике радиотехнических измерений в диапазоне СВЧ и может быть использовано для измерений диэлектрической проницаемости плоскопараллельных диэлек триковЦелью изобретения является повышение точности измерения.На чертеже показано устройство, реализующее...
Способ измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков
Номер патента: 1161899
Опубликовано: 15.06.1985
Авторы: Иванов, Хаханин
МПК: G01R 27/26
Метки: диэлектриков, параметров, плоскопараллельных
...достаточной точности.Наиболее близким техническим ре шением к предлагаемому является способ измерения параметров плоско- параллельных диэлектриков, заключающийся в возбуждении в исследуемом плоскопараллельном диэлектрике двух 20 типов колебаний и измерении их на выходе 2.Однако известный способ сложный и требует значительного времени на проведение измерений. 25Цепь изобретения - упрощение процесса измерений и повышение точности.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу измерения параметров плоскопараллельных диэлектриков, заключающемуся в возбуждении в исследуемом плоскопараллельном диэлектрике низшего типа электрической поверхностной волны35 и измерении ее на выходе, исследуемый п.поскопараллельный диэлектрик располагают...
Датчик для измерения электрофизических параметров цилиндрических образцов
Номер патента: 1116398
Опубликовано: 30.09.1984
Авторы: Иванов, Хаханин
МПК: G01R 27/26
Метки: датчик, образцов, параметров, цилиндрических, электрофизических
...нагреве,Цель изобретения - измерениеэлектрофизических параметров цилиндрических образцов при их радиационномнагреве и улучшение фокусировки лучистой энергии на цилиндрическом образце.Поставленная цель достигается 25тем, что в датчик для измерения электрофизических параметров цилиндричес,ких образцов,содержащий коаксиальныйрезонатор, внутренний проводник которого имеет осевое отверстие и снабжен зазором, расположенным в среднейчасти внутреннего провоцника, введенисточник лучистой энергии, размещенныйнапротив осевого отверстия, диаметркоторого в месте расположения зазораявляется запредельным для рабочейчастоты коаксиального резонатора,При этом диаметр осевого отверстиявыполнен увеличивающимся по гиперболическому закону по мере...