Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
1198569 Составитель Ю. РозентальТехред И. Верес Корректор М. МаксимишинецТираж 583 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Редактор Н. ШвыдкаяЗаказ 7726/51 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле качества доменосодержащих материалов, применяющихся в запоминающих устройствах.5Целью изобретения является повышение точности контроля однородности ионноимплантированного слоя.В основу изобретения положен экспериментально обнаруженный факт, что после ионной имплантации пороговое значение 10 напряженности перемагничиваюшего поля, при котором начинается вращение намагниченности, снижается более чем в 3 раза, в то время как поле коллапса ЦМД изменяется не более чем на 5 Я. Это позволяет значительно повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2 нс после приложения импульсного магнитного поля.В таблице приведены значения Но и Нн при поле смешения Н =12,5 кА/м для нескольких точек образца, имплантированных с разной дозой.В качестве образца были использованы ионно-имплантированные пленки феррит- граната с диаметром ЦМД 5 мкм,Но, кА/м 0,5 10,7 10,8 10,9 10,6 10,7 10,6 10,5 Н, кА/м 65,6 48,0 32,8 25,0 26,4 32,8 48,0 65,0 Приведенные результаты показывают, что предложенный способ обеспечивает более высокую чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя вследствие более сильного изменения Ни. Кроме того, в предложенном способе контроля однородности ионно-имплантированного слоя нужно регистрировать не изолированные ЦМД, а области с обратной намагниченностью, имеющие на 1 - 2 порядка большие размеры, чем диаметр изолированного ЦМД, поэтому он применим к материалам с субмикронными ЦМД.
СмотретьЗаявка
3756197, 18.05.1984
ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ АН СССР
КУДЕЛЬКИН НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, НАБОКИН ПАВЕЛ ИЛЬИЧ, РАНДОШКИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя
Опубликовано: 15.12.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1198569-sposob-kontrolya-odnorodnosti-ionno-implantirovannogo-sloya-v-domenosoderzhashhejj-plenke.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке</a>
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин
Номер патента: 1436767
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Аверьянова, Верин, Генералов, Зимаков, Зыканова, Коршунов, Прохоров, Сазонов, Соловьев, Старикова
МПК: H01L 21/268
Метки: ионно-имплантированных, отжига, пластин, полупроводниковых, слоев
Способ отжига ионно-имплантированных слоев полупроводниковых пластин, включающий формирование поглощающего лазерное излучение слоя и нагрев его лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени однородности свойств отожженного слоя, поглощающий лазерное излучение слой формируют внутри или на обратной стороне полупроводниковой пластины путем легирования, толщину и концентрацию примеси в указанном слое выбирают из условия выделения в поглощающем слое максимальной части энергии лазерного излучения, облучение проводят лазером на CO2 в импульсно-периодическом режиме с мощностью излучения, обеспечивающей температуру подложки от 0,55 Tпл до...
Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки
Номер патента: 1198568
Опубликовано: 15.12.1985
МПК: G11C 11/14
Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок
...наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют...
Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов
Номер патента: 1170926
Опубликовано: 20.09.2001
Авторы: Генералов, Зимаков, Коршунов, Соловьев, Тихонова
МПК: H01L 21/268
Метки: ионно-имплантированных, отжига, полупроводниковых
1. Способ отжига ионно-имплантированных полупроводниковых материалов, включающий облучение полупроводника излучением CO2-лазера с длиной волны, лежащей вне полосы собственного поглощения полупроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии при одновременном улучшении параметров и повышении производительности, облучение ведут в импульсно-периодическом режиме с длительностью импульса 1,5 10-6 - 1 10-4 с и количеством импульсов 5 - 900 при температуре облучаемой поверхности не меньше 0,55 т.пл., но меньше...
Способ измерения скорости дрейфа молекул и ионов в растворах электролитов в электрическом поле
Номер патента: 646257
Опубликовано: 05.02.1979
Авторы: Волков, Галялтдинов
МПК: G01P 3/66
Метки: дрейфа, ионов, молекул, поле, растворах, скорости, электрическом, электролитов
...вызывают дрейфионов, первы импульс прикладывают воантервале 90 -ным и 180 -ным: в,ч,импульсами, а второй, противоположнойоноаярностий в интервале между 180-нымв.ч, импульсом и сигналом вха (смефиг. Ц, и снова измеряютамплитуду сигнала эха, По измерению этой амплитуды. судят о скорости дрейфа. Затемизменяют интервал меду в.ч, импульсами и повторяют цикл измерений, Подвергнув полученную зависимость отно-,сительной амплитуды эха от ф Фурьепреобразования, получают функцню распределення дрейфующих частиц по ско ростям,Чувствительность предлагаемого способа сказывается выше, чем известного. Это подтверждается как экспериментальными, так н теоретическими расчетамн.Действительно, сдвиг фаз прецессии ядерных спннов 4 Ф/ за счет...
Способ получения комплекса иона металла с олигоили полигалактуроновыми кислотами
Номер патента: 886750
Опубликовано: 30.11.1981
МПК: C07H 23/00
Метки: иона, кислотами, комплекса, металла, олигоили, полигалактуроновыми
...при комнатной тем"пературеГель отделяют центрифуги/рованием и промывают водой для удаления следов ацетата марганца ( 1) .Получают 1105 г геля с содержаниемсухого, вещества 2, 2 вес.Х. Гель сушат при 60 С, получают 243 г марганца- декагалактуроната.Найдено,Х: Ип 10,9; С 34,6;Н 4 э 5; О 47,0; К 3,0.Еип (СЬН 7 О).31 о (ОНЫВычислено,Хй Ип 3,4 ъ С 35,3 ЪН 3,6; О 47,8,П р и м е р 9Получение осадкамагний (1) - калий (1) - декагалактуроната.Прибавляют при интенсивном перемешивании 400 мл 1-молярного водногораствора сульфата магния к 7 л О,ЗХкого водного раствора декагалактуроновой кислоты (рН 3). Отделяется белый гель. Смесь оставляют стоять прикомнатной температуре один день,после чего подщелачивают ее воднымраствором гидроокиси калия и...
Предыдущий патент: Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки
Следующий патент: Устройство для считывания оптической информации
Случайный патент: Способ диагностики микробной аллергии организма