Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
СОЮЗ СОВЕТСКИХСОЦИАЛИСТИЧЕСКИХРЕСПУБЛИН САН РЕ СТВУ(21) 3753 (22) 15.0 (46) 15,1 (71) Инсти АН СССР72 НН 5. Бюл, т общей из В.В,Рандошкин8) и МэАег. ч. 24,МА 0-15,АЛИЗАЦИИ ДО- О-ИМПЛАНТИРОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНздействии на ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТ ТОРСКОМУ СВИДЕТ( )Кудельк ин (53) .681.327.66(088 (56) 1,Мацп, апй Ма 1981, р, 328,1 ЕЕЕ Тгапз. Мацп В 6, 1979, р. 1910. (54)(57) СПОСОБ ВИЗ МЕННЫХ СТЕНОК В ИОН ВАННОМ СЛОЕ ДОМЕНОС КИ, основанный на в 801198568 А доменосодержащую пленку магнитнымполем и поляризованным светом,отличающийся тем, что,с целью повышения временного разрешения и точности визуализации доменных стенок, воздействие на доменосодержащую пленку магнитным полем осуществляют путем,подачи импульсов. магнитного поля перпендикулярно ее плоскости и через 5-100 нспосле подачи импульсов магнитногополя регистрируют микродомены, зарождающиеся под действием этогополя, по которым судят о наличиидоменных стенок.Заказ 7724/50 Тираж 583 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, %-35, Раушская наб., д, 4/5Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле продвижения заряженных стенок в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ) с ионноимйлантировацной структурой продвижения, а также при контроле состояний ЦМД в ионно-имплантированных доменосодержащих пленках.Цель изобретенйя - повышение временного разрешения и точности визуализации доменных стенок за счет регистрации микродоменов с обратной намагниченностью, зарождающихся вблизи доменных стенок в ионно-имплантированном слое при импульсном перемагничивании доменосодержащей пленки.Способ осуществляется следующим образом.На доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем, направленным перпендикулярно ее плоскости, постепенно увеличивая его температуру. Поскольку доменные стенки в ионно-имплантированном слое снижают локальное поле зародышеобразования при импульсном перемагничивании, то при некоторой критической амплитуде им пульсного поля вблизи этих доменныхстенок начинают зарождаться микро,домены в основном слое доменосодер-жащей пленки. Освещая пленку плоскополяризованным светом и регистрируя 10 через 5-100 нс после подачи импуль"са магнитного поля микродомены, виэуалиэируют доменные стенки в ионноимплантированном слое доменосодержащей пленки. Регистрацию микродоме нов,в частности, можно обеспечитьс помощью эффекта фарадея при освещении доменосодержащей пленки импульсами плоскополяризованного светадлительностью 1-10 нс. Минимальное 20 время, через которое после приложения импульсов магнитного поля микродомены становятся наблюдаемыми, составляет 5 нс. Через 100 нс послеего приложения область, занимаемая 25 доменами с обратной намагниченностью, становится широкой, и точностьвизуализации доменных стенок падает.
СмотретьЗаявка
3753983, 15.06.1984
ИНСТИТУТ ОБЩЕЙ ФИЗИКИ АН СССР
КУДЕЛЬКИН НИКОЛАЙ НИКОЛАЕВИЧ, РАНДОШКИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: визуализации, доменных, доменосодержащей, имплантированном, ионно, пленки, слое, стенок
Опубликовано: 15.12.1985
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1198568-sposob-vizualizacii-domennykh-stenok-v-ionno-implantirovannom-sloe-domenosoderzhashhejj-plenki.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ визуализации доменных стенок в ионно имплантированном слое доменосодержащей пленки</a>
Предыдущий патент: Способ изготовления запоминающих матриц на цилиндрических магнитных пленках
Следующий патент: Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке
Случайный патент: 356490