Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке
Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Текст
(54) С СЛОЕВ ПЛЕНК (57) Из числите, зовано разрчша Е обрет ьной ри р юще Ж С ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССРПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ(56) ФТТ, т. 2Письма в Ж СОБ ОГРЕДЕЛЕНИЯ ЧИСЛА В ДОМЕ НОСОДЕРЖАЩЕЙ ние относится к области вытехники и может быть использработке аппаратуры для нео контроля качества домено,ЯО 1300560 содержащих материалов. Целью изобретения является повышение чувствительности и точности определения числа слоев в с 1 омецосодержащей пленке. В соответствии с предложенным способом, число слоев в домецосодержащей плецке определяют путем воздействия на доменосодсржащую пленку, намагниченную до насыщения, постоянным магнитным полем и импульсным магнитным полем обратной полярности, увеличивают амплитуду импульсного магнитного поля, регистрируют зависимость обратной величины времени персмагничивация домецосодержащей пленки от амплитуды импхльсного магнитного поля и по количеству линейных участков ца этой зависимости определяют число слоев в ломеносодержащсй пленке. 1 ил.1300560 10 формула изобретения Составитель М. ЛогуновРедактор Н. Горват Техред И. Верес Корректор Л. ПатайЗаказ 829/52 Тираж 590 ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий13035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Изобретение относится к микроэлектронике и вычислительной технике и может быть использовано.для неразрушаюшего контроля качества материалов с цилиндрическими магнитными доменами.Цель изобретения - повышение чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке. Способ осушествляют следующим образом.На доменосодержашую пленку, намагниченную до насыщения постоянным магнитным полем, воздействуют импульсным однородным полем обратной полярности и, увеличивая амплитуду импульсного магнитного поля Н до величины, превышающей эффективное поле анизотропии доменосодержашей пленки Нкэ, регистрируют (например, фотоэлектрическим способом) зависимость обратной величины времени перемагничивания т от Н. При амплитуде импульсного поля Н ( Нкэ наблюдается монотонная зависимость т (Н), соответствующая процессам перемагничивания движением доменных стенок. Резкое ускорение процесса перемагничивания (переход к процессам перемагничивания вращением вектора намагниченности) происходит при Н = Н , чему соответствует переход ко второму участку на зависимости т (Н). При наличии в доменосодержащей пленке нескольких слоев с различными значениями Н. зависимость т (Н) приобретает ступенчатый вид - состоит из нескольких участков, причем пороговые поля переходов от одного участка к другому соответствуют значениям Н- в слоях доменосодержащей пленки. Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку, 15 намагниченную до насыщения постоянныммагнитным полем, импульсным магнитным полем обратной полярности, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и точности определения числа слоев в доменосодержащей пленке, увеличивают амплитуду импульсного магнитного поля, регистрируют зависимость обратной величины времени перемагничивания доменосодержащей пленки от амплитуды импульсного магнитного поля и по количеству линейных участков на этой зависимости определяют число слоев в доменосодержашей пленке.
СмотретьЗаявка
3897541, 11.05.1985
МОРДОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. Н. П. ОГАРЕВА
ДУДОРОВ ВИКТОР НИКОЛАЕВИЧ, ЛОГУНОВ МИХАИЛ ВЛАДИМИРОВИЧ, РАНДОШКИН ВЛАДИМИР ВАСИЛЬЕВИЧ
МПК / Метки
МПК: G11C 11/14
Метки: доменосодержащей, пленке, слоев, числа
Опубликовано: 30.03.1987
Код ссылки
<a href="https://patents.su/2-1300560-sposob-opredeleniya-chisla-sloev-v-domenosoderzhashhejj-plenke.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения числа слоев в доменосодержащей пленке</a>
Способ определения величины импульсного градиента магнитного поля
Номер патента: 693235
Опубликовано: 25.10.1979
Авторы: Азанчеев, Пименов, Скирда, Стежко
МПК: G01N 27/78
Метки: величины, градиента, импульсного, магнитного, поля
...градиента больше чем у прямоугольного; сигнал 14 епинового эха в магнитном поле только с естественной однородностью. Процесс определения амплитудного значения импульсного градиента заключается в следующем. Образец, представляющий спин-систему, помещают в постоянное магнитное поле с заданным значением до постоянного градиента 1, затем подают на образец 90-й радиочастотный импульс 2, после чего воздействуют исследуемым импульсным градиентом 3, направление которого, в отличии от прототипа, может совпадать с направлением нсстоянного гралмещта, либо быгь противоположным. Затем ва образец в момент времени г двьолицтевьво во зле йс гв уют 18 О-м р адщочаст агам импульсом 4 и импульсным градиентом 5 идентичным 3, После такого...
Устройство для намагничивания и размагничивания элементов магнитных систем импульсным магнитным полем
Номер патента: 1483498
Опубликовано: 30.05.1989
Автор: Кашин
МПК: H01F 13/00
Метки: импульсным, магнитным, магнитных, намагничивания, полем, размагничивания, систем, элементов
...временем заряда емкостного накопителя 18 и составляет примерно 0,1 с.Зарядный элемент 20 обеспечивает токоограиичение в процессе заряда емкостного накопителя 18.Когда устройство осуществляет цикл намагничивания, блок 21 автоматики вырабатывает стабильный по нап- . 20 ряжению сигнал постоянного тока, который поступает на управлякаий вход системы 3 импульсно-Фазового управления. Сигнал постоянного тока воздействует на Фаэосдвигающее устройство, 15 входящее в схему системы 3 импульсно- Фазового управления, и определяет Фазовый сдвиг импульсов на выходе сис" темы 3 в пределах от Т/4 +ичп. до Т/2.Каждому значению Фазы импульсного сигнала и, следовательно, моменту включения вентиля 4 в течение полупериода Т/2 источника 6 соответствует...
Импульсная квадрупольная магнитная линза
Номер патента: 429563
Опубликовано: 25.05.1974
Автор: Титов
МПК: H05H 7/04
Метки: импульсная, квадрупольная, линза, магнитная
...3, намоо 4 и нижнего 5 ярем поддерживающих верх- провода,тавливается из шихторрита, Боковые экраталла, имеющего высо- ример из меди. При гиперболической форме внутрен ьерхностеи экранов и полюсов магнит 15 ле в рабочем объеме при импульсном денни обмотки возбуждения линейно,на экранах оно имеет только тангенц ную составляющую к поверхности, а н сах - только нор м альную. 20 Для уменьшения полей рассеяния, в мых падением МДС в стали магнитоп линза помещена в экран 7 из металл лой глубиной проникновения импульсн ля (скин-слоя). Чтобы уменьшить влиян от токоподводов 8 на фор мотки возбуждения вывед посередине линзы. Для подавления наиболее 30 гармоник магнитного поля,4 о 9563 Предмет изобретения Составитель П. ДемкинТехред 3....
Способ магнитно-адгезионной сепарации однокомпонентного магнитного проявителя
Номер патента: 1341614
Опубликовано: 30.09.1987
Авторы: Валюс, Старосельский, Щупак
МПК: G03G 21/00
Метки: магнитно-адгезионной, магнитного, однокомпонентного, проявителя, сепарации
...СССРпо делам изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г, Ужгород, ул. Проектная, 4 1 134Изобретение относится к электро- фотографии, а именно к способам магнитной сепарации однокомпонентных магнитных проявителей.Целью изобРетения является повышение качества сепарации.Способ осуществляют следующим образом.На проявитель, подлежащий сепарации, воздействуют перемещающимся магнитным полем, которое создают,например, вращающимся по часовой стрелке многополюсным магнитом. Частицы проявителя под воздействием магнитного поля перемещаются по сепарационному, транспортеру. Перемещение частиц проявителя осуществляют до полной трибоэлектриэации частиц некачественной фракции и их...
Многоканальный магнитно-тиристорный импульсный модулятор
Номер патента: 301831
Опубликовано: 01.01.1971
Авторы: Болотов, Жаворонков, Пдтентш, Соколов
Метки: импульсный, магнитно-тиристорный, многоканальный, модулятор
...1, блок запуска 2, нагрузку д и и каналов, каждый из которых состоит из выпрямителя 4, зарядного дросселя б, накопительного 5 конденсатора 6, коммутатора 7, импульсногоавтотрансформатора 8, магнитных каскадов сжатия 9, формирующих каскадов 10. Накопительный конденсатор каждого канала в точке соединения его с зарядным дросселем подклю чается через диод 11 к дополнительному конденсатору 12, зашунтированному резистором 13.Предлагаемый модулятор работает следующим образом.15 Дополнительный конденсатор через диоды 11 заряжается одновременно с накопительными конденсаторами до одинакового с ними напряжения. В промежутках между импульсами дополнительный конденсатор разряжается 20 через резистор 13 до напряжения сравнения1 сравн При...
Предыдущий патент: Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов
Следующий патент: Канал для продвижения цилиндрических магнитных доменов
Случайный патент: Устройство контроля фаз трансформатора