Патенты с меткой «ионно-имплантированного»

Номер патента: 1198569

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Куделькин, Набокин, Рандошкин

МПК: G11C 11/14

Метки: доменосодержащей, ионно-имплантированного, однородности, пленке, слоя

...повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности.Предложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом.На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем.Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20 в 2...