Патенты с меткой «диффузии»

Номер патента: 1478095

Опубликовано: 07.05.1989

Авторы: Гареев, Калютик, Коганов, Селезнев

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, растворе

...конечной ширины необходимо поворотом зеркала 5 (фиг.1) наонебольшой угол (2-3 ) добиться желаемой частоты полос по полю прибора.В ходе электрофореза начальнаяпроба, внесенная в гель, разделяетсяна ряд пространственно разнесенныхзон, соответствующих отдельным компонентам смеси, Критерием разделенияпри настройке на полосу конечной ширины является появление между зонамиряда параллельных полос, соответствующих начальной настройке (Фиг.2,сплошные кривые). При настройке, на,полосу бесконечной ширины критериемразделения является появление зазора(светлого поля) между полосами и спорядком интерференции 0,5 двух соседних зон,После окончания разделения производится выключение электрическогополя и одновременно с этим регистрируется первая...

Номер патента: 1479973

Опубликовано: 15.05.1989

Автор: Павленко

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источника, твердого

...пластификатора при 250- 300 С) являются подготовительными для этапа спекания слоя смеси с подложкой.Сушка в температурных и временных режимах, отличных от приведенных в формуле изобретения, не является эффективной: покрытие либо обсыпается на следующих стадиях термообработки, либо приобретает вид рыхлой рассыпчатой массы. Выжигание платификатора при температуре выше 300 С сопровождается воспламенением и приводит к отслоению смеси от подложки. За время 5-20 мин при 250 - 300 С происходит следующий процесс: сначала слой смеси на пластине-подложке чернеет, а затем постепенно приобретает белую окраску, Спекание в течение более 40 мин или (и) при температуре выше 1100 фС приводит к тому, что некоторые участки покрытия заворачиваются краями в...

Номер патента: 1492240

Опубликовано: 07.07.1989

Авторы: Быков, Конышев, Нечаева

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициента, материале, объемной, порошковом, примеси

...дистиллированной воды.Просушенный образец помещают в трубчатьп кварцевый держатель; расположенный в стабилизированной по темпе.ратуре печи с небольшим температурнымградиентом (0,5-1) град./мм, и зажимают с двух сторон спаями платинородиево-платиновых термопар, спаикоторых размещают в углублениях наторцах образца. Зависимость дифференциальной термоэдс от времени ю/,(С)измеряют после установления теплового равновесия, которое наступает через 8-10 мин после помещения образцав печь. Измерения проводят в воздуш. ной атмосфере, микропечь питаетсястабилизированным напряжением, термоэдс измеряют компенсационным методом относительно платиновых ветвейтермопар. Измерения проводят присредней температуре образца Т=1075 КЗависимость М,(1) приведена...

Номер патента: 1530795

Опубликовано: 23.12.1989

Автор: Колмаков

МПК: E21F 7/00

Метки: выработке, горной, диффузии, коэффициента, эффективной

...пункте пробыгазовоздушной смеси, определяют физико-химический состав газовой смеси,ее молярную массу, плотность, кинематическую и динамическую вязкость газов, учитывают по контрольному пунктч изменение во время замеров давления 1 скорости движения потока, температуры, физико-химического составасмеси определяют коэффициент диффузии газа в удельном объеме любойчасти участка замера по математическому выражению в фиксированный момент времени;К - показатель режима движения газолоэдушного поток в соответствую5 1530795при Ка 2 - режим движения турбулентный,при К 1 - ламинарный, при 1К ( 2промежуточный определяется по формуле 1 п (-ф - =1-)Р -РР л 1-РК а 11 л, - кинематическаЯ вЯэкость газа в соответствующей точкезамера м /с, определяетсягпо...

Номер патента: 1567936

Опубликовано: 30.05.1990

Авторы: Моисеев, Петров, Степанов

МПК: G01N 21/47, G01N 21/59

Метки: диффузии, излучения, коэффициента, материалах, поглощения, сильнорассеивающих, слабопоглощающих, твердых

...5 лазерным пучком часть торцовой поверхнос-ти образца (область засветки) при различных углах падения излучения должна быть олной и той же, Это достигается как за сцет сканирования пучка вдоль выбранной площадки (при малыхуглах падения), так и 0 за счет фокусировки пучка до нужных размеров с помощью линзы (при больших углах падения). Госле указанных угловых измерений определяют угловую зависимость 1/= 1/1, где 1 - сигнал, пропорциональный нормально-полусферической пропускательной способности Р лля данного образца.Рассчитывают двуполусферическую пропускдтельнук способность Р(1,) для всех образцов по соотношению Р(1,) =2 Р(1.,) 30 н (Р)11, 1=1, , В, после чего рассчитыфвают значения К и Р в результате минимизации функционалаГ(К, Р)=Х...

Номер патента: 1582079

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Канарова, Пулатова

МПК: G01N 13/00

Метки: газе, диффузии, жидкости, коэффициента, паров

...кольца устанавливают равным О, 01 -0,015 см.Элемент для размещения жидкогообразца устанавливают внутри камеры 2 О для газа таким образом, чтобы расстояние от проволочного кольца-термоэлемента до стенок камеры для газа удовлетворяло соотношению25Й /э1 ) г (100 )1 нгде 1 - расстояние от проволочногокольца-термоэлемента до сте- З 0нок камеры для газа, см;г - радиус проволочного кольцактермоэлемента, см;плотность жидкости, г/смз;плотность насыщенных паровжидкости, г/см .В боковых стенках камеры для газа выполнены оптические окна для освещения капли жидкости на проволочном кольце-термоэпементе и измерения ее 40 радиуса с помощью измерителя радиуса капли жидкости, распбложенного вне камеры для газа и оптически сопряженного с элементом для...

Номер патента: 1594386

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Малышева, Рубенчик, Соколов, Шульгин

МПК: G01N 17/00

Метки: водорода, диффузии, коэффициента, стали, электролит, электрохимического

...анодную ячейку, т.е, ячейку, закрепленную с анодной стороны образца,заливают электролит указанного состава, помещают в нее электрод сравнения (ЭС), вспомогательный электрод(ВЭ) и соединяют рабочий электрод(РЭ), ЭС и ВЭ с потенциостатом. Напотенциостате задают потенциал + 0,8 Ви записывают анодный ток пассивацин55до установления стационарного постоянного во времени фонового тока 1 ф ,плотность которого должна составитьне более 3-4 мкА/см . После этого,в катодную ячейку, т.е. ячейку, закрепленную с катодной стороны, заливают раствор для наводороживания, помещают ВЭ, соединяют ВЭ и образец с поляризующим устройством (выпрямитель, .потенциостат), В момент включения катодной поляризации на анодной пассивационной кривой делается...

Номер патента: 1604854

Опубликовано: 07.11.1990

Авторы: Киселев, Мельниченко, Орехов, Ройтман

МПК: C13D 3/10

Метки: диффузии, процессом

...смесив первой и второй зонах аппарата итемпературы во второй зоне регуляторы04854 45 50 55 5 1622 и 26 вырабатывают управляющие воздействия меньше предыдущих,. которые,поступая в сумматоры соответственно29 и 30 со знаком "плюс", уменьшаютрезультирующие сигналы последних,уменьшая, в конечном счете, задание,регуляторам 12 и 13 давления.Регуляторы 12 и 13 в соответствиис новым заданием прикрывают исполнительные механизмы 17 и 18. Давлениев греющих камерах первой и второйзон снижается,Если при этом увеличивается илиснижается уровень в первой зоне аппарата, то корректирующий регулятор2 1 вырабатывает управляюшее воздействие, которое по своему абсолютномузначению выше или ниже предыдущего.Поступая в сумматор 28 со знаком "минус", оно...

Номер патента: 1613931

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Малкин, Степанова

МПК: G01N 15/02

Метки: диффузии, коэффициента

...потенциа дон переноса на модели поперечног1613931 гиоул Фьн 35 .где Го1 и 51 1051 105511051 1 К51 1051 105110 397 3,8 4,3 4,0 3,9 3,6 0,82 31 0,35 32 0,23 34 0,22 36 0,34 33 0,48 32 0,71 29 120 120 120 120 120 120 120 1 2 3 4 5 6 7 страта (равный толщине микросреза);Ъ - показатель поглощения света;С - концентрация диАфузацта всубстряте;1 - толщина поглощающего слоя, .определяем концентрацию диффузанта в 7 фиксированных точках, расположецнык по линии микроАотометрировация на расстоянии 6 10 м друг от друга (фиг.1), Среднее значение 5 = = 3,9 ф 10см/с.В таблице приведены значения С концентрации диАфузанта в указанных точках.Методом проецирования контуров микросреза изготавливали модель поперечного сечения лески из электро+ проводящей...

Номер патента: 1627922

Опубликовано: 15.02.1991

Авторы: Крылов, Форсов, Шишкин

МПК: G01N 13/00

Метки: газ, диффузии, жидкость, коэффицента, системе

...О с тп, 1 а; парв,20(сл с д у с м л я смесь : в од л- л э о т3Рц,тр.цци дилметр цилиндрической трубки с 1 = 2 э 10 м,(плметР калибпонлццого отнеРсзпЯ (клпиллчРл) с 1 К =1 О и0,сход л От,1 Ч = 0,5182510 м-/с,р 1 должтельос Гь:ксперимсцтл (. =- 35604 с,Бел 11 а псплр 11 нкеося слоя иоды 511 = б, э 10" и1 с пав рлтурл=- 291 ,1,1 Рле 11 е цлс 1 цсцць 1 х 1 арон 1 оды Рцп - - 2б 3 11 а,1 пр; Оч 11 ме д,11.1 С:(с =- 998, 2 кг/и; 1 = 1, 0579 1 О к 1 /с.7= 72,80 . Н/м; .(с = 18 кг/кмоль.р е з у:1 ь т,д г ы р л с ч е т О 1:. ческого сосуда, дополнительно измеряют расход газа и динамическую скорость пу.ырьков газа в жидкости, акоэФФициент диффузии рассчитывают спомопью выражения40, 1)0 = 68,2Д)где" коэффициент ди 1 рфузии, м /с;коэффициент...

Номер патента: 1636729

Опубликовано: 23.03.1991

Авторы: Баланюк, Савченко, Тарасенко, Ягодзинский

МПК: G01N 15/08

Метки: водорода, диффузии, коэффициента, металлах

...в газовой камере при давлении водорода 1 атм, затем пассивируют кадмием. После этого создают неравновесное распределение водорода внутри образца, пропуская ток плотностью 1 = 10 мА/см в течение 30 мнн. Один из концов образца помещают на опору в виде призмы, втощью вольфрамовой нити подкоромыслу чувствительтаким образом, чтобы обра 3 1636129 Дзец находился в горизонтальном положении, и с помощью самописца, подсоединенного к системе весов, записывают временную зависимость нагрузки на ко 5 ромысло, пропорциональную моментам сил тяжести, действующим на образец при релаксации распределения водорода к равновесному, по полученной зависимости М(й) строят график101 1+а 1 М(С)- рс п( ---- ))а а М.ь длина образца;момент сил тяжести, действующий...

Номер патента: 1681203

Опубликовано: 30.09.1991

Авторы: Волошин, Косов, Поярков

МПК: G01N 21/05

Метки: диффузии, коэффициентов

...Через патрубок 4 с определенной скоростью подают непульсирующий поток другого исследуемого газа, Через патрубки 5 смесь газов выходит в атмосферу. Момент начала диффузионного процесса фиксируется (с учетом времени запаздывания, которое можно вычислить) по началу движения подвижных интерференционных полос.Продувание второго компонента (газа носителя или газа сравнения) по проточному каналу над капилляром (диффузионной трубкой) позволяет строго соблюдать постоянство граничных условий в течение всего эксперимента и обеспечивает возможность непрерывного анализа диффузионного процесса.Измерение концентрации производят следующим образом.Лучи интерферометра проходят по трубкам 2 и 8 и попадают в глаз экспериментатору. Экспериментатор...

Номер патента: 1712871

Опубликовано: 15.02.1992

Автор: Чабров

МПК: G01N 33/48

Метки: биологических, диффузии, клеток, моносистеме, поликомпонентного, раствора, скорости

...кислый, г 0,16Глюкоза, г 0,16Вода дистиллированная,мкл Да 10,0СтерильноОдновременно готовят три емкости -флаконы А, Би В,Предварительно готовят измерительную стеклянную трубку, нижний конец которой эапаян и общая длина канала которойравна 120 мм, Отметка 0 нанесена у верхнего (открытого) конца трубки. Разграничительная метка делит длину канала трубки надве части (объема): верхнюю длиной 50 мми нижнюю длиной 70 мм. Внутренний диаметр трубки 7 мм. Размеры длин верхней инижней частей трубки обоснованы следующим: предварительные контрольные измерения показали, чта скорость оседанияэритроцитов не превышает 75 мм/ч, а скорость перемещения лейкоцитов вверх - 55мм/ч. Шприцем берут пробу крови из веныпациента - 5,0 мкл и помещают ее в...

Номер патента: 1718040

Опубликовано: 07.03.1992

Авторы: Белоножко, Вяткин, Измайлов, Сорокин

МПК: G01N 13/02

Метки: газе, диффузии, жидкости, коэффициента, паров

...массы, Предлагаемое устройство исключает недостаток, характерный для кольцевого держателя, - значительное отклонение формы капли от предполагаемой (эллипсоид вращения), на которой основаны расчетные формулы, Радиус углубления в центре диска должен лежать в диапазоне 1-5 мм, Ограни-. чение радиуса углубления связано со снижением точности измерения коэффициента диффузии, Нижний предел ограничен точностью измерения высоты капли, так кэк при радиусе углубления менее 1 мм высота капли в большинстве случаев менее 1 мм и ошибка измерения высоты превышает 20, абсолютная ошибка измерений принималась равной+0,01 мм), Верхний предел получен следующим образом,Уравнение, описывающее форму капли на подложке, преобразовывалось в функционал, который...

Номер патента: 1721473

Опубликовано: 23.03.1992

Авторы: Балыкина, Денисов, Покоев, Степанов

МПК: G01N 13/02

Метки: диффузии, коэффициента, порошковых, соединениях, спеченных

...при диффузии, от концентрации, и видом граничных условий при взаимной диффузии в контактных зонахкомпонент;1 - время диффузии.Вывод рабочей формулы для Овд основан на анализе изменений максимальнойинтенсивности линий чистых компонент порошковой смеси. Максимальная интенсивность линий чистых компонентпропорциональна их объемной доле в облучаемом рентгеновскими лучами объеме. Врезультате взаимной диффузии объемнаядоля чистых компонент уменьшается, чтовызывает уменьшение интенсивности ихрентгеновских линий, Относительное изменение интенсивности этих линий можносвязать с параметрами процессов диффузии и с начальными размерами частиц порошков,Применение предлагаемого изобретения позволяет упростить способ, расширитьобласть его...

Номер патента: 1755120

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Гладких, Зудин

МПК: G01N 15/08

Метки: газов, диффузии, коэффициентов, мембраны

...уО 1- - -)- ехр (установления стажение (3) переходтическую зависим- (56ической экстрапов область малыхь абсцисс в точкем запаздывания. И л и - 1В случае ежима выра ую ассимпто ия ентов дифлючающий вумя камер и измерего через ющийся ости изме 55ляции этойвремен онао называе 3 величины При граф ассимптотики пересекает ос мой времене через мембрану потока газа, в процессе измерения создают концентрации газа с обеих сторон мембраны С. Сг, удовлетворяющие следующему условию:дО где -- допускаемая погрешность изме- ОдО рения; - 0,1.О.Процесс диффузии в предлагаемом способе измерения (для случая плоской мембраны с толщиной ) описывается следующими математическими формулами; пС дОС) дС, е) ( ) ОТ ах ахС (11) = С 2, где С(хл) - концентрация...

Номер патента: 1764016

Опубликовано: 23.09.1992

Авторы: Бакиров, Бородулин, Тенсин, Фролов

МПК: G01W 1/02

Метки: атмосфере, аэрозолей, диффузии, коэффициента, турбулентной

...обладают по сравнению с аналогами в области измерения КТД неизвестными ранее техническими свойствами, которые заключаются в обеспечении возможности использования такого трассера, измерение концентрации которого осуществляется однотипными приборами, позволяющими упростить процесс автоматизации измерения КТД, а данные измерения КТД представить в аналоговой форме за счет усреднения изменения концентрации трассера в разных точках сечений факела трассера.На фиг, 1 изображена схема устройства для измерения КТД веществ в воздушном потоке.На фиг. 2 приведена аналоговая система обработки сигналов при вычислении КТД.Устройство для осуществления способа измерения КТД веществ в воздушном потоке содержит точечный источник трассера и измеритель...

Номер патента: 1778629

Опубликовано: 30.11.1992

Автор: Харлашин

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, коэффициентов, расплавах

...рентгеноспектральныманализом, - 10-15,г - гшбк Представив экспериментальные данные графически в виде зависимости25 дс(х,т)дх х-о от 1//т, определяют коэффициенты диффузии О исследуемых веществ по тангенсу угла наклона полученныхпрямых к оси абсцисс.На фиг. 1 и 2 изображены соответствен 30 но продольный разрез устройства в моментприведения исследуемых веществ в контакти его поперечный разрез в момент закаливания расплава,.Устройство для осуществления35 способа определения коэффициентовдиффузии содержит цилиндрический огнеупорный тигель 1, выполненный, например, из корунда, плотно установленный вкожух 2 с полыми стенками, выполненный,40 например, из графита. Внутри тигля 1 поего центру размещен полый огнеупорныйшток 3 с...

Номер патента: 1784867

Опубликовано: 30.12.1992

Автор: Кричмар

МПК: G01N 13/00

Метки: диффузии, жидкостях, коэффициентов

...запорных устройств и термостатирующей ванны, по периметру верхней плоскости перегородки выполнена течь через конический шлиф, расположенное вверху емкости с раствором запорное устройство имеет перекрывающуюся течь, а сопротивление конвективному массопереносу не превосходит дйффузионного сопротивления перегородки, нижняя емкость до перегородки погружена в жидкостную термостатирующую ванну, а остальная часть устройства закрыта воздушным колпаком, перфорированную перегородку 9, на которой фиксируется устройство с помощью выступов 10 (11 - воздушный колпак с термометром и заслонкой 12, 13- полихлор виниловая муфта).Устройство работает следующим образом.Заполняют полностью верхний сосудраствором вещества, коэффициент диффу зии которого...

Номер патента: 1791756

Опубликовано: 30.01.1993

Авторы: Шантарин, Шевелев

МПК: G01N 13/02

Метки: диффузии, коэффициента

...в контактс жидкостью, последующего измерения параметров и подсчета коэффициента диффузии, измеряют время диффузии от начала контакта нагруженного образца и жидкости до момента разрушения образца, при этом используют два одинаковых образца, нагруженных разными нагрузками, а подсчет коэффициента диффузии ведут по формуле Вг, бг(и - )где В - радиус образцов;61, 82 - напряжение сжимающих нагрузок, приложенных к первому и второму образцу соответственно;т 1 лг - время диффузии от начала контакта нагруженного образца и жидкости до момента разрушения образца, для первого и второго образца соответственно.Зависимость получена экспериментально.Для осуществления способа используют устройство, схема которого приведена на рисунке. Устройство...

Номер патента: 1817011

Опубликовано: 23.05.1993

Автор: Новицкий

МПК: G01N 27/02, G01R 27/02

Метки: границы, диффузии, замедленной, параметров, раздельного, стадии, электродной

...отношениям Ве 15 К 9/Е 5и 1 щ 15 К 9/Е 5( 1 ак как в соответствии с законом Ома справедливо соотношение40 К 5 г, - КЗгде Е =- суммарный импедансК 5цепи "электрохимическая ячейка 6, вход измерительного преобразователя 9, выход повторителя напряжения 4", то при выполнении равенства 50с учетом выражений (1) - (3) получим5 то Е 5(2 о +)( 2 и оК:д), (6)4 М . 1/В где Уо - остаточный нескоменсированный адмитанс цепи "электрохимическая ячейка 6, вход измерительного преобразователя 9, выход повторителя напряжения 4",Момент выполнения условия (5) фиксируется с помощью логометрического укаэа1817011 10 15 20 30 35 40 45 50теля квазиравновесия (13), вырабатывающего из сигналов логометрического фазочувствительного детектора 11...

Номер патента: 1823032

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...фотоэффекта на одном изкраев рентгеновского поглощения одногоиз элементов, входящих в состав полупроводника и получить значение длины диффузии электронов иэ решения уравнения:Бг =- А(Ек + г)/А(Ек - г),где Ь - величина скачка рентгеновского фотоэффекта, измеренная на крае поглощенияодного из элементов, входящих в состав полупроводника, Е( - энергия края поглощения данного элемента, г - малая величинаэнергии, равная ширине энергетическогоуровнн, соответствующего данному краюпоглощения, Функция А(Е) определяетсявыражением (1).Теоретическое исследование связискачков рентгеновского фотоэффекта с длиной диффузии электронов в полупроводнике проведено авторами впервые и влитературе не описано,Способ реализуют следующим...

Номер патента: 1823033

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Андрущенко, Климин, Стучинский, Щемелев

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузии, длины, многокомпонентном, полупроводнике, электронов

...Й. - число возможных рентгеновских радиационных переходов в атоме 1-того элемента. Во-вторых из рентгеновских фото- и Оже-электронов, возникающих в слое 02 при поглощении в нем флуоресцентного рентгеновского излучения, возбуждаемого по всему объему полупроводника падающим рентгеновским пучком. Полная энергия этой группы электронов Ю/2(2),1823033 Приведенное выражение есть уравнение относительно величины . - длины диф.фузии электронов в полупроводнике.Следовательно, для определения длины 5 диффузии электронов в полупроводнике достаточно измерить угол падения рентгеновского пучка на поверхность полупроводника, при котором отсутствует скачек рентгеновского фотоэффекта д, на 10 одном из краев рентгеновского поглощенияодного иэ...

Номер патента: 1831729

Опубликовано: 30.07.1993

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 41/22

Метки: галлия, диффузии

...печи, о т л ича ющий с ятем,что;с цельюобразования40 на поверхности кремниевых пластин маскирующего окисла, свободного от аномальныхатомарных скоплений галлия, а также замедления процесса разрушения стенкикварцевого реактора, во время разгонки45 галлия в течение времени ТЗ, где 0 ТЗТ 1,проводят окисление в парах воды, послекорректирующего легирования при рабочейтемпературе проводят дополнительноеокисление в парах воды в течение времени50 Т 4 и по крайней мере начало охлаждениякремниевых пластин проводят в парах водыв течение времени Т 5, где 0 Т 5 Т 2.2. Способ по п.1; отл и ч а ю щ и й с ятем, что время Т 430 мин,3, Способ по пп.1 и 2, о тл и ч а ю щ и йс я тем, что после охлаждения кремниевыхпластин в парах воды следует...

Номер патента: 1281001

Опубликовано: 15.10.1993

Авторы: Пекерман, Пиевский

МПК: G01N 33/38

Метки: влаги, диффузии, коэффициента, прибор

...скоб, одна из которых имеет возможность перемещения и подпоужинена с некоторым усилием пружиной 17 вдоль оси, имеющей площадку 18, контактирующую С осью 19 индуктивного преобразовагел 3, также подпру: иненного пружиной 20 с усилием, регулируемым винтом 2 , Ось 19 преобразователя имеет также рычаг 22, связанный с ручкой 13, Образец 23 имеет цилиндрические углубления 24 для дерателеиб и прижимается к ним пружиной 25,Формула изобретения Прибор для определения коэффициента диффузии влаги, содержащий корпус, термостатированную камеру, индикатор перемещений и держаель для закрепления Образца, отл ич а ю щ и йс я тем, что, с ЦЕЛЬЮ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ И НаДЕЖНОСТИ измерения, термостатированная камера снабжена сьемной рамкой, а индикатор...

Номер патента: 683397

Опубликовано: 30.10.1993

Авторы: Глущенко, Косенко, Лапунин, Плохих

МПК: H01L 21/22

Метки: бором, диффузии, золотом, источник, кремния, легирования, одновременного

...кварцевые подложки 1 и 2 наносят борный ангидрид. После отжига в аргоне при 940 С в течение 2 ч происходит стекло образование, в результате чего на подложках образуются слои 3 боросиликатного стекла. На боросиликатные слои 3 наносят слои 4 золота при давлении 5 10 мм рт.ст, 5 в течение 20-25 с.Расстояние от испарителя до подложки70 мм, навеска золота весит 40 мг, Толщинанапыленных слоев золота составляет 0,05- 0,1 мм, После напыления золота подложку 10 отжигают в течение 20 мин при 940 С. Легирование ведут в открытой кварцевой трубе 5 в потоке аргона.Температура диффузии 940 + 1 С, время легирования 20 - 40 мин, Расход аргона 40 - 50 л/ч при диаметре трубы 58 мм, Пластины 6 кремния со вскрытыми окнами под базовое легирование...

Номер патента: 1400387

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Кузнецов, Нарышкин

МПК: H01L 21/324

Метки: диффузии, интегральные, кремниевые, микросхемы, полупроводниковые, приборы

СПОСОБ ДИФФУЗИИ В КРЕМНИЕВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ, включающий диффузию фосфора с последующим отжигом при понижении температуры до 650oС, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров за счет снижения концентрации генерационно-рекомбинационных центров, отжиг проводят при понижении температуры от температуры диффузии со скоростью 2 - 4 град/мин.

Номер патента: 1454157

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/225

Метки: бора, диффузии, источников, нитрида, основе, планарных, твердых

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДИФФУЗИИ БОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА БОРА, включающий приготовление диффузанта путем смешивания порошков нитрида бора и наполнителя, нанесение диффузанта на кремниевую пластину и спекание в окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения уровня легирования полупроводников из твердых планарных источников при 725 - 975oС при производстве интегральных микросхем, в качестве наполнителя диффузант содержит порошок кремния при следующем соотношении компонентов диффузанта, мас.ч.:Нитрид бора - 85 - 95Порошок кремния - 5 - 15а спекание проводят при 975 - 1050oС в течение 30 - 60 мин.

Номер патента: 1591753

Опубликовано: 27.01.1995

Автор: Денисюк

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузии, источников, планарных, твердых, фосфора

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПЛАНАРНЫХ ИСТОЧНИКОВ ДЛЯ ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, включающий приготовление смеси из порошка метафосфата алюминия и порошка кремния в количестве 15 - 40 мас.ч., нанесение на термостойкую положку из кремния, спекание диффузанта с подложкой в инертной или окислительной среде, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы путем снижения выкрашивания частиц диффузанта из источников и повышения термомеханической стойкости источников, перед нанесением диффузанта на термостойкую подложку из кремния проводят отжиг диффузанта в инертной среде при 1000 - 1050oС в течение 15 - 40 мин и его измельчение, а спекание диффузанта с подложкой проводят при 980 - 1040oС.

Номер патента: 1563507

Опубликовано: 20.03.1995

Авторы: Денисюк, Пих

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузии, источник, планарный, твердый, фосфора

ТВЕРДЫЙ ПЛАНАРНЫЙ ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ФОСФОРА, содержащий диффузант на основе метафосфата алюминия, расположенный в виде отдельных блоков с плоской поверхностью по обеим сторонам кремниевой подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока эксплуатации за счет увеличения степени заполнения площади кремниевой подложки диффузантом и массы диффузанта и повышения термомеханических свойств источника, блоки диффузанта имеют в горизонтальном сечении форму квадрата или прямоугольника со сторонами 1,6 - 5,0 и высоту 0,9-2,5 толщины подложки, при этом зазор между блоками составляет 0,3 - 0,9 толщины подложки, толщина кремниевой подложки составляет 0,0065-0,0090 ее диаметра, при этом блоки закрывают центральную часть поверхности подложки...